英特格
強化先進製程技術 新材料運用蓄勢待發
物聯網、工業自動化、人工智慧、自動駕駛、5G通訊等應用對晶片性能要求越來越高,為此,除了半導體技術、架構須持續演進外,材料也是推動半導體先進製程的其中一項關鍵。為此,半導體材料供應商如英特格(Entegris) ,便致力投入先進材料測試、發展,並提供半導體生態系統一貫的解決方案,協助晶圓代工、封裝等業者因應各種挑戰。
英特格資深首席科學家鄭君飛表示,要強化晶片效能,不外乎就是從三大面向著手,分別是製程、架構和材料。製程方面就是不斷朝微縮化發展,像是從16、14奈米一直邁進到7奈米、5奈米等;而架構則是從Planar到FinFET,再轉向GAA發展。然而,當製程、架構開始遇到瓶頸(如技術、成本)而難以有效增強晶片性能時,便可從材料著手。
鄭君飛說明,簡而言之,為了迎接這些挑戰,不同時期有不同策略。在個人電腦時代仰賴微縮技術,因為裝置也越來越小;到了行動裝置時代則導入新的材料增加效能,以延續摩爾定律。到了今天這個時代,不只需要微縮技術,更仰賴3D技術以及新的架構。過程中,材料技術不斷演進,且應用的材料本質也開始改變。為此,英特格也不斷嘗試新材料於半導體製程的研發。
英特格資深首席科學家鄭君飛表示,英特格的使命是運用科學為基礎提供解決方案,協助半導體客戶在先進製程上應對各種挑戰。
像是在閘極全環(GAA)結構導入鍺(Ge)。英特格指出,在GAA結構中,可能需要用到多個堆疊的奈米線,才能在特定的體積下提供足夠的開啟電流以獲得高速效能。而鍺的電洞遷移率高於矽,因此可以提升P型金氧化半導體(PMOS)電晶體速度,有利在5奈米下的製程實現減少耗電、提升性能的目標。
除了嘗試在GAA架構導入鍺外,英特格也嘗試了將導線材料從銅轉成鈷的測試。當電晶體體積縮小,傳統的銅(Cu)導線將會到達微縮下限,特別是當製程走到10奈米以下時,銅線電阻會迅速增加;而若果改用可適用較薄阻障層的鈷(Co)金屬,則可規避掉這個問題。當鈷金屬導體體積變大,接觸電阻就會跟著變小。
鄭君飛表示,在先進半導體製程導入新材料,目前仍是在測試階段,雖說已可確認這些新材料有助於先進半導體製程發展,但仍有許多挑戰待克服,像是可靠性、如何量產、價格等。英特格未來會持續投入相關研究,運用科學為基礎提供解決方案,協助半導體客戶在先進製程上應對各種挑戰。
鄭君飛也說,在半導體先進製程中,需要新的金屬材料去提高阻抗與可靠度,當金屬材料改變時,下游製程,像是如何清洗都須要一併改變,因此,半導體製程中導入新的材料絕對不是一個簡單的過程。因此,該公司也會提供半導體生態系統一貫的解決方案,像是汙染控制、晶圓運送/儲存、化學品安全等。
先進製程發展熱潮延燒 新材料開發挑戰接踵而來
為滿足在產量、可靠度及性能方面等要求,先進製程對特用化學及新材料需求大增,對此,英特格(Entegris)副技術長Montray表示,像是在薄膜沉積(Deposition)、過濾器(Filter)和運送晶圓的晶圓傳送盒(Front Opening Unified Pod, FOUP)設計、要求都有所改變,促使半導體材料商的開發挑戰也日漸增加。
Montray指出,過往28奈米以上的製程,在進行薄膜沉積時,多使用液體化學材料;然而,隨著製程走到10奈米以下(如7、5、3奈米),不僅所使用的材料越來越稀有,也從原本的液體化學材料轉變成固體化學材料。也因此,對於材料商而言,要如何將固體化學材料氣化,並且在晶片上呈現均勻的薄膜層,而不是厚薄不平均導致晶圓良率降低,是一大挑戰。
另一方面,10奈米以下的先進製程對於雜質過濾的要求也越來越高,晶圓廠必須導入效能更強的過濾、淨化產品,才能確保半導體晶圓不受汙染,提升生產良率,也因此,過濾器的純淨度勢必得再度提升。
Montray說明,從28奈米走到7奈米,產品的金屬雜質要求須下降100倍,汙染粒子的體積也必須要縮小4倍,而隨著製程走到10奈米以下,對於潔淨度要求只會愈來愈嚴格,例如28奈米晶圓可能可以有10個污染粒子,但7奈米晶圓上只能有1個。也就是說,為因應先進製程,過濾器必須更乾淨,這也意味著材料商必須花費更多的時間設計產品,確保更高的潔淨度。
除此之外,晶圓運送盒也因先進製程而產生新的需求。Montray解釋,當晶圓擺放至晶圓運送盒當中時,不代表馬上就會運送,可能會經過一段時間待所有準備就緒後才開始運送(約2~3小時)。也因此,在這段期間內,要如何確保盒內環境對晶圓不會有所影響,便是研發晶圓運送盒時須考量的關鍵。
Montray指出,特別是採用先進製程的晶圓,其薄膜層非常薄,對氧氣十分敏感,很容易被氧化,也因此,晶圓運送盒的設計重點便在於如何實現更嚴格的「汙染控制」,也就是要有更緊密的密合度、更高的排氣、充氣效果,使晶圓在運送過程中不至於產生損壞。
總而言之,半導體持續朝向先進製程發展,連帶使得新材料開發的挑戰逐漸增加,也因此,英特格不斷提升其技術能力與業務版圖,像是在台灣技術中心引進KLA SP3晶圓檢測系統,讓該公司在台灣的晶圓檢測能力擴展至19奈米,得以自行產出晶圓缺陷的數據,以引導新產品開發及改善產品性能。