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專訪英飛凌電源及多元電子事業處資深產品行銷經理鄧巍CoolGaN大幅提升電源工作效率

根據市場調查機構Yole Développemen研究顯示,2016年氮化鎵(GaN)功率元件產業規模約為1,200萬美元,而到了2022年,該市場將成長到4.6億美元,年複合成長率高達79%。 對此,英飛凌電源及多元電子事業處資深產品行銷經理鄧巍表示,GaN市場成長十分強勢,其市場產值從千萬美元不停攀升,甚至十年後可能達到10億美元的產值;而主要驅動力來自於電源和汽車產業。 因應電源產業對GaN需求明顯增加,英飛凌也於近期宣布推出CoolGaN 600V增強型HEMT和EiceDRIVER驅動IC。新款增強型HEMT採用可靠的常閉概念,實現快速開通和關斷,並可在開關式電源(SMPS)中達到高能源效率和高功率密度;且具更低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能,大幅提高工作頻率。 鄧巍說明,GaN元件其中一項設計挑戰在於,如何將其從Normally ON設計成Normally OFF,以滿足安全考量。對此,英飛凌運用了獨特的常閉(normOFF)概念,採用P-GaN技術,把源極和漏極的電子層變薄,使其容易箝斷,因而能讓GaN元件實現Normally OFF的特性。 另一方面,為使電源產品設計業者更能發揮GaN特性,英飛凌也推出EiceDRIVER驅動IC,該系列產品可提供負輸出電壓,以快速關斷GaN開關。在開關應處於關閉狀態的整個持續時間內,EiceDRIVER IC可以使閘極電壓穩定保持為零,以保護GaN開關不受雜訊影響導致誤導通;且可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率,幾乎不受工作迴圈或開關速度影響,確保運作穩健性和高效能,大幅縮短研發週期。 英飛凌電源及多元電子事業處資深產品行銷經理鄧巍表示,GaN市場成長快速,為此,該公司推出新一代GaN解決方案。  
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