Flash Memory
2019年記憶體產業資本支出總金額約416億美元
隨著記憶體廠擴展和升級的大浪潮即將結束,代工廠將在2019年占據大部分半導體資本支出比重。過去兩年,記憶體的資本支出是推動整個半導體產業資本支出大幅成長的因素。這些升級和擴廠計劃中的大多數已完成或已進入其最終建設階段。因此,預計記憶體資本支出將占今年半導體行業資本支出總額的43%,低於2018年的49%。繼2018年創下1,059億美元的紀錄之後,預計2019年半導體資本總支出將下滑8%至978億美元。
七年來,記憶體設備資本支出的比重大幅增加,從2013年的27%(147億美元)成長到2018年創紀錄的49%(520億美元)紀錄,2019年資本支出約416億美元,2013~2019年的年複合成長率為18.9%。2017年和2018年支出最大的IC產品是Flash記憶體/非揮發性記憶體類別,三星、SK海力士和美光三家大廠DRAM和NAND記憶體都積極投資,而英特爾、東芝Memory、Western Digital、SanDisk和XMC、Yangtze River Storage Technology在過去18個月中均大幅提高了3D NAND快閃記憶體容量, DRAM和NAND記憶體市場已進入產能過剩和價格疲軟的時期。 DRAM和NAND快閃記憶體的每位元價格急劇下跌,以及對2019年的資本支出大幅削減可以證明。
在2019年,預計DRAM和Flash的資本支出將分別衰退19%和21%。預計2019年記憶體資本支出為416億美元,比2018年減少104億美元。今年DRAM和快閃記憶體市場的支出大幅削減,是記憶體廠商試圖防止在2019年下半年和2020年價格持續下跌的原因。
2019年全球12吋晶圓廠將達到121座
IC Insights發表2019~2023全球晶圓產能報告指出,就2018年使用的總表面積而言,12吋晶圓是主流。此外,新建晶圓廠也以12吋為主,2019年預計有9座晶圓廠投入量廠,預計全球運營的12吋晶圓廠數量將攀升至121座,並在2023年增加至138座。
截至2018年底,全球共有112座12吋晶圓廠,2019年加入的9家12吋晶圓廠,有5家來自中國,相較之下2018年有7座12吋廠落成。2019年的9家新晶圓廠是2007年以來一年最多的一年。2020年預計還會新增6座,所有2019年和2020年的新廠都將是DRAM、Flash Memory或代工廠。
全球晶圓廠自2013年ProMOS關閉兩座晶圓廠後,造成當年12吋廠數量減少,從那以後每年12吋晶圓廠都持續增加。