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降壓轉換器

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ADI雙通道同步降壓轉換器支援疊加輸出電流配置

亞德諾半導體(ADI)日前針對汽車、通訊和固態硬碟電源推出LT8650S、LT8652S和LT8653S雙通道4A/8.5A/2A同步降壓Silent Switcher轉換器。元件採用專有Silent Switcher 2架構,具有擴頻調變功能,可確保PCB布局穩定可靠以實現較低EMI,輕鬆滿足CISPR25標準。 下載資料手冊、申請樣品及訂購評估板請瀏覽:  www.analog.com/LT8650S www.analog.com/LT8652S www.analog.com/LT8653S 透過線上技術支援社區EngineerZone聯繫工程師和ADI產品專家:ez.analog.com/power 點擊觀看Silent Switcher 2影片:  www.analog.com/education-library/videos/5766619334001.html 查看ADI Silent Switcher解決方案之應用筆記及技術文章:  www.analog.com/products/landing-pages/001/silent-switcher.html LT8650S、LT8652S和LT8653S支援疊加式輸出配置,可滿足大電流應用而具備獨特優勢。 輸出可根據系統需要進行並聯配置以提升或降低輸出電流,同時優化熱性能。因而有助於將庫存降至最低及縮短單一元件的品質驗證時間。例如,LT8652S支援每通道同時提供8.5A DC或任一通道提供最高12A,將兩個LT8652S晶片同步則可實現4相34A電源。 LT8650S/LT8652S/LT8653S 主要特性包含採用Silent Switcher 2技術,整合旁路電容,可滿足CISPR25標準要求;低靜態電流Burst Mode,支援輕負載運作;單通道最高提供12A(LT8652S);頻率可調、可同步(300kHz至3MHz)。
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Diodes推車規降壓LED驅動器改善照明系統

Diodes日前宣布推出AL8843Q與AL8862Q兩款符合汽車規格的直流對直流(DC-DC)降壓轉換器,適用於驅動汽車內外部單一的LED或多重LED燈條。產品應用包含目前許多製造商已設為標準配備的日行燈(DRL),亦包含霧燈、方向燈、煞車/停止燈。 AL8843Q與AL8862Q的供應電壓皆從4.5V到至少40V(AL8862Q達55V),可承受相當嚴重的電壓變動,例如怠速啟動或熄火/啟動操作時的負載突降,不會產生對應的LED驅動器電流衰減問題。 高整合度不僅帶來高效能,亦減少物料清單。兩款皆內建功率MOSFET:AL8843Q為40V/0.2Ω,AL8862Q為55V/0.4Ω。此外,驅動器具備遲滯模式降壓LED驅動器控制器,簡化回饋迴路,工程師得以只運用四個外部元件,設計出高度穩定的降壓轉換器。 兩款產品功能不同,AL8843Q輸入電壓範圍為4.5V至40V,提供3A的輸出電流,AL8862Q輸入電壓範圍則為5V至55V,提供高達1A的輸出電流。不過,兩款皆支援0%至100%全範圍PWM調光,可以0.4V至2.5V之間的類比輸入來控制,或以外部微控制器或主機處理器產生的PWM訊號來控制。安全功能包含過熱保護以及LED短路與開路防護機制。AL8862Q配置開路式故障指示器腳位,判定過低時將回報故障狀況。 採用SO-8EP封裝的AL8843Q與AL8862Q符合AEC-Q100 Grade1等級規範,支援PPAP文件,並由IATF16949認證的設施製造。
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貿澤供貨安森美Strata開發平台及相關開發板

貿澤(Mouser Electronics)宣布開始供應安森美半導體(ON Semiconductor)的Strata Developer Studio和相關開發板。Strata Developer Studio是安全且能連線至雲端的開發平台,其能快速簡便搭配安森美的評估板和參考設計套件運作,提供工程師開始評估或設計時所需要的設計資訊。 安森美半導體Strata Developer Studio提供開發板的使用者介面,可直接控制組態參數,並提供開發板功能的視覺回饋。此外,Strata還能直接將所有最新的說明文件、產品資訊、設計和應用說明以及參考設計檔案下載至桌上型電腦。 只需將支援Strata電路板連接至主機電腦,Strata Developer Studio便能自動識別。支援Strata的現有電路板包括USB Type-C和PD板、多功能邏輯閘解決方案、LED驅動器,以及功率裝置,像是低壓差(LDO)穩壓器、DC/DC穩壓器和自適應即時(AOT)降壓轉換器。平台可在未連線下作業,在可能無法取得Wi-Fi的實驗室環境下使用;連接至雲端後,Strata環境便能自動執行無線更新,確保資料皆為最新版本,且每當有變更時還會通知開發人員。 Strata Developer Studio以通過Microsoft簽署的應用程式提供,連接至公司的軟體即服務(SaaS)平台。其使用經加密且相容於歐盟《一般資料保護規範》(GDPR)的資料庫,提供安全驗證、資料傳輸和完整資訊內含。所有資訊和安全性皆符合美國國家標準暨技術研究院(NIST)的網路安全準則。
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採用額外肖特基二極體 有效減少電壓干擾

在負載點(POL)降壓轉換器領域,同步變化的高側和低側主動開關已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想切換開關的此類電路。與使用被動肖特基二極體作為低側開關的架構相比,此類切換開關穩壓器具有多項優勢。主要優勢是電壓轉換效率更高,因為相較於採用被動二極體的情況,低側開關承載電流時的壓降更低。 圖1 用於降壓轉換、採用理想開關的同步開關穩壓器。 確保同步降壓轉換器安全 兩開關時間內須保持斷開 但是,與非同步開關穩壓器相比,同步降壓轉換器會產生更大的干擾。如果圖1中的兩個理想開關同時導通,即使時間很短,也會發生從輸入電壓對地的短路。這會損壞切換開關,因此,必須確保兩個開關永遠不會同時導通。因此,出於安全考慮,須要在一定時間內保持兩個開關都斷開。 這個時間稱為開關穩壓器的死區時間。但是,從開關節點到輸出電壓連接了一個載流電感(L1)。通過電感的電流永遠不會發生瞬間變化。電流會連續增加和減少,但它永遠不會跳變。因此,在死區時間內會產生問題。所有電流路徑在開關節點側中斷。採用圖1所示的理想開關,在死區時間內會在開關節點處產生負無窮大的電壓。在實際開關中,電壓負值將變得越來越大,直到兩個開關中的一個被擊穿並允許電流通過。 使用MOSFET作為主動開關 有效控制節點電壓 大多數切換開關穩壓器使用N通道MOSFET作為主動開關。這些開關針對上述情況具有非常有優勢的特性。除了具有本身的開關功能外,MOSFET還具有所謂的體二極體。半導體的源極和漏極之間存在一個P-N結。在圖2中,插入了具有相應P-N結的MOSFET。由此,即使在死區時間內,開關節點的電壓也不會下降到負無窮大,而是通過低側MOSFET中的P-N結(如紅色所示)承載電流,直到死區時間結束並且低側MOSFET導通為止。 圖2 用於降壓轉換的同步開關穩壓器,採用 N通道 MOSFET和額外的肖特基二極體,可最大限度地減少干擾。 相應MOSFET中的體二極體有一個主要缺點。由於反向恢復現象,其開關速度非常低。在反向恢復時間內,電感(L1)導致開關節點處的電壓下降到比地電壓低幾伏。開關節點處這些陡峭的負電壓峰值會導致干擾,此干擾會被容性耦合到其他電路段。透過插入額外的肖特基二極體可以最大限度地減少這種干擾,如圖2所示。與低側MOSFET中的體二極體不同,它不會產生反向恢復時間,並且在死區時間開始時能非常快速地吸收電流。這可減緩開關節點處的電壓陡降。可減少由於耦合效應而產生並分佈到電路上的干擾。 肖特基二極體可以設計得非常精小,因為它僅在死區時間內短時間承載電流。因此,其溫升不會過高,可以放置在小尺寸、低成本的產品外殼中 (本文作者為ADI歐洲分公司電源管理技術專家)
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