Flash
敏博推32GB原生工業級記憶體模組
全球疫情造成部署時程遞延,然而相關需求只是延後並非消失。專注工控DRAM模組與Flash儲存裝置整合方案的敏博(MEMXPRO),不受疫情影響,持續生產開發,採用美光原廠顆粒,正式推出原生工業級16/32G DDR4-3200大容量高速工業級記憶體模組,提升時脈速度發揮高階系統優質效能,更加凸顯DDR4跟DDR3的性能差距,同時推出-40~+85oC寬溫的工控設備規格,內建溫度感測器,適用於對穩定效能有高度需求的嚴苛環境應用,協助設備與平台商在5G儲存進行全面啟動。
敏博DDR4-3200工業級記憶體模組,採用美光(Micron)新一代1x nm DRAM晶片,目前產品系列首推SODIMM與ECC SODIMM,傳輸頻率最高可達新一代AMD CPU速率上限3200MHz與Intel CPU速率上限2933MHz,原生DDR4-2933/3200速度顆粒於標準1.2V即可運作,也有著良好的超頻性能,最大容量提升至32GB,其加大行動頻寬高速傳輸、巨量通訊聯網,以及低延遲高可靠的產品特性,符合5G時代所需,敏博高速寬溫記憶體模組已獲國際級5G設備大廠青睞,導入合用於戶外極端環境、高性能新一代通訊設備機種,協助5G發展應用。
根據IHS Markit在去年底的報告指出,全球5G產業鏈投資額預計在2035年將達到約2350億美元,並創造高達2,230萬個工作機會;與此同時,由5G技術驅動的全球產業應用將創造12.4兆美元的銷售額。在台灣地區,年初已釋出5G執照,到2035年,直接或間接創造的5G相關總產值高達1,340億美元。5G為人工智慧、邊緣計算、大數據與區塊鏈等尖端技術落地的最後一塊拼圖,將促成相關技術與應用的深入發展。
半導體先進製程超限戰 5nm成下一個金雞母
半導體先進製程已經與晶片效能畫上等號,因此,除了品牌與功能之外,對於晶片商來說,採用先進製程也是技術行銷的一大重點,晶片的成功與擴散很大程度上取決於IC製造商能否繼續提供更多的性能和功能。隨著主流CMOS製程達到其理論、實用和經濟極限,降低IC成本不可避免地與不斷成長的技術和晶圓廠製造能力相提並論。台積電已經正式量產的5奈米(nm)製程將成為下一個製程爭奪重點,並為該公司創造更多營收。
2015~2021年主要晶圓廠製程發展進度 資料來源:IC Insights(2/2020)
根據產業研究機構IC Insights最新研究指出,許多IC公司現在正在設計10nm和7nm製程的高階微處理器、應用處理器和其他高級邏輯設備。在半導體製造領域,採用先進製程具有明顯的優勢。在2019年,台積電是唯一使用7奈米製程技術的晶圓代工廠,也成為各家晶片廠商的「名牌」,台積電的先進製程創造大量營收,7奈米製程也出現排隊狀況,一線大廠才能優先取得產能,搶先量產產品,並為廠商拿來作為產品行銷的重點技術。
也由於IC設計廠商排隊採用7奈米製程製造最新設計,推升台積電單片晶圓總收入。台積電2019年每片晶圓收入高於2014年13%,也是全球唯一一家達成此目標的晶圓廠。相較之下,GlobalFoundries、聨電UMC和中芯國際(SMIC)2019年每片晶圓收入,與2014年相較分別下降了2%、14%和19%,這三家廠商的最先進製程約在12/14奈米。
除了代工和邏輯IC製造外,三星、美光、SK Hynix和Kioxia/WD等記憶體供應商都在使用先進製程來製造其DRAM和快閃記憶體(Flash)元件。無論設備類型如何,IC產業都已經發展到只有極少數的公司可以開發前瞻製程技術並製造前瞻IC的地步。日益成長的設計和製造挑戰以及成本已經將積體電路領域門檻變的越來越高。
華邦推新Octal NOR Flash高速/低成本方案
華邦電子日前宣布推出新型高速OctalNAND Flash產品,可望使高容量Serial NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案。
華邦電子經理黃信偉表示,新型OctalNAND Flash將不可能化為可能,認為華邦車用與工業市場的客戶,只需支付Octal NOR Flash一部分的費用,便能在1Gb至4Gb容量裝置上獲得每秒240MB讀寫效能。
首款採用x8 Octal介面的NAND Flash—華邦OctalNAND Flash產品可望提供車用電子與工業製造商高容量的儲存記憶體產品,毋須屈就成本,砸大錢購買NOR Flash。眾所周知,NOR Flash在512Mb以上的儲存容量成本擴充效益不佳。
華邦電子首款採用1Gb W35N01JW全新介面的產品,連續讀取速度最高可達每秒240MB,相較華邦先前發表的高效能W25N-JW QspiNAND Flash系列產品,速度高出3倍,相較市面上一般的Quad Serial NAND Flash產品,讀取速度更是快了將近10倍。
W35N-JW OctalNAND Flash採用華邦通過驗證的46nm SLC NAND製程,提供卓越的資料完整性,且資料保存期更可達10年以上。此產品寫入/抹除次數(Program/Erase...
調研:三星穩坐晶圓製造龍頭 前五大占全球產能53%
市場調研機構IC Insights日前發布2020至2024年全球晶圓產能預估報告,根據當前排名,三星以15%獨占鰲頭,台積電則以12.8%緊追其後。至於前五名依序為三星、台積電、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)以及鎧俠(Kioxia,原為東芝)。
全球前五大晶圓製造商的總產能超過全球總量的半數。
該機構釋出的報告揭示截至2019年12月全球25大晶圓廠的排名,其中前五大晶圓廠總產能占全球晶圓產能53%,且每月皆生產超過100萬片晶圓,相較之下2009年前五大晶圓廠僅占全球總產能36%。至於其他大廠如英特爾、聯電、格羅方德(GlobalFoundries)、德州儀器(TI)和意法半導體(ST)等則紛紛跌至前五名外。
根據統計,三星於全球擁有最大晶圓產能,每月生產超過290萬片晶圓,占全球總產能15%,其中約三分之二用於製造DRAM及NAND快閃記憶體。該公司目前著手於韓國兩處以及中國等三地建造新工廠;居於其後的全球最大晶圓代工廠台積電(TSMC),以月生產250萬片晶圓的產能占全球12.8%,並計畫持續於台中及台南各新建一座晶圓廠。
歸功於在新加坡新設12吋晶圓廠,使2019年產能提升,美光以9.4%的產能占據全球第三名,每月生產約180萬餘片晶圓。該公司還收購了位於猶他州的IM Flash合資工廠中的英特爾股份,並計畫2020年於美國維吉尼亞州建第二家晶圓廠;排名第四的SK海力士將其超過80%的產能投入DRAM和NAND快閃記憶體晶片製造,月生產180萬片晶圓,占全球總產能8.9%。該公司於2019年分別於韓國及中國新建晶圓廠,之後將持續於韓國利川開設新晶圓廠
Flash記憶體供應商鎧俠則以140萬片晶圓的產能擠進第五名,占全球總量7.2%。同時該報告亦指出,晶圓製造前五大純晶圓代工廠台積電、格羅方德、聯電、中芯國際(SMIC)和力積電均躋身全球產能前12名,以月產480萬片的總量占全球總產能的24%。
新唐成為APN技術合作夥伴 拓展物聯網解決方案
新唐科技現正式成為AWSPartner Network(APN)技術合作夥伴,該公司深耕物聯網技術,為滿足物聯網設備多段需求,提供針對物聯網節點設備和閘道器的物聯網平台參考設計,結合微控器、微處理器、Amazon FreeRTOS,和安全性強化的全功能處理和通信協定堆棧、通訊、感測器功能、範例代碼,輕鬆連至雲端服務。新唐科技身為APN技術合作夥伴的一員,提供於AWS雲端託管或與AWS雲端整合的硬體、連接服務或軟體解決方案。
新唐科技提供的物聯網開發平台如物聯網節點設備,適合用於物聯網產品開發的NuMaker-IoT-M263A與適合建構物聯網安全裝置的NuMaker-PFM-M2351。NuMaker-IoT-M263A整合常見無線通訊模組與感測功能,包括Wi-Fi、藍牙以及LoRa通訊模組,另支援插入外部QUECTEL EC21/BG96模組以實現3G/4G/NB-IoT聯網功能,亦內建環境感測器和9軸感測器,可用於感測氣壓、溫度、濕度、加速度、角速度(陀螺儀)和磁力,適合用於物聯網相關產品開發。NuMaker-PFM-M2351,以NuMicro M2351微控制器為核心,內建Armv8-M架構和TrustZone技術,可將傳統韌體安全提升至更安全的硬體安全防護,運作頻率可高達64MHz,內建512KB雙區塊(Dual Bank)架構快閃記憶體(Flash),可支援Over-The-Air(OTA)韌體升級,並內建96KB SRAM,讓開發者構建更安全的物聯網裝置。
該公司亦推出適合用於工業物聯網閘道器的NuMaker-NUC980-IIoT以及輕量型物聯網閘道器的NuMaker-IoT-M487。NuMaker-NUC980-IIoT,主控微處理器執行速度達300MHz,最高支援128MB DDR 記憶體與乙太網口,提供嵌入式Linux OS,可支援相關物聯網協定,適合工業自動化控制、電表集中器等應用。NuMaker-IoT-M487,內建乙太網口與Wi-Fi模組,配合NuMicro M487系列微控制器內建的加解密加速器,提高加密網路連線效率,除輕型物聯網閘道器外,亦適合作為智慧家庭產品、序列轉乙太網轉換器等產品開發使用。NuMaker-IoT-M487 開發平台已通過Amazon FreeRTOS認證,可協助客戶可快速安全連線到AWSIoT Core等AWS雲端服務或連線到AWS IoT Greengrass的邊緣裝置。
CES 2020群聯秀QLC儲存方案與技術
全球最大科技盛會—美國拉斯維加斯消費性電子展(CES)於2020年1月7日揭幕,吸引全球超過4500家廠商參展,以及17萬的人次參觀。此次的焦點除了萬所矚目的5G科技外,5G技術所衍生的相關應用,例如汽車電子、人工智慧、影音串流、高清影像、智慧居家、萬物智聯等,也成為會場中關注度最高的趨勢應用。而5G相關應用平台與系統所需要的關鍵零組件中,儲存裝置 (Storage Devices)不僅扮演著不可或缺的高速儲存效能的角色,也是群聯未來成長動能之一。
群聯董事長潘健成表示,QLC快閃記憶體技術已談論多年,全球客戶均引頸期盼希望群聯能逐漸導入主流的SSD控制晶片及儲存方案中。而群聯成功導入QLC快閃記憶體且量產,發揮QLC的高CP值優勢。此外也希望透過QLC儲存方案量產,持續提升快閃記憶體普及率,讓更多消費者享受到快閃記憶體所帶來的高效能。
群聯電子(Phison)在本次CES全球科技盛會展出系列新QLC快閃記憶體(NAND Flash)儲存方案,從首款PCIe Gen4×4 SSD控制晶片PS5016-E16、PCIe Gen3x4 SSD控制晶片PS5012-E12、至SATA PS3112-S12 SSD控制晶片,均支援最新QLC快閃記憶體技術,最高容量分別達到4TB(E16)、8TB(E12)、與16TB(S12),而最高效能分別達到4.9GB/s(E16)、3.4GB/s(E12)、與550MB/s(S12);再加上針對經濟型消費市場推出高容量2TB與高速達550MB/s的DRAM-Less版本PS3113-S13T SSD控制晶片,為目前完整且量產的QLC SSD儲存方案。
群聯在這次CES電子展中除了SSD以外,也展出全系列搭載QLC快閃記憶體的移動式儲存方案,包含microSD、USB3.2、以及Thunderbolt3儲存方案。
盛群新推出BP45F4MB行動電源MCU
盛群(Holtek)針對行動電源領域,新推出BP45F4MB Flash微控制器,完整支援行動電源所需功能。BP45F4MB提供單節鋰電池充電及放電功能與電量指示,OVP、OCP提供電池在充電及放電時,過電壓、過電流之保護;互補式PWM輸出直推外部PMOS及NMOS,實現同步整流升壓或降壓的功能,轉換效率最高可達94%。非常適用於單節鋰電池行動電源的應用。
BP45F4MB內建2.4V±1%基準電壓源作為ADC、過電壓保護(OVP)、過電流保護電路(OCP)的參考電位,並內建分壓電阻供ADC讀取電池電壓與輸入/輸出電壓,也提供Pull-High、Pull-Low電阻給PMOS、NMOS使用,節省外圍零件,縮小產品PCB尺寸面積。
BP45F4MB其他MCU資源包含2K×16 PROM、128×8 RAM、工作電壓2.5V~5.5V,I/O方面具有18個多功能引腳,內建HIRC 30MHz與LIRC 32KHz、7個通道12-bit ADC、1個10-bit PTM、1個16-bit STM,並提供16-Pin NSOP以及20-Pin SSOP兩種封裝形式。
盛群新推出HT66F0181 1.8V低電壓A/D MCU
盛群(Holtek)為A/D Flash MCU系列新增HT66F0181成員。HT66F0181為HT66F018的精簡版,特點為最低工作電壓可達1.8V,具備高精度內部振盪電路,內建大電流I/O可直推LED,適用於各種小家電、工業控制或行動電源等應用。
HT66F0181系統資源為4K×15 Flash Memory、128×8 RAM、32×15 Emulated EEPROM、8通道10-bit ADC、LVR;18個內建大電流I/O可直推LED、電流4段可調;10-bit PTM及STM各一組及Time Base兩組。
HT66F0181封裝提供腳位相容於HT66F018的16NSOP、20NSOP/SSOP/SOP並與HT66F0182的20NSOP相容。
2018半導體資本支出破1000億美元 記憶體占53%
產業研究機構IC Insights預測,2018年半導體資本支出總額將增至1020億美元,這是史上首次資本支出上超過1000億美元,同時較2017年的933億美元成長了9%,比2016年成長了38%。
其中超過一半的資本支出預計用於記憶體—主要是DRAM和Flash,包括對現有晶圓廠產線和全新製造設備的升級。預計今年記憶體投資將占到半導體資本支出的53%。儲存設備的資本支出在六年內大幅增加,幾乎翻了一倍,從2013年的27%(147億美元)增加到2018年的產業資本支出總額的53%(540億美元),相當於2013~2018複合年成長率為30%。
在主要產品類別中,預計DRAM/SRAM的支出增幅最大,但預計Flash占今年資本支出的最大比重。預計2018年DRAM/SRAM部門的資本支出將在2017年強勁成長82%後再度出現41%的成長。預計2017年快閃記憶體的資本支出將在2017年成長91%後,2018年再成長13%。
經過兩年的資本支出大幅增加,一個迫在眉睫的主要問題是,高水平的支出是否會導致產能過剩和價格下降。記憶市場的歷史先例表明,過多的支出通常會導致產能過剩和隨後的價格疲軟。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/西部數據/SanDisk和XMC/長江存儲技術都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND Flash容量(以及新的中國記憶體新創公司進入市場),IC Insights認為,未來3D NAND Flash市場供需過剩的風險正不斷提升當中。