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EPC新推100V eGaNFET產品 力助車載娛樂/雷達系統革新

增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款100V eGaN FET(EPC2218及EPC2204),性能更高並且成本更低,可立即供貨。採用這些先進氮化鎵元件的應用非常廣,包括同步整流器、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂系統、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)和面向全自動駕駛車輛、機械人及無人機的雷射雷達系統。 EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。與基準矽元件相比,這兩款氮化鎵元件的性能更高。 EPC2204的導通電阻降低了25,但尺寸卻縮小了3倍。與基準矽MOSFET元件相比,其閘極電荷(QG)小超過50%,並且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),進而使得D類音訊放大器可以實現更低的失真和更高效的同步整流器和馬達控制器。 EPC首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示,大家預計最新一代且性能優越的100V eGaN FET的價格更高。但這些最先進的100V電晶體的價格与等效老化元件相近。該公司為設計工程師提供的氮化鎵元件的優勢是性能更高、尺寸更小、散熱效率更高且成本相近。氮化鎵元件正在加速替代功率MOSFET元件。
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宜普新200V氮化鎵產品系列性能加倍

宜普電源轉換公司(EPC)推出的兩款200V eGaN FET(EPC2215和EPC2207),性能更高的同時成本更低。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊,包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器(MPPT)、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式),以及多電平高壓轉換器。 EPC2215(8mΩ、162Apulsed)和EPC2207(22mΩ、54Apulsed)的尺寸比前代200V eGaN元件大約縮小50%,而性能卻倍增。EPC2215的導通阻抗降低了33%,但尺寸卻縮小了15倍。其閘極電荷(QG)較基準矽MOSFET元件小十倍,並且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),從而使得D類音訊放大器可以實現更低的失真,以及實現更高效的同步整流器和馬達控制器。 EPC首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示,最新一代的eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內,實現更高的性能,而且其成本與傳統MOSFET元件相若。氮化鎵元件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET元件的趨勢日益明顯。 EPC公司與德克薩斯大學奧斯丁分校的半導體功率電子中心(SPEC)合作開發了的400V、2.5kW、基於eGaN FET、四電平飛跨電容(FCML)圖騰柱無橋整流器,適用於資料中心,它使用了全新的200V氮化鎵場效應電晶體(EPC2215)。德克薩斯大學奧斯丁分校的Alex Huang教授說,氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的優越特性使得轉換器能夠實現高功率密度、超高效率和低諧波失真。
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EPC和Microchip在1/16磚式轉換器實現300W功率

EPC宣布推出1/16磚式、300W DC/DC穩壓器-EPC9143。其功率模組把Microchip dsPIC33CK數位訊號控制器(DSC)和最新一代eGaN FET EPC2053集成在一起,實現25A、48V/12V和96%效率的功率轉換。500kHz開關頻率在非常小的1/16磚式轉換器實現300W功率,其尺寸僅為33X22.9毫米(1.3x0.9英寸)。 可擴展的兩相設計可以增加相數,從而進一步提高功率。由於Microchip數位控制器具有高靈活性,因此允許在8V至72V範圍內調節輸入電壓,而輸出電壓在3.3V至25V範圍內。而eGaN FET和積體電路具備快速開關、小尺寸和低成本等優勢,能够以少元件數量和低成本滿足這些前沿應用對功率密度的嚴格要求。 磚式DC/DC轉換器廣泛用於資料中心、電信和汽車應用,可將48V標稱電壓轉換為12V配電匯流排輸出電壓。其中一個主要應用,是48V/12V負載點(POL)轉換器,例如用於通用PCIe卡和存儲。 EPC首席執行官Alex Lidow表示,先進的計算應用對功率轉換器的要求越來越高,我們很高興與Microchip公司合作,為客戶提供靈活的解決方案,從而為48V轉換提高效率、增加功率密度和降低系統總成本。 Microchip MCU16業務部副總裁Joe Thomsen表示,Microchip的dsPIC DSC可以進行程式設計以充分發揮氮化鎵場效應電晶體的性能。我們很榮幸與EPC公司合作, EPC的氮化鎵技術與我們的dsPIC33CK控制器相結合,使工程師能夠顯著提高功率密度,從而滿足各種先進運算和電信應用的苛刻要求。
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EPC更新GaN功率電晶體/積體電路系列Podcast

宜普電源轉換公司(EPC)更新其「如何使用氮化鎵元件」的影片Podcast系列。該影片系列的內容是依據最新出版的《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》第三版教科書的內容製作。合計共14個教程的影片Podcast系列旨在為功率系統設計工程師提供基礎技術知識及針對專有應用的工具套件,進而讓工程師學習如何採用氮化鎵電晶體及積體電路,設計出更高效的功率轉換系統。 宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow表示,這個影片系列幫助設計工程師瞭解氮化鎵技術的獨有優勢,以及如何發揮其特性,進而設計出高效的功率轉換系統。最重要的是,該公司希望縮短設計工程師的學習曲線,讓他們發揮氮化鎵功率半導體的高頻開關及高性能等優勢。 首先上載到宜普公司的網站的7個影片是關於氮化鎵電晶體及積體電路的理論和設計基礎知識的概述,包括材料比較、構建氮化鎵電晶體、性能特性、閘極驅動器、布局、散熱管理,以及模型及測量。 該公司即將發布影片系列第二部份的其他7個教程,為工程師提供基於氮化鎵電晶體的廣泛應用的實用範例,包括面向通訊及數據通訊系統的DC/DC轉換系統。此外,該教程系列涵蓋具備卓越性能的氮化鎵元件如何推動各種新興應用的發展,包括針對全自動駕駛汽車及機械人的雷射雷達/ToF技術、不用電源線的無線功率傳輸應用,以及面向通訊系統的射頻波峰追蹤應用。
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EPC可靠性測試報告表示eGaN元件較矽MOSFET更穩定

宜普電源轉換公司(EPC)日前發布第十一階段可靠性測試報告,與工程師分享受測元件如何實現優越的現場可靠性的策略—在廣闊測試條件下,採用失效性測試元件(Test-to-fail)的反覆測試方法,進而知道如何構建更穩固的產品以達到應用所需,例如面向全自動駕駛車輛的雷射雷達、LTE通訊基地台、汽車的車頭燈及衛星等應用。 宜普電源轉換公司的首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow博士表示,氮化鎵(eGaN)元件實現量產已經超過十年。這些元件在實驗室測試及在客戶的量產產品和應用中,都展示出高可靠性。該公司的第十一階段可靠性測試報告旨在繼續實踐的承諾—與工程師分享這十年間所累積的數百萬個元件-小時的測試經驗及五代技術的知識。這些可靠性測試讓該公司進一步瞭解氮化鎵元件在廣闊的應力測試條件下的性能。 失效性測試元件方法是比較數據表上所列出的元件限制值和應用中產品的性能,從而知道元件的工作極限。最重要的是,可以知道元件的固有失效機理,從而找出失效的根本原因。如果知道元件在工作一段時間後的性能、溫度、電氣或機械應力情況,工程師就可以知道該產品在一般工作條件下的實際安全工作壽命。 這個報告共計七個部分,每個部分描述各種不同的失效機理,有包含影響eGaN元件的閘極的固有失效機理、動態導通電阻的固有機理、安全工作區域(SOA)、在短路情況下測試元件至失效、採用專有的測試方法,長期置元件於雷射雷達脈衝應力條件下,測試及分析元件的可靠性、機械力的應力測試,以及元件的現場可靠性。
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EPC推高功率密度應用ePower功率級積體電路系列

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出80V、12.5A的功率級積體電路,專為48V DC/DC轉換而設計,用於具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。 宜普電源轉換公司首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示,離散式功率電晶體正在進入最後發展階段。矽基氮化鎵積體電路可以實現更高的性能、占板面積更小,省卻很多所需工程。該全新功率級積體電路系列是氮化鎵功率轉換領域的最新發展里程,從整合多個離散元件,以至整合更複雜的解決方案都可以,進而實現矽基解決方案所不能實現的電路性能、使得功率系統工程師可以更容易設計出高效的功率系統。 EPC2152是一個單晶片驅動器並配以基於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)、採用EPC專有的氮化鎵積體電路技術的半橋功率級。在單晶片上整合輸入邏輯介面、電平切換電路、自舉充電電路、閘極驅動器的緩衝電路及配置為半橋元件的輸出氮化鎵場效應電晶體,進而實現晶片級LGA封裝、細小的外形尺寸(3.9毫米×2.6毫米×0.63毫米)。 當48V轉到12V的降壓轉換器在1 MHz的開關頻率下工作,EPC2152 ePower 功率級積體電路可實現高於96% 的峰值效率,相比採用多個分立元件的解決方案,這個積體電路在PCB的占板面積少33%。 該系列在未來會進一步推出採用晶片級封裝(CSP)及多晶片四方偏平模組(QFM)的功率級IC。在未來一年內將推出可在高達3至5 MHz頻率範圍工作、每級功率級的電流可高達15A至30A的產品。
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EPC氮化鎵GaN推動產業功率傳輸轉型

宜普電源轉換(EPC)將於3月15至19日在美國紐奧良(New Orleans)舉行的APEC 2020展覽會上,進行11個關於氮化鎵(GaN)技術及應用的演講。此外,EPC展位也會有多個終端客戶採用的最新氮化鎵場效應電晶體及IC產品亮相。 在展會上,EPC將發布ePower Stage系列IC,在單一矽基GaN晶片上整合所有功能,為產業重新定義功率轉換。並將展示ePower Stage及離散式GaN元件如何能夠提升48V功率轉換器的效率、縮小其尺寸及降低系統成本。該48V轉換器針對輕薄並且具有高功率(可高達250W)的筆記型電腦、具高功率密度的伺服器及人工智慧系統,以及汽車系統等應用。 宜普EPC 48V電源轉換模組 另外,EPC將展出多個光達應用,展示氮化鎵技術如何支援短距及長距雷射雷達感測器。展示包括用於長距離檢測的直接飛時測距(DToF)系統,可在低於2.5奈秒提供超過100A的電流。 用於短距離檢測的間接飛時測距(IToF)系統則可在低於1.2奈秒的脈寬提供8A脈衝電流。終端應用包括自駕車、自動化倉庫、無人機及吸塵機等應用。 EPC並將介紹如何以GaN晶片支援電動滑板車的馬達供電。ePower Stage元件應用於三相正弦激勵,馬達驅動器的每相具10ARMS,可實現高效、寧靜、高性能及低成本的電動汽車解決方案。 在無線電源充電方面,隨著物聯網產業的迅速發展,全新的連結及感測元件若需要符合5G的要求,可靠及安全的無線供電不可或缺。EPC將展示支援5G的高效無線電源充電解決方案,可穿透e-glass及牆壁,傳輸高達65W的電源。
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電源供應市場帶頭衝 GaN功率IC商機超展開

氮化鎵(GaN)功率半導體可望大發利市。5G、AIoT時代來臨,許多創新技術應用如自駕車、電動車、無線充電、擴增實境(AR)、工業智動化、無人機,甚至5G基地台,對於能源效率的要求將顯著增加。可較現今矽(Si)功率元件實現更高轉換效率的GaN技術,遂成為各界關注焦點,並吸引許多半導體業者爭相投入布局。 根據市場研究機構Yole Développement指出,與矽功率半導體328億美元的產值相比,GaN功率市場規模仍相當小,但該技術已開始滲透至各種應用領域,其中,又以電源供應為主要應用,如手機的快速充電器。 據了解,Anker可以說是目前市場上導入GaN功率技術最積極的行動週邊裝置製造商,其行動充電器PowerPort Atom PD第一代至第三代,以及PowerPort系列部分產品,和另一個PowerCore Fusion產品,都已開始導入GaN技術。另外,Aukey、RavPower、Mu One等廠商也有採用。 行動週邊裝置品牌廠Anker自2018下半年起,已開始導入GaN功率元件,打造兼具輕巧、高功率密度的充電器。(圖片來源:Anker) 除了行動充電器外,自駕車光達(LiDAR)、資料中心伺服器、電動車,以及無線充電,亦是GaN功率半導體極具成長性的應用。Yole認為,GaN功率半導體能帶來更高的節能效益,因此相關技術研發能量不斷增加,商用產品也開始問世,整體GaN功率元件市場規模自2016年起已逐步放量;若情況樂觀,預估2017~2023年的複合成長率(CAGR)可高達93%,達到4.23億美元規模。 Yole Développement預估,在最佳狀況下,2017~2023年GaN功率半導體市場將可達到93%的年複合成長率。(資料來源:Yole Développement) 大廠加入量產行列 GaN發展更入佳境 2018年6月,功率半導體大廠英飛凌(Infineon)正式宣布於年底開始量產CoolGaN 400 V及600 V e-mode高電子遷移率電晶體(HEMT),為GaN功率技術的發展打了一劑強心針。 Yole技術與市場分析師Ezgi Dogmus認為,這家電源解決方案的領導廠商開始量產GaN的宣布,對GaN功率元件市場來說是一個重要的象徵。目前英飛凌已經擁有許多客戶在使用他們的矽解決方案,而未來這些客戶都有機會能轉移到GaN技術。 英飛凌高電壓轉換部門資深協理Steffen Metzger表示,GaN市場已經獲得強大動能,在特定應用中採用此項技術帶來大幅優勢。從降低營運支出及資本支出,提升功率密度實現更精巧輕盈的設計,乃至於減少整體系統成本,產生的效益相當具有說服力。英飛凌深信,GaN是電源管理的下一個明日之星。該公司已經做好所有準備,以達成在GaN電源方面成為客戶首選的目標。 就在英飛凌發布GaN量產消息後沒多久,意法半導體(ST)也宣布要由原本碳化矽(SiC)的發展,擴大延伸到GaN技術領域,將和法國技術研究機構CEA-Leti合作研發GaN-on-si技術,利用Leti的8吋研發產線進行二極體和電晶體開發。雙方預期在2019年完成驗證工程樣品。同時,意法半導體也預計2020年將在該公司位於法國圖爾市的前段晶圓廠中,建造完全符合規範的生產線(包含GaN-on-Si異質磊晶製程),以做為初期生產之用。 除了整合元件製造商(IDM)發展力道愈來愈強,這些年來聚焦GaN功率元件開發的新創公司也不斷冒出,前面提及的EPC、Transphorm、GaN Systems是相對較早成立的,其他還有Tagore、Exagan、Navitas、VisIC、Dialog Semiconductor、GaNPower International、NEXGEN Power Systems等。 這些新創大都是無晶圓廠(Fabless)的公司,選擇以委外給晶圓廠生產的商業模式,多半使用台積電、漢磊(Episil)或X-Fab做為他們主要選擇。未來,一旦市場規模擴大,晶圓代工的商業模式將讓這些無晶圓廠新創公司有望快速成長茁壯。 顯而易見,現今的GaN功率元件市場可說是老將新秀同台較勁、競相逐鹿,使得整體市場戰火正快速升溫,為了端出更具競爭力的產品方案,許多廠商已積極投入整合型方案研發。 目前市場上的整合型GaN功率元件可概分為兩種,一種是封裝層級的整合,將GaN電晶體與驅動器整合成單一封裝,多半針對650V以上的應用;另一種是在裸晶層級上整合GaN電晶體與驅動器,也就是達到所謂的單體式整合(Monolithically Integrated),此類產品供應商以EPC和Navitas為代表,多半針對600V以下的消費性應用。 由於消費性應用如行動裝置充電器,需求規模龐大,對GaN業者而言,是滋養茁壯的重要養分,因此為了迎合市場輕巧外觀的設計要求,走向高整合設計方案將勢在必行。 imec製程技術助攻 GaN加速實現單體整合 有鑑於市場對更高整合度GaN功率元件的發展需求,奈米電子和數位科技研究與創新中心imec,利用其GaN-on-SOI和GaN-on-QST技術平台,發布一款與驅動器單體整合且功能完整的GaN半橋IC。 半橋是一種在電力系統中常見的次電路,是由離散元件所組成,特別是用在較高電壓範圍的應用。要利用GaN-on-Si技術在晶片上實現半橋電路,極具挑戰,特別是高電壓的設計,這是因為基於GaN-on-Si技術所設計的半橋電路,會產生「後閘效應(Back-gating Effect)」,進而對半橋電路的高側端開關(High-side Switch)造成負面影響,而切換雜訊也會對控制電路造成干擾,抑制整體效能表現。 imec解決方案是建立在imec的GaN-on-SOI和GaN-on-QST技術平台,透過埋入式氧化物(Buried Oxide)和氧化物填充的深溝槽隔離設計,讓功率元件、驅動器和控制邏輯能夠達到電氣隔離。這種隔離機制能減少有害的後閘效應對半橋高側端開關的負面影響,更能減少切換雜訊對控制電路的干擾。 此外,imec的技術平台也藉由整合電位轉換器(Level Shifter)(用來驅動高側開關)、停滯時間控制器(Dead-time...
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