轉換器
EPC和Microchip在1/16磚式轉換器實現300W功率
EPC宣布推出1/16磚式、300W DC/DC穩壓器-EPC9143。其功率模組把Microchip dsPIC33CK數位訊號控制器(DSC)和最新一代eGaN FET EPC2053集成在一起,實現25A、48V/12V和96%效率的功率轉換。500kHz開關頻率在非常小的1/16磚式轉換器實現300W功率,其尺寸僅為33X22.9毫米(1.3x0.9英寸)。
可擴展的兩相設計可以增加相數,從而進一步提高功率。由於Microchip數位控制器具有高靈活性,因此允許在8V至72V範圍內調節輸入電壓,而輸出電壓在3.3V至25V範圍內。而eGaN FET和積體電路具備快速開關、小尺寸和低成本等優勢,能够以少元件數量和低成本滿足這些前沿應用對功率密度的嚴格要求。
磚式DC/DC轉換器廣泛用於資料中心、電信和汽車應用,可將48V標稱電壓轉換為12V配電匯流排輸出電壓。其中一個主要應用,是48V/12V負載點(POL)轉換器,例如用於通用PCIe卡和存儲。
EPC首席執行官Alex Lidow表示,先進的計算應用對功率轉換器的要求越來越高,我們很高興與Microchip公司合作,為客戶提供靈活的解決方案,從而為48V轉換提高效率、增加功率密度和降低系統總成本。
Microchip MCU16業務部副總裁Joe Thomsen表示,Microchip的dsPIC DSC可以進行程式設計以充分發揮氮化鎵場效應電晶體的性能。我們很榮幸與EPC公司合作, EPC的氮化鎵技術與我們的dsPIC33CK控制器相結合,使工程師能夠顯著提高功率密度,從而滿足各種先進運算和電信應用的苛刻要求。
意法推出1050V高擊穿電壓MOSFET VIPer轉換器
意法半導體(ST)推出新款VIPer26K高壓功率轉換器,其整合一個1050V耐壓N-Channel功率MOSFET,使離線電源兼具寬壓輸入與設計簡單之優勢。
VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓,無需傳統垂直堆疊FET和相關被動元件,即可帶來類似的電壓處理能力,並可採用尺寸更小的外部緩衝元件。轉換器內建漏極限流保護功能,而MOSFET則包含一個用於過溫保護的偵測FET腳位。
晶片整合了高壓啟動電路、內部誤差放大器和電流式PWM控制器,VIPER26K支援所有常見開關式電源拓撲,包括一次側或二次側穩壓隔離反激式轉換器、電阻回饋非隔離反激式轉換器、降壓轉換器和降壓/升壓轉換器。
這是市面上最高的MOSFET擊穿電壓,其結合晶片上整合的一整套功能,僅需要極少的外部電路,這些特性使設計人員能夠節省物料成本和電路板空間,同時提升電源的可靠性,例如,單相和三相智慧電表、三相工業系統、空調和LED照明電源。
新品還有很多其他優勢,例如,內部固定切換頻率60kHz,抖動±4kHz,配合MOSFET開通和關斷期間閘極電流控制功能,可最大限度地降低切換頻率雜訊輻射。高轉換效率和低於30mW的空載功耗,有助於應用達到高效能等級和嚴格的生態設計要求。
Maxim發布Buck轉換器及控制器新品
Maxim Integrated Products近日發布最新電源管理IC,提供業界最小尺寸和最高效率方案,應對下一代汽車應用的空間和電源設計挑戰。隨著數位儀表盤、無線音響系統和汽車子系統要求更高的計算能力,這些最新推出的大功率buck轉換器和多相Buck控制器可協助設計者兼顧低功耗、高效率和低EMI設計。
汽車電子系統正在變得越來越複雜,需要使用更多的電子元件,並透過更高功率的微處理器實現控制和監測功能。分析公司IHS Markit的資料顯示,到2026年,在汽車中採用更高功率的儀表盤、USB集線器、高級輔助駕駛系統(ADAS)、資訊娛樂和導航系統將推動電源管理IC實現10%的年增長率。在這一增長趨勢下,汽車需要在嚴苛的、空間受限工作環境中同時滿足功耗管理、效率、EMI和方案尺寸的需求,這給設計者帶來了諸多挑戰。
為了確保設計者實現目標,Maxim特別推出一系列汽車級IC,為管理直流電源提供多種選項,協助汽車OEM完成從20瓦處理器平臺向500瓦人工智慧平臺的過渡。Maxim最新的buck轉換器提供業界最小的方案尺寸,封裝大小僅為3.5mm×3.75mm。元件採用倒裝四方無接腳扁平(FCQFN)封裝,避免高頻開關節點振鈴,且不使用鍵合接線,進而降低了MOSFET開關的導通電阻,同時提高效率。
ROHM推1700V全SiC功率模組新品
半導體製造商ROHM針對以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業裝置用電源逆變器(Inverter)和轉換器(Converter),研發出實現業界頂級可靠性的保證額定值1700V 250A的全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」。
近年來由於SiC產品的節能效果優異,以1200V耐壓為主的SiC產品在車電和工控等領域的應用日漸廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發展,系統亦呈現高電壓化的發展趨勢,1700V耐壓產品的需求與日俱增。然而,因可靠性等因素影響,遲遲難以推出相對應的產品,所以1700V耐壓的產品一般均使用IGBT。
在這種背景下,ROHM推出了實現額定值1700V的全SiC功率模組,新產品不僅繼承了1200V耐壓產品深受好評的節能特性,還進一步提高了可靠性。
該模組通過採用新塗覆材料作為晶片的保護對策,並引進全新製程,使新模組通過了HV-H3TRB高溫高濕偏壓測試,讓1700V耐壓的產品得以成功投入到市場中。比如在高溫高濕偏壓試驗中,比較物件IGBT模組在1,000小時以內發生了引發故障的絕緣崩潰,而BSM250D17P2E004在85℃/85%的高溫高濕環境下,即使外加1360V達1,000小時以上,仍然無故障,表現出極高的可靠性。
另外,新模組中使用的是ROHM產的SiC SBD和SiC MOSFET。通過SiC SBD和SiC MOSFET的最佳配置,使導通電阻低於同等一般品10%,這將非常有助於應用裝置節能化。
Diode推整合式H橋高度可調式DC-DC轉換器
製造商與供應商Diode,近日推出搭載整合式高側與低側H橋MOSFET的AP72200高電流同步降壓/升壓DC-DC轉換器。AP72200提供最高97%效率與1%電壓調節準確度、低靜態電流及極低的輸出漣波。
AP72200採用Diodes專有的降壓/升壓電流模式控制技術,以達到優異的電壓調節與最高2A的連續輸出電流。其設計可實現在降壓與升壓操作間的無縫轉換,同時寬廣的2.3V至5.5V輸入電壓範圍可提供彈性的電源,並產生介於2.6V至5.14V間的輸出電壓。
高度整合的AP72200結合低靜態電流與寬廣輸入電壓範圍,適合用於各種可攜式應用,包括智慧型手機、平板電腦及其他電池供電的消費性裝置。
AP72200的許多功能皆可讓用戶透過業界標準I2C介面進行設定,此介面可在標準模式、快速模式、快速模式PLUS以及高速模式下運作。這些設定包括可編程輸出電壓斜升和斜降迴轉率、輸出主動式放電、過電壓保護閾值,以及過電流閾值。AP72200還可以設定以PWM或PFM模式及超音波模式運作,藉此降低切換頻率,避免在20kHz範圍內產生次諧波頻率,此頻率可能會在可聽頻率範圍內產生干擾。另外,使用I2C介面可停用降壓/升壓輸出,使主要裝置可透過標準I2C匯流排控制穩壓器的運作。透過I2C對裝置進行編程,可將輸出電壓設定在2.60V至5.14V之間,每一增量為0.02V。
整合式H橋MOSFET具有25mΩ的極低RDS(ON),以及小於1µA的關斷電流。以非切換模式運作時,靜態電流最低為20µA,在PFM模式時的典型值為29µA。連續切換模式下的切換頻率通常為2.5MHz,在超音波模式時則降至27kHz。