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FD-SOI

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格羅方德嵌入式磁阻記憶體跨過量產里程碑

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近日宣布,其22nm FD-SOI(22FDX)平台上的嵌入式磁阻記憶體(eMRAM)已投入生產。同時格羅方德正與多家客戶共同合作,計劃於2020年實現多重下線生產。格羅方德樹立業界里程碑,證明了eMRAM的可擴展性在物聯網、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應用在進階製程節點上是經濟有效的選擇。 格羅方德的eMRAM,讓設計師能夠擴展現有的物聯網和微控制器單元架構,以取得28nm以下技術節點的功耗和密度優勢,並作為大容量嵌入式NOR快閃記憶體的替代方案。 格羅方德的eMRAM是廣泛使用且堅固的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM),已通過五項嚴格的實際迴焊測試,在-40°C到125°C的溫度測試範圍,展現出10萬次循環耐久性和資料保存期限高達十年。FDX eMRAM解決方案通過AEC-Q100品質等級二驗證。該解決方案的開發正在進行中,期望可以在明年通過AEC-Q100品質等級一的驗證。 格羅方德汽車與工業多市場部門資深副總暨總經理Mike Hogan表示,該公司致力於透過穩定、功能多元的解決方案讓FDX平台與眾不同,進而讓客戶以高性能和低功耗之應用來開發創新產品。格羅方德的差異化eMRAM,部署在業界最先進的FDX平台上,為易於整合的eMRAM解決方案提供獨一無二的高效能RF、低功耗邏輯和整合電源管理組合。讓客戶能夠提供新一代超高性能、低功耗的MCU和已連接的IoT應用。 格羅方德與設計合作夥伴今起提供客製化設計套件,其中包含可插式套件、4到48兆位矽驗證的MRAM巨集以及可選式MRAM支援內建測試功能。 eMRAM是一項可擴充的功能,預計將在FinFET和未來的FDX平台上應用,是公司部份進階eNVM的規劃。格羅方德位於德國德勒斯登Fab1的最先進12吋晶圓生產線,將會採用MRAM來支援22FDX的量產。
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專訪CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere SOI將成邊緣AI重要推手

CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere表示,SOI技術有多種衍生型,從適合邏輯電路與類比電路使用的FD-SOI,到適合射頻元件使用的RF-SOI、以及專為功率半導體應用需求開發的Power-SOI, SOI材料的應用涵蓋範圍極大,並獲得意法半導體(ST)、恩智浦(NXP)、格芯和三星(Samsung)等半導體業者採用。 雖然格芯近期已宣布停止發展先進製程技術,但CEA-Leti跟SOI生態圈裡的眾多合作夥伴,還是會持續推動SOI製程微縮,並搭配其他新的技術,如嵌入式非揮發記憶體、3D整合跟新的設計工具,讓SOI繼續往前邁進。 事實上,邊緣AI晶片很適合使用SOI製程來生產,因為邊緣AI晶片對功耗/性能比的要求很高,而且常常涉及到運算跟感測器的整合,這些需求都與SOI的特性跟優勢正好一致。此外,相較於FinFET,FD-SOI有一個很重要的特色,就是可以動態調整邏輯電路的工作點,不像FinFET,在設計階段就必須在高效能跟低功耗之間做出取捨。這對於簡化類比電路設計,也能帶來很大的優勢。 不過,半導體產業終究是一個需要規模經濟來支撐的產業,如果沒有健全的生態系統,即便技術特性再優異,還是很難在商業上取得進一步成功。因此,CEA-Leti未來會跟合作夥伴推出更多配套技術,讓SOI製程的應用得以更加普及。 CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere指出,SOI製程有許多特性,正好迎合邊緣AI應用的需求。  
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格羅方德策略聚焦 未來布局三大重點出列

近日格羅方德(GlobalFoundries)在台舉辦年度技術論壇,主題聚焦在12奈米FinFET與絕緣層上覆矽(SOI)製程的特殊應用。自從該公司宣布暫停發展7奈米製程,聚焦12奈米以上及SOI製程之後,該公司除了既有的邏輯晶圓代工業務之外,在射頻(RF)、設計服務跟先進封裝上,也有更多投入,並且將組織調整為車用/工業與多重市場、行動與無線基礎建設、運算與有線基礎建設三大部門,顯然退出先進製程的競爭行列,反而讓格羅方德有資源專注在生態系統的培養跟建構上。 格羅方德亞洲區業務開發總裁Americo Lemos(圖)表示,格羅方德雖然宣布退出先進製程的競逐行列,但這不代表公司不再繼續投資未來。事實上,12奈米以上的成熟製程節點,還是有龐大的市場需求跟多樣化的客戶存在,把這個領域耕耘好,還是有很多發展機會。所以,關鍵在於格羅方德是否備妥能滿足這些客戶需求的技術。 格羅方德亞洲區業務開發總裁Americo Lemos表示,SOI等成熟製程,在未來仍將有很龐大的應用潛力。 不管是高效能運算(HPC)或嵌入式物聯網應用,未來市場的需求趨勢其實很明顯--追求更高的能源效率。但現在光靠電路微縮,已不一定能帶來這個效益。從能源效率的角度來看,SOI的表現往往比標準CMOS來得更優異,這也是格羅方德22奈米FDX製程廣獲客戶採用的主要原因。 在這個基礎上,格羅方德將持續投資在12奈米FDX製程上,以滿足客戶對邊緣運算的強勁需求。Lemos認為,由於12奈米FDX的功耗表現可以比其他同業的10奈米FinFET還優異,因此在能源效率更受重視的未來,12奈米FDX會有很長的產品生命週期。 不過,在SOI領域,一些重要的研究機構如CEA-Leti,已經開始研究如何將SOI推向10奈米以下,這是否會影響格羅方德在SOI製程上的領先地位?Lemos認為還不至於。CEA-Leti等SOI技術研發領域的要角,都是格羅方德的長期夥伴,但研究機構的使命是不斷推進科技的極限,商業成功與否則是次要考量,而格羅方德作為一家公司,則必須在商業成功跟帶動科技進步之間取得更好的平衡點。 除了邊緣運算跟高效能運算外,射頻也是SOI一個很重要的應用市場。針對這個應用,格羅方德全球業務資深副總Juan Cordovez補充說,目前RF-SOI已廣泛應用在6GHz以下及毫米波頻段的射頻元件上,有很高的市占率。但格羅方德也在關注寬能隙材料的應用進展,如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等,並計畫在時機成熟時切入市場。不過,目前寬能隙材料除了技術上的挑戰外,也有經濟規模不足的問題。 此外,目前半導體業內受到廣泛討論的Chiplet議題,其實格羅方德也有所準備。不過,不像其他同業或IDM業者推出一條龍的作法,格羅方德只有在必要的情況下才會自行開發跟量產,例如基於矽中介層(Si-Interposer)的先進封裝,就會由公司內部來處理。除此之外,對於大多數的先進封裝技術,格羅方德還是傾向於採取前後段合作的模式,由專業封測廠(OSAT)負責。 整體來說,格羅方德退出先進製程的競爭行列,並不意味著公司將就此停下發展腳步。相反的,由於退出先進製程的軍備競賽,公司可以騰出更多資源來發展配套,例如擴大IC設計服務團隊、開發戰略性的先進封裝技術等。同時,在公司組織上,格羅方德也因應市場變化做了調整,劃分出車用//工業與多重市場、行動與無線基礎建設、運算與有線基礎建設三大部門,以強化團隊戰力。
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邊緣AI追求極致功耗/性能比 SOI製程將成重要推手

由於製程微縮導致絕緣層的厚度越來越薄,閘極漏電流成為IC設計團隊所面臨的最棘手問題之一。針對這個問題,改用絕緣層上覆矽(SOI)材料是一種有效的解決方案,但由於支持這條發展路徑的主力晶圓代工廠之一--格芯(GlobalFoundries)已經宣布停止發展先進製程,使得SOI陣營必須更努力推動生態系統的發展。作為SOI材料的發明者,法國研究機構CEA-Leti深知推動SOI生態系統健全發展的重要性,而邊緣AI的發展趨勢,將為SOI技術創造出更大的發揮空間。 CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere(圖)表示,SOI技術有多種衍生型,從適合邏輯電路與類比電路使用的FD-SOI,到適合射頻元件使用的RF-SOI、以及專為功率半導體應用需求開發的Power-SOI, SOI材料的應用涵蓋範圍極大,並獲得意法半導體(ST)、恩智浦(NXP)、格芯和三星(Samsung)等半導體業者採用。 CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere指出,SOI製程有許多特性,正好迎合邊緣AI應用的需求。 雖然格芯近期已宣布停止發展先進製程技術,但CEA-Leti跟SOI生態圈裡的眾多合作夥伴,還是會持續推動SOI製程微縮,並搭配其他新的技術,如嵌入式非揮發記憶體、3D整合跟新的設計工具,讓SOI繼續往前邁進。 事實上,邊緣AI晶片很適合使用SOI製程來生產,因為邊緣AI晶片對功耗/性能比的要求很高,而且常常涉及到運算跟感測器的整合,這些需求都與SOI的特性跟優勢正好一致。例如意法半導體就曾經展示過一款採用28奈米FD-SOI製程生產的神經網路加速器,其功耗/性能比達到2.9TOPS/W,比很多採用更先進製程節點的同類型晶片要來得更優異。 此外,相較於FinFET,FD-SOI有一個很重要的特色,就是可以動態調整邏輯電路的工作點,不像FinFET,在設計階段就必須在高效能跟低功耗之間做出取捨。這對於簡化類比電路設計,也能帶來很大的優勢。 不過,半導體產業終究是一個需要規模經濟來支撐的產業,如果沒有健全的生態系統,即便技術特性再優異,還是很難在商業上取得進一步成功。因此,CEA-Leti未來會跟合作夥伴推出更多配套技術,讓SOI製程的應用得以更加普及。
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是德科技EM模擬器通過FD-SOI技術認證

是德科技(Keysight Technologies)日前宣布旗下的Momentum 3D平面電磁(EM)模擬器,已通過GLOBALFOUNDRIES(GF)22FDX、22nm全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)技術認證。   Keysight Momentum是先進平面3D電磁模擬器,可用於被動式電路建模和分析。它可模擬任意幾何結構的設計(包含多層結構),並可使用頻域力矩法(MoM)技術,準確地模擬複雜的電磁效應,包含耦合和寄生。   在取得認證後,設計人員現在可以使用GF的尖端22FDX技術進行精確的EM模擬,進而分析當今日益縮小、複雜設計中的電磁效應和特性。Momentum堆疊檔案已經整合入GF提供的最新22FDX PDK。   是德科技RFIC晶圓專案經理Punmark Ngangom表示,是德科技EM模擬器通過GF 22FDX認證,象徵著GF與是德科技就是德科技RFIC晶圓專案,維持緊密的合作關係。我們的共同客戶現在可充分利用經GF認證的Keysight Momentum堆疊檔。GF的標準22FDX PDK軟體套件現已提供這些檔案。   Keysight Momentum還被認證為經最佳化的RF/mmWave金屬選項,具有不同電感器,並可根據GF認證標準,實現與高達100GHz的矽量測和電路模型之間的高度精確關聯性。
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