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英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B封裝

相較於傳統三階中點箝位拓撲,進階中點箝位(ANPC)變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200 V系列混合式SiC與IGBT功率模組新增採用ANPC拓撲 EasyPACK 2B封裝。此模組分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4晶片組的損耗甜蜜點進行最佳化,因此具有更高的功率密度及高達48 kHz的切換頻率,特別適合新一代1500 V太陽能光電和儲能應用的需求。 全新ANPC拓撲支援99%以上的系統效率。比起具有較低切換頻率的裝置,在像是1500 V太陽能串列型變頻器的DC/AC級中實作混合式Easy 2B功率模組,可實現更小的線圈。因此,其重量將遠低於採用全矽組件的相應變頻器。除此之外,使用碳化矽的損耗也小於矽的損耗,如此一來,須排放的熱減少了,也可縮小散熱器的尺寸。整體來說,可打造更精巧外型的變頻器,並節省系統成本。相較於五階拓撲,3階的設計可降低變頻器設計的複雜度。 採用Easy 2B 標準封裝的功率模組具有領先業界的低雜散電感特性。此外,CoolSiC MOSFET晶片的整合式本體二極體可確保低損耗續流功能,無須額外的SiC二極體晶片。NTC溫度感測器有助於監控裝置,PressFIT壓接技術則可縮短生產時的組裝時間。
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英飛凌旗下Easy產品系列新增Easy 3B新封裝

英飛凌旗下Easy產品系列新增Easy 3B新封裝,加上既有的Easy 1B與2B封裝,在高12mm無基板的功率模組中成為最豐富的產品組合。Easy 3B是延伸現有逆變器設計的理想平台,可以輸出更高的功率且其在機構方面不需過多的改變。同時,新的封裝承襲了該系列的多項優點,例如,對於客製化至關重要的彈性針腳網格系統。採用新封裝設計的首款模組是400 A三階ANPC(先進中點箝位)裝置,適用於1500 V太陽能逆變器。Easy 3B封裝將於PCIM 2019中展出。 在公用電力的太陽能設備中,1500 V逆變器逐漸普及。2018年該電壓等級的全球出貨總量為32.7 GW(太陽能發電廠的輸出功率),未來五年的預期年複合成長率將達20.6%。為因應此持續成長的市場,新款產品採用最新IGBT技術,阻斷電壓為950 V。Easy 3B封裝的尺寸為110 mm x 62 mm,比Easy 2B封裝大2.5倍。此模組可提供高效率的逆變器設計,最高可達150 kW額定功率,以及500 W/公升以上的功率密度。 英飛凌計劃開發完整的TRENCHSTOP IGBT7 Easy 3B產品系列,滿足工業變頻器市場的需求。這將擴展基於Easy模組的驅動器產品組合,涵蓋更高的額定電流。由於這也是如電動車充電器與能源儲存系統等新興應用的理想平台,英飛凌也將為這些應用開發產品。另一方面,由於充電與儲存皆須仰賴高效率,英飛凌採用最新碳化矽晶片技術的CoolSiC MOSFET也將推出Easy 3B封裝。
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