28nm
智原於聯電製程推28G SerDes IP解決方案
聯華電子(UMC)日前表示,智原科技(Faraday)的28Gbps可編程SerDes PHY現已可在聯電的28奈米HPC製程平台上選用。聯電的28HPC製程有利於高速介面設計的需求,因此採用該28奈米28G SerDes可以大幅縮短晶片設計週期,將有助帶動100G高速乙太網路、PCIe 4.0、5G與多數xPON光纖網路基礎設施的發展。
智原科技研發處長Andrew Chao表示,28G SerDes PHY是現代工業和網路系統的關鍵元件。藉由聯電28HPC製程技術,客戶可以獲得良好的系統性能和成本效益,以及聯電和智原的全面技術支援。期待在不久的將來能夠協助客戶進行更多的有線和無線網通系統開發工作。
該SerDes解決方案具有可編程架構,並符合CEI-25G-LR規範,可於長距離電纜上支援高達25Gbps的數據傳輸速率。另外也支援25G/100G乙太網路、PCIe Gen1-4和JESD204B/C等多項主流介面規格。此IP也是支援xPON應用的28G SerDes解決方案。
聯電矽智財研發暨設計支援處林子惠處長也表示,隨著智原28G SerDes PHY的成功開發,讓客戶在該公司具有競爭力的28奈米平台上,得以擴展他們在高增長數據通訊應用中的機會。藉由聯電經驗證的28HPC製程技術、堅實的28奈米製造能力和豐富的設計支援,我們為採用智原的SerDes IP之晶片設計人員創建了精簡而穩健的量產途徑。
力旺搶攻OLED市場 矽智財導入聯電28奈米HV製程
聯華電子日前表示,力旺電子一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse已成功導入聯電28奈米高壓(HV)製程,強攻有機發光二極體(OLED)市場,關鍵客戶已經完成設計定案(Tape Out)並準備量產。
力旺業務發展中心副總何明洲表示,繼之前與聯電合作的各高壓製程平台布建力旺的各式解決方案,很開心可與聯電進一步在28奈米高壓製程合作,因應OLED市場需求。
高階手機配備OLED顯示器已然成為趨勢,對小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)效能要求亦更高,這樣的需求也顯示在製程平台的選擇上,OLED關鍵客戶逐漸從55奈米或40奈米往更先進的28奈米高壓製程靠攏。
28奈米高壓製程可使高效能顯示器引擎的複雜運算能力發揮最大功能,提供OLED顯示器驅動晶片更快的資料存取速度,更高容量的靜態隨機存取記憶體(SRAM)及更好的功耗,同時達到高畫質與省電的的目的。
聯電在2019年的小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)量產晶圓出貨量為全球之冠,其28奈米後閘式(Gate-Last)HKMG製程具備優越管理漏電功耗與動態功率表現,可以提升行動裝置的電池壽命,以此為基礎,其28奈米高壓製程提供尺寸小的靜態隨機存取記憶體(SRAM)記憶單位(Bit-cell)以減少晶片整體面積。