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WD/Kioxia發表BiCS5 3D NAND全面進入百層世代

自三星電子(Samsung Electronics)在2019年第二季發表其第六代V-NAND,將堆疊層數首度拉高到132層後,SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)與英特爾(Intel),均已陸續發表堆疊層數超過100層的3D NAND Flash。近日威騰(WD)與鎧俠(Kioxia)亦發表其BiCS5 NAND Flash,將堆疊層數提升到112層,正式宣告3D NAND Flash的堆疊競賽進入百層世代。 威騰與鎧俠近日宣布,兩家公司已成功開發出第五代3D NAND技術BiCS5。BiCS5採用三層單元(TLC)與四層單元(QLC)兩種架構,堆疊層數則提高到112層,能以更低成本提供更大儲存容量,效能與穩定性亦比現有的BiCS4更優異,可滿足因連網汽車、行動裝置與人工智慧而急速增長的資料量需求。 威騰與鎧俠目前已開始生產512Gb的BiCS5 TLC,並預計在2020年下半年就能開始商業化量產,供應採用新技術的消費性產品。未來,BiCS5 TLC與BiCS5 QLC將提供包括1.33Tb等多樣的儲存容量選擇。 因應BiCS5 NAND Flash顆粒進入量產,下半年威騰與鎧俠的SSD產品線應會有明顯更新。 威騰記憶體技術與製造部門資深副總裁Steve Paak博士表示,隨著下一個十年的到來,如何增加3D NAND容量以滿足龐大且快速增長的資料量需求是重要關鍵。該公司利用更先進的多層儲存通孔(Multi-tier Memory Hole)技術來增加橫向儲存密度,同時透過增加儲存層讓3D NAND技術的容量與效能顯著提升,以滿足客戶對穩定性與低成本的期望。 採用多種新技術與創新製程的BiCS5,是威騰與鎧俠目前密度最高、最先進的3D NAND技術。第二代多層儲存通孔技術、經過最佳化的工程設計流程,及其他先進的3D NAND儲存單元技術大幅提升了晶圓的橫向儲存單元陣列密度。BiCS5採用112層垂直堆疊,使每片晶圓的儲存容量比96層的BiCS4高出40%。新架構設計也為BiCS5挹注更高效能,使其I/O效能較BiCS4提高50%。 BiCS5是由威騰與鎧俠共同開發,將於日本三重縣四日市及岩手縣北上市的合資晶圓廠製造。
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調研:三星穩坐晶圓製造龍頭 前五大占全球產能53%

市場調研機構IC Insights日前發布2020至2024年全球晶圓產能預估報告,根據當前排名,三星以15%獨占鰲頭,台積電則以12.8%緊追其後。至於前五名依序為三星、台積電、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)以及鎧俠(Kioxia,原為東芝)。 全球前五大晶圓製造商的總產能超過全球總量的半數。 該機構釋出的報告揭示截至2019年12月全球25大晶圓廠的排名,其中前五大晶圓廠總產能占全球晶圓產能53%,且每月皆生產超過100萬片晶圓,相較之下2009年前五大晶圓廠僅占全球總產能36%。至於其他大廠如英特爾、聯電、格羅方德(GlobalFoundries)、德州儀器(TI)和意法半導體(ST)等則紛紛跌至前五名外。 根據統計,三星於全球擁有最大晶圓產能,每月生產超過290萬片晶圓,占全球總產能15%,其中約三分之二用於製造DRAM及NAND快閃記憶體。該公司目前著手於韓國兩處以及中國等三地建造新工廠;居於其後的全球最大晶圓代工廠台積電(TSMC),以月生產250萬片晶圓的產能占全球12.8%,並計畫持續於台中及台南各新建一座晶圓廠。 歸功於在新加坡新設12吋晶圓廠,使2019年產能提升,美光以9.4%的產能占據全球第三名,每月生產約180萬餘片晶圓。該公司還收購了位於猶他州的IM Flash合資工廠中的英特爾股份,並計畫2020年於美國維吉尼亞州建第二家晶圓廠;排名第四的SK海力士將其超過80%的產能投入DRAM和NAND快閃記憶體晶片製造,月生產180萬片晶圓,占全球總產能8.9%。該公司於2019年分別於韓國及中國新建晶圓廠,之後將持續於韓國利川開設新晶圓廠 Flash記憶體供應商鎧俠則以140萬片晶圓的產能擠進第五名,占全球總量7.2%。同時該報告亦指出,晶圓製造前五大純晶圓代工廠台積電、格羅方德、聯電、中芯國際(SMIC)和力積電均躋身全球產能前12名,以月產480萬片的總量占全球總產能的24%。
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