AEC-Q101
大量導入消費性應用 GaN喜迎高度成長契機
半導體完全依靠電來驅動,隨著應用的不斷擴展,元件複雜度與功能持續提升,電力電子要求強化系統能源效率、縮小體積等。然而,目前矽(Si)材料已逐漸接近性能極限,難以滿足新興應用、產品越來越高效的電力需求。氮化鎵(GaN)具有高開關速度、低損耗、小體積等優點,可以有效提升系統效率,並解決元件散熱問題。
近年來,GaN已開始加速導入至各應用市場當中,市場普及率亦逐漸提升。包括伺服器電源、電動車(EV)以及消費性電子產品的快速充電將是驅動GaN高度成長的關鍵市場。因此更多廠商看好GaN的產業潛力,也將加速技術的改善,包括更高效率、低成本的架構可以在整體競爭的態勢底下,吸引更多應用導入,帶給消費者更多、更好的產品。
GaN正進入消費性應用市場
雲端資料中心近年業務不斷成長,伺服器用電負擔高,希望能有效提升電源轉換效率,像是Google、亞馬遜(Amazon)、微軟(Microsoft)等系統業者,過往都是採用12V的電源架構,如今為了要提升電源使用效率,皆紛紛轉往48V電源設計架構,此時具備高開關速度、低損耗特性的GaN,便成為首要選擇。Transphorm亞洲區銷售副總裁Kenny Yim指出,汽車業也計畫導入48V電源供應系統,GaN元件要導入汽車產業,必須先通過AEC-Q101的汽車電子零組件可靠度驗證。
產業研究機構Yole Développementt(Yole)表示,與矽元件相較GaN是新興的材料,商用化的十多年來,是由高階高性能的應用推動,可提供高頻開關、低導通電阻和較小封裝尺寸,但在2019年,GaN已順利打入消費性應用領域,中國手機廠Oppo宣布在其新Reno Ace旗艦手機搭配的65W快充充電器中採用GaN HEMT元件。這是GaN功率元件首次進入智慧手機市場,而且有可能真正改變GaN產業發展。
而在車用市場,不僅是Transphorm,EPC也獲得AEC認證,而GaN Systems已獲得BMW i Ventures投資,預期在2020年獲得認證。Yole認為,GaN也可望打入工業和電信供電應用領域,包括資料通訊、基地台、UPS和工業雷射雷達應用。Yole預測,受消費型快充應用的驅動,GaN功率元件從2018~2024年,年複合成長率(CAGR)將高達85%,2024年產業規模將達到3.5億美元。
創新架構實現大電流直接驅動
GaN逐步顯現產業應用商機,吸引更多廠商投入,從製程生產的角度來看,Transphorm台灣區總經理王珈雯提到,目前GaN晶圓製造分為三個陣營,台積電、Panasonic與Transphorm,許多沒有晶圓廠的廠商都是委託台積電代工,再找封裝或模組夥伴合作。而Panasonic是與英飛凌(Infineon)合作生產GaN晶圓;Tranphorm則是唯一一家從晶圓製造、封裝、模組都自行完成的廠商,可以充分掌握元件電路設計特性,目前使用6吋晶圓,8吋晶圓預計2020年底完成驗證,2021年正式投片。
從技術架構來看,Transphorm 採用的是創新的Cascade架構(圖1),Yim解釋,該公司的架構是在氮化鋁鎵(AlGaN)層上又加了一個介電質(Dielectric);另一種e-mode架構則是在氮化鋁鎵層上加上了P-Gate,最主要的差異(圖2)在於e-Mode GaN需要配合驅動晶片,而該公司的Cascade架構則不需要驅動晶片,可以直接驅動,驅動電流也更大。
圖1 GaN元件Cascade與e-mode架構差異
圖2 GaN元件Cascade與e-mode架構各項技術優劣
目前,杭州中恆電氣(HZZH)已開發出一種基於GaN的高效功率模組,3kW ZHR483KS採用Transphorm的GaN元件,效率達到98%。該模組的輸入電壓範圍為85伏至264伏,而其輸出電壓範圍為42伏至58伏。Transphorm的TPH3205WS-GaN元件用於交錯無橋圖騰柱(Totem Pole)PFC,降低了功率模組的開關損耗和驅動損耗,因此ZHR483KS的性能優於以前使用Super Junction MOSFET的模組。
Yim說明,Transphorm在開發每一代GaN平台時都考慮了四個關鍵因素:可靠性、可驅動性、可設計性和可重複性。在連續導通模式(CCM)升壓PFC拓撲中,在200KHz和120Vac輸入的條件下,該公司Cascade GaN較超接面Si提升近1%的效率,隨著頻率的升高,GaN的優勢更為明顯。
PI推出汽車級200V Qspeed二極體
Power Integrations(PI)宣布推出符合AEC-Q101汽車要求的200V Qspeed二極體LQ10N200CQ和LQ20N200CQ。Qspeed矽二極體採用混合PIN技術,以獨特方式在緩切換與低反向恢復充電(Qrr)之間實現平衡,由此降低了EMI並減少了輸出雜訊,這對於車載音訊系統而言尤為重要。
符合要求的全新200 V二極體具有業界最低的反向恢復充電(TJ為125°C時通常為32.4 nC),且二極體緩恢復比率為0.39。這將通常用於D級功率放大器輸出級的蕭特基整流器中固有的高頻率EMI降至最低。兩個10A和20A共陰極二極體放置在業界標準的堅固耐用型DPAK TO-252封裝中。
Power Integrations產品行銷經理Edward Ong表示,汽車音訊業一直在尋求替代蕭特基二極體的方法,這些二極體的「瞬間」反向恢復會導致振盪,從而在敏感型 D 級放大器中產生 EMI 和雜訊。我們的汽車級200V QSpeed二極體是適合車載音訊放大應用的完美解決方案。
LQ10N200CQ和LQ20N200CQ二極體在經過IATF 16949認證的工廠中生產。裝置現已上市;LQ10N200CQ和LQ20N200CQ的單價分別為0.60和0.74美元,每次訂購數量為10,000件。
ROHM開發車電超小型MOSFET RV4xxx系列
半導體製造商ROHM研發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx 系列」,該系列產品可確保零件安裝後的可靠性,且符合車電產品可靠性標準 AEC-Q101,是確保車規級品質的高可靠性產品。此外,該系列採用了ROHM 獨創的封裝加工技術,非常有助於先進駕駛輔助系統(ADAS)相機模組等高品質車電元件的小型化。
近年來,在ADAS領域中所不可或缺的車電相機,因受到安裝空間的限制,對所配置零件的小型化要求越來越高。為滿足這些市場需求,在保持大電流的前提下,可進一步實現小型化的底部電極封裝MOSFET 因而備受矚目。
另一方面,為確保車電產品的可靠性,會在產品安裝後進行外觀檢測,但由於底部電極封裝在側面沒有充分形成穩定的焊接面,因此無法確保車電元件所需要的焊料高度,也很難確認安裝後的焊接狀態,這種情形已是長久以來存在的問題。
ROHM 一直領先業界致力於超小型MOSFET的產品研發,並創造了許多傲人佳績。本次透過ROHM獨創製程的Wettable Flank成型技術,在底面電極封裝也能形成焊接面,實現了業界首創保證封裝側面電極部分具 130μm 高度,因此可在產品安裝後的外觀檢測中充分確認焊接狀態。
利用ROHM獨創製程的Wettable Flank 成型技術,保證封裝側面電極部分具130μm 高度,Wettable Flank 成型技術是在封裝側面的引線框架部加入切割再進行電鍍的技術。然而,引線框架切割高度越高越容易產生毛邊。
為此ROHM 研發出獨創製程,在引線框架整個表面上設定了用來減少毛邊的障壁層,可以防止產品安裝時出現傾斜和焊接不良,在DFN1616 封裝產品(1.6mm×1.6mm)中,成為業界首家可保證封裝側面電極部分具有130μm 高度。
傳統ADAS 相機模組的反接保護電路主要採用蕭特基二極體(SBD)。但是,隨著相機解析度日益提高,在邁向超大電流化方向發展的車電市場,由於小型底部電極MOSFET 具有導通電阻低且可減少發熱量的特點,取代SBD 已經是大勢所趨。
例如電流2.0A、功耗0.6W 時,在車電市場被廣為使用的帶引線封裝MOSFET,與SBD 相比可減少30%的安裝面積。而底部電極封裝的MOSFET,由於散熱性更佳,不僅可實現小型化,還可實現大電流化,因此與傳統的SBD 相比,安裝面積可減少78%,與普通的MOSFET 相比,安裝面積可減少68%。
ROHM推出SCT3xxxxxHR 系列支援可靠性標準AEC-Q101
半導體製造商羅姆(ROHM)針對車電充電器和DC/DC轉換器新推出SiC MOSFET「SCT3xxxxxHR 系列」共10個機型,該系列產品支援汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101,且產品系列豐富,擁有業界最多共13個機型。
ROHM於2010年領先全球成功量產了SiC MOSFET,在SiC功率元件領域,ROHM始終不斷推動先端產品研發和構建量產體制。在需求不斷擴大的車電市場,ROHM在早期就已經確立高品質車電產品基準,並於2012年開始供應用於車用充電器的SiC蕭特基二極體(SBD),2017年也開始供應車用充電器和DC/DC轉換器用的SiC MOSFET。
近年來,隨著環保意識的提高和燃油價格的飆升,電動車的市場需求不斷增加。另一方面,雖然電動車(EV)日漸普及,然而續航距離短始終是急需解決的課題之一。為了延長續航距離,電池的容量呈現日益增加的趨勢,同時還要求縮短充電時間。然而,要實現這些目標,就需要更高輸出且更高效率的車用充電器(11kW、22kW等),因此業界採用SiC MOSFET的應用也越來越多。另外,以歐洲為中心,電池電壓也呈現日漸增高趨勢(800V),這時就需要更高耐壓且更低損耗的功率元件。
為了滿足這些市場需求,ROHM 一直在加強滿足汽車電子產品可靠性標準 AEC-Q101 的產品系列,加上此次新增的產品,ROHM實施量產的SiC SBD和SiC MOSFET已達到34個機型,擁有領先業界的傲人產品陣容。在SiC MOSFET 領域,擁有650V、1200V耐壓的產品系列,可為客戶提供先進的解決方案。