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長江存儲3D NAND技術迎頭趕上 推128層快閃記憶體

日前長江存儲推出128層QLC 3D NAND快閃記憶體,並已通過多家控制器廠商SSD等終端產品認證。此次同時發布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格NAND晶片X2-9060,以滿足不同應用場景的需求。此128層快閃記憶體系列產品使用Xtacking 2.0架構,優化3D NAND控制電路與儲存單元且提升I/O讀寫性能。 圖 長江存儲推出128層QLC 3D NAND Flash快閃記憶體,以及TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體。來源:長江存儲 截至今年一月,國際記憶體廠商SK海力士及美光皆已推出128層3D NAND Flash,而三星(Samsung)、威騰電子(Western Digital)及鎧俠(Kioxia,原東芝)、長江存儲也都曾在2019年發布128層3D NAND的生產計畫。其中長江存儲位於中國的工廠現已復工,並推出128層QLC 3D NAND Flash快閃記憶體,以及TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體,容量分別為1.33Tb與512Gb。 該記憶體所使用的Xtacking 架構,可優化3D NAND的控制電路和儲存單元,在64層TLC產品的儲存密度、I/O性能及可靠性上已有良好表現,而128層的快閃記憶體產品則基於升級後的Xtacking...
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