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羅姆小型車電MOSFET亮相 強化散熱/安裝可靠性

半導體製造商羅姆(ROHM)研發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q1011,尺寸僅為1.0mm×1.0mm的小型MOSFET「RV8C010UN」「RV8L002SN」「BSS84X」。 新產品採用ROHM獨創的Wettable Flank成型技術2,以1.0mm×1.0mm的小尺寸,確保了封裝側面電極部分的高度可達125μm。在要求高品質的車電應用上,安裝重要元件後會進行自動光學檢查(以下簡稱AOI3),打造出了非常出色的焊接可靠性。此外,通常小型化和高散熱性之間存在著取捨(Trade-off)關係,而採用底部電極結構的新封裝同時兼顧了兩者,因此非常適用於電路板有高密度需求的車電ECU和先進駕駛輔助系統(ADAS)等相關應用。 近年來,隨著汽車電子化加速,汽車中使用的電子元件和半導體元件數量也呈現增加趨勢。因此,必須要在有限的空間裡安裝更多元件,使安裝密度也能夠越來越高。例如1個車電ECU中的半導體和積層陶瓷電容的平均使用數量,預計將從2019年的186個,增加約三成至2025年的230個。為了滿足安裝密度越來越高的車電應用需求,市場對於元件體積的要求也越來越高,因此能夠兼顧小型化和高散熱性的底部電極封裝產品逐漸受到青睞。 另一方面,為了確保車電元件的可靠性,雖然安裝元件後會進行AOI,但由於底部電極封裝只在底部有電極,故無法仔細確認焊接狀態,要進行符合車電標準的AOI會有一定難度。
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ROHM開發車電超小型MOSFET RV4xxx系列

半導體製造商ROHM研發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx 系列」,該系列產品可確保零件安裝後的可靠性,且符合車電產品可靠性標準 AEC-Q101,是確保車規級品質的高可靠性產品。此外,該系列採用了ROHM 獨創的封裝加工技術,非常有助於先進駕駛輔助系統(ADAS)相機模組等高品質車電元件的小型化。 近年來,在ADAS領域中所不可或缺的車電相機,因受到安裝空間的限制,對所配置零件的小型化要求越來越高。為滿足這些市場需求,在保持大電流的前提下,可進一步實現小型化的底部電極封裝MOSFET 因而備受矚目。 另一方面,為確保車電產品的可靠性,會在產品安裝後進行外觀檢測,但由於底部電極封裝在側面沒有充分形成穩定的焊接面,因此無法確保車電元件所需要的焊料高度,也很難確認安裝後的焊接狀態,這種情形已是長久以來存在的問題。 ROHM 一直領先業界致力於超小型MOSFET的產品研發,並創造了許多傲人佳績。本次透過ROHM獨創製程的Wettable Flank成型技術,在底面電極封裝也能形成焊接面,實現了業界首創保證封裝側面電極部分具 130μm 高度,因此可在產品安裝後的外觀檢測中充分確認焊接狀態。 利用ROHM獨創製程的Wettable Flank 成型技術,保證封裝側面電極部分具130μm 高度,Wettable Flank 成型技術是在封裝側面的引線框架部加入切割再進行電鍍的技術。然而,引線框架切割高度越高越容易產生毛邊。 為此ROHM 研發出獨創製程,在引線框架整個表面上設定了用來減少毛邊的障壁層,可以防止產品安裝時出現傾斜和焊接不良,在DFN1616 封裝產品(1.6mm×1.6mm)中,成為業界首家可保證封裝側面電極部分具有130μm 高度。 傳統ADAS 相機模組的反接保護電路主要採用蕭特基二極體(SBD)。但是,隨著相機解析度日益提高,在邁向超大電流化方向發展的車電市場,由於小型底部電極MOSFET 具有導通電阻低且可減少發熱量的特點,取代SBD 已經是大勢所趨。 例如電流2.0A、功耗0.6W 時,在車電市場被廣為使用的帶引線封裝MOSFET,與SBD 相比可減少30%的安裝面積。而底部電極封裝的MOSFET,由於散熱性更佳,不僅可實現小型化,還可實現大電流化,因此與傳統的SBD 相比,安裝面積可減少78%,與普通的MOSFET 相比,安裝面積可減少68%。
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