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Power Integrations擴大採用750V GaN電晶體IC產品範圍
Power Integrations日前宣布推出更多InnoSwitch3系列離線CV/CC返馳式切換開關IC品項。全新INN3x78C裝置整合體積更小的「8號」750V PowiGaN電晶體,能夠讓輕薄且高效的電源供應器輸出27W至55W功率而毋需散熱片。此IC所用的封裝技術,與採用GaN的InnoSwitch3系列中體積較大品項(最高目標功率為120W)同為高沿面距離、符合安全要求的InSOP-24D封裝。
Power Integrations產品行銷總監Chris Lee表示,該公司感受到全球對於採用750V GaN電晶體的高效AC-DC轉換器IC的需求與日俱增。然而,由於矽MOSFET崩潰電壓與COSS相關的切換損失之間的關係,難以同時實現電氣強度和效率。該公司的PowiGaN電晶體具有較低的COSS,因此可以達到94%以上的效率,進而在熱帶市場實現低損壞率。
PowiGaN技術以良好效率著稱,不僅在線電壓和整個負載範圍內的效率高達94%,而且非常堅固耐用,使其能夠在主電源電壓經常不穩定的區域,強力抵抗線電壓突波和線電壓上升。這項特點讓OEM可以應用在全球使用的單一電源供應器設計。新零件的應用範圍包括USB PD和用於行動裝置的高電流充電器/轉換器,以及機上盒、顯示器、網路和遊戲產品與家電,尤其是針對那些符合研議中歐洲能效標章法規的產品。
儒卓力推威世高功率密度N-Channel MOSFET
儒卓力(Rutronik)日前宣布供應威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET,其設計初衷是提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率,它們採用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝,可提供低於2mΩ級別中的低輸出電容(Coss)。
SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低導通電阻(RDS(ON))可以最大限度地降低傳導損耗。此外,該器件的680pF低輸出電容(Coss)和28.7nC的最佳化閘極電荷(Qg)則可減少與開關相關的功率損耗。
與採用6x5mm封裝的類似解決方案相比,TrenchFET Gen IV功率MOSFET佔用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%,進而實現更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試,符合RoHS要求且不含鹵素。
這款N-Channel MOSFET的應用包括AC/DC電源中的同步整流;針對電訊、伺服器和醫療設備的DC/ DC轉換器中的初級和次級側開關;用於伺服器和電訊設備中電壓調節的半橋功率級和降壓-升壓轉換器;電訊和伺服器電源中的OR-ing功能;用於開關電容器或開關箱轉換器的功率級;電動工具和工業設備中的電機驅動控制;以及電池管理模組中的電池保護和充電。