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長江存儲3D NAND技術迎頭趕上 推128層快閃記憶體

日前長江存儲推出128層QLC 3D NAND快閃記憶體,並已通過多家控制器廠商SSD等終端產品認證。此次同時發布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格NAND晶片X2-9060,以滿足不同應用場景的需求。此128層快閃記憶體系列產品使用Xtacking 2.0架構,優化3D NAND控制電路與儲存單元且提升I/O讀寫性能。 圖 長江存儲推出128層QLC 3D NAND Flash快閃記憶體,以及TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體。來源:長江存儲 截至今年一月,國際記憶體廠商SK海力士及美光皆已推出128層3D NAND Flash,而三星(Samsung)、威騰電子(Western Digital)及鎧俠(Kioxia,原東芝)、長江存儲也都曾在2019年發布128層3D NAND的生產計畫。其中長江存儲位於中國的工廠現已復工,並推出128層QLC 3D NAND Flash快閃記憶體,以及TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體,容量分別為1.33Tb與512Gb。 該記憶體所使用的Xtacking 架構,可優化3D NAND的控制電路和儲存單元,在64層TLC產品的儲存密度、I/O性能及可靠性上已有良好表現,而128層的快閃記憶體產品則基於升級後的Xtacking...
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因應先進製程需求 科磊量測系統搭載新技術

晶片製程隨著市場所需的功能增加而變得越趨複雜,製造過程仰賴量測系統來控制晶片製作的品質與成本。為了提升晶片製程的產量與良率,製程設備供應商科磊(KLA)推出採用圖像技術的Archer 750疊對量測系統,與針對晶片製造的SpectraShape 11k光學關鍵尺寸(Critical Dimension, CD)量測系統,分別用以確認晶片製作時每一層的正確對準,以及監控立體結構的形狀符合規格。 科磊(KLA)推出採用圖像技術的Archer 750疊對量測系統,與針對晶片製造的SpectraShape 11k光學關鍵尺寸(critical dimension, CD)量測系統。圖片來源:科磊 Archer 750疊對量測系統可生成準確的疊對誤差測量結果並兼顧產量,達到過去僅能透過散射測量技術的疊對系統生產的數量,藉由精準且及時的回饋,協助微影工程師識別製程偏差並改善整體圖案的完整性,同時達到加快生產與良率提升的效果,穩定生產先進邏輯(Advanced Logic)、DRAM及3D NAND裝置。 而SpectraShape 11k 則監控3D結構的形狀,確保電晶體與記憶晶格(Memory Cell)等符合規格。此外,SpectraShape 11k CD與尺寸形狀量測系統結合靈敏度與生產效率,不只可量測多種材料、結構與晶片形狀,還能夠高速測量先進邏輯、DRAM及3D NAND裝置,達成快速識別製程問題並嚴格監控制程的目標。 在5G、AI、數據中心及邊緣運算的高規格記憶體與邏輯晶片需求之下,量測系統技術的進展,增加晶圓廠對製程的控制程度,有助於製程複雜的晶片維持品質。
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SEMI:2020年國際晶圓廠設備支出再創新高達580億美元

SEMI(國際半導體產業協會)公布2019年全球晶圓廠預測報告,經歷上半年衰退態勢後,在下半年因記憶體投資激增所挾帶的優勢,預估2019年全球晶圓廠設備支出將上修至566億美元。報告指出,2018年至2019年,晶圓廠設備投資僅下滑7%,相較於先前所預測降幅18%獲得顯著改善。 SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示,晶圓廠設備支出成長主要來自於先進的邏輯晶片製造與晶圓代工業者對於記憶體,尤其是3D NAND的投資挹注持續成長。SEMI同時修正2020年晶圓設備投資預測,總金額上修至580億美元,整體市場轉趨樂觀。 由圖黃色趨勢線可見,記憶體設備支出力道是扭轉全球晶圓廠設備支出放緩趨勢的關鍵。整體設備支出分別在2018下半年及2019上半年下降10%及12%,其中下滑主因便來自全球記憶體設備支出萎縮。在2019上半年記憶體設備投資下滑幅度達38%,降至100億美元的水平之下;其中又以3D NAND的設備投資下滑幅度最為慘烈,衰退57%;DRAM的設備投資也在2018下半年及2019上半年分別下滑各12%。 在台積電與英特爾(Intel)的引領下,先進邏輯晶片製造與晶圓代工業者的投資預計在2019下半年攀升26%,而同一時期3D NAND支出則將大幅成長逾70%。儘管今年上半年對於DRAM的投資仍持續下降,但自7月份以來的下降幅度已較和緩。 報告進一步顯示,2020上半年,受到索尼(Sony)建廠計畫的帶動,影像感測器投資預期將成長20%,下半年增幅更將超過90%,達16億美元高峰;另外,由於英飛凌(Infineon)、意法半導體(ST Microelectronics)和博世(Bosch)皆發表相關投資計畫,電源管理元件的投資預計大幅成長40%以上,下半年將維持成長態勢,再度上升29%,金額上看近17億美元。  
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聯華林德攜手宇川精密材料開發半導體材料

聯華氣體工業(聯華林德)宣布將與半導體物質供應商宇川精密材料(PentaPro Materials)合作,預計未來兩年投資總計新台幣九千萬元,於台南廠區共同開發三甲矽烷基胺(Trisilylamine, TSA)生產設備及產線,預計每年生產產能可達3.6噸,計畫於2020年第三季投產。 雙方正式宣布合作後,聯華林德總經理唐靜洲先生表示,宣布這項新投資是該公司對在地生產特殊氣體承諾持續實踐。伴隨聯華林德Spectra EM產品組合,此投資更能穩定供應台灣、中國及亞洲的電子業客戶需求。 新型TSA生產設備將採用尖端製程,並搭配良好安全及分析基礎設施。考量供應鏈應變計畫,生產廠區策略性地選在對TSA需求與日俱增的亞洲市場。 TSA主要用於邏輯技術節點及3D NAND位元線主要氧化物填充,使用FCVD機台將矽電介質沉積至淺溝槽隔離技術(STI)中。由於3D NAND在存儲層中的堆疊層成長,從而增加存儲孔高度,因此TSA使用正在成長。 聯華林德和宇川精密科技結合雙方在化學、製程技術及分析總計超過三十年經驗,攜手開發TSA並預計於2020年第三季量產。聯華林德將代理此產品銷售,將其納入Spectra EM品牌系列,從亞洲市場出發,陸續為全球半導體產業客戶提供服務。
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宜鼎新一代快閃記憶體3TS5-P首推高階儲存

宜鼎國際將推出針對高階市場應用的儲存方案3TS5-P ,採用3D NAND TLC,並符合JESD219負載標準,特別針對高速讀寫和長時間運作進行耐用測試,並優化硬體與韌體設計,平均故障間隔時間(MTBF)高於業界標準,為巨量數據用戶與高階應用提供更耐久的讀寫負荷需求。此外,最新的3D NAND TLC SSD系列支援各種外型規格,並特別設計動態溫控調節功能,可使硬碟維持完美運行,不僅提供高效存取速度,更讓系統平穩無虞。 宜鼎最新的3D NAND TLC SSD系列3TS5-P,將快閃記憶體尖端技術帶入工業級市場,採用最高階元件,並提供超越工業規格的寫入表現,同時配置大容量規格,因此特別適用於大量寫入需求的市場應用,如各種監控等設備中。看好未來數據資料保存與傳輸將成為AIoT時代的核心基礎,新一代3TS5-P SSD提供每日2次全碟寫入的資料長度(DWPD=2);此外,新品符合企業級儲存標準,且具備更輕巧的外觀造型、高容量儲存能力、免除機械干擾,並強化系統風流散熱,以及改善電力使用耗能,因此特別適合需要高讀寫速度、低功耗、高負載,且維持長時間的穩定運作的作業環境。 新一代SSD 3TS5-P備有多種主流規格,並且提供更低的數據延遲和節能功耗,適合常態性的每日連續寫入工作,而宜鼎透過最先進的節能機制,提供更高的寫入性能和硬體加密(AES)技術,在1TB資料容量的測試中,平均讀寫的延遲大幅降低,因此在需求較大的工業應用上,宜鼎最新產品將能帶來快速且穩定的超凡表現。
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2019全球晶圓廠支出下滑 2020將再創新高

國際半導體產業協會(SEMI)旗下產業研究與統計事業群(Industry & Statistics Group)所發表的2019年第一季全球晶圓廠預測(World Fab Forecast)報告指出,2019全球晶圓廠設備支出預期將下滑14%至$530億美元,但2020年將強勁復甦27%達$670億美元,並締造新高紀綠。受到記憶體產業衰退影響,已連續三年成長的晶圓廠設備支出榮景即將在2019年告一段落。 過去兩年間,記憶體占年度所有設備支出比重約為55%,2019年這個數字預期將下探45%,但2020年會再回升到55%。由於記憶體占整體支出比重極高,記憶體市場任何波動都會影響整體設備支出。根據統計圖顯示,2018年下半年起每半年市場都有所變動,估計未來也是如此。 檢視每半年的晶圓廠設備支出趨勢圖後可以看出,由於2018下半年起記憶體庫存的增加以及終端需求疲軟,導致2018下半年DRAM和NAND(3D NAND)相關支出開始修正,進而拖累記憶體支出下滑14%。這股下滑趨勢將延續到2019年上半年,屆時記憶體支出將下滑36%,但預計到下半年相關支出可望反彈35%。儘管2019年下半市場可望鹹魚翻身,報告認為2019年全年記憶體支出仍將較2018年下滑30%。 晶圓代工是晶圓廠設備支出的第二大項目,過去兩年間,每年占整體支出比重約在25%到30%之間。SEMI預期2019和2020年的比重將持穩在30%左右。 雖然晶圓代工設備支出的波動程度通常小於記憶體部門,面對市場變化還是無法完全免疫。舉例來說,記憶體部門開始衰退之後,2018年下半晶圓代工設備支出也比上半年下滑13%。  
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貿澤為行動擴增實境/物聯網提供高效率儲存

貿澤電子(Mouser Electronics)近日開始供應SanDisk的iNAND 8521嵌入式快閃磁碟機(EFD)。iNAND 8521 EFD以3D NAND技術打造而成,採用快速的UFS2.1介面,具有優異的讀寫效能表現,能為需要最高資料密度的行動裝置和輕薄型運算裝置提供儲存解決方案。   貿澤電子供應的SanDisk iNAND 8521 EFD是尺寸為11.5×13×1.0 mm外型尺寸的儲存解決方案,採用SanDisk最新的3D NAND技術製成。EFD使用高速的UFS 2.1 Gear 3雙通道介面,能為高需求的資料導向應用裝置提供節能效率與隨插即用整合。本磁碟機擁有出色的寫入效能,高達每秒500MB(MBps)的循序寫入速度,和45K IOPs(每秒輸入/輸出運作次數)的隨機寫入速度,可執行高速的檔案傳輸與內容下載。裝置具備最佳化的控制器架構,擁有強化的讀取效能,提供800 MBps循序讀取速度和50K IOPS隨機讀取速度,可快速啟動系統及開啟應用程式。   SanDisk iNAND 8521 EFD外型小巧,提供從32GB到256GB的容量,能為資料導向應用提供擴充性與設計彈性,使用在包括擴增實境(AR)、高解析影片擷取、豐富的社群媒體體驗、人工智慧(AI)和物聯網(IoT)邊緣裝置上。
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布局QLC 3D NAND市場 三星/WD相繼出招

瞄準3D NAND市場商機,NAND Flash廠相繼於於2018下半年推出QLC架構的3D NAND Flash。除了英特爾(Intel)與美光科技(Micron)於日前宣布,雙方聯手開發的4bits/cell(QLC)3D NAND快閃記憶體開始投產與出貨外;近期三星(Samsung)與Western Digital也相繼發表QLC 3D NAND Flash布局計畫。三星將開始量產款首款搭載QLC快閃記憶體的消費性SSD,而Western Digital則宣布已成功開發出第二代4-bits-per-cell 3D NAND架構,目前已開始送樣,預計今年量產出貨,並於旗下SanDisk品牌之消費性產品率先使用。 三星電子記憶體銷售和市場營銷執行副總裁Jaesoo Han表示,隨著該公司將產品陣容擴展到消費性電子市場和企業市場後,4-bits SSD產品將會迅速普及,擴展到任何市場。 三星指出,4-Bit QLC快閃記憶體能夠讓SSD達到540MB/s的持續讀取速度,以及520MB/s的持續寫入速度;且QLC架構的快閃記憶體可以讓這些SSD產品從 1TB起步,最高達到4TB的容量。目前已開始量產的消費級SSD,一共有1TB、2TB和4TB三種規格。 另一方面,Western Digital則宣布已成功開發第二代96層的BiCS4 3D NAND Flash。透過專為96層BiCS4產品導入的QLC技術,已成功使單顆粒3D NAND的儲存容量高達1.33 Tb(Terabits)。 Western Digital矽晶片技術與製造部門執行副總裁Siva Sivaram指出,透過Western...
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