肖特基二極體
意法推薄型表面黏著包裝肖特基二極體 提升功率密度/效能
意法半導體(STMicroelectronics, ST)推出26款採用薄型SMA和SMB扁平封裝、額定電壓25-200V、額定電流1-5A的肖特基二極體。
此款二極體的厚度1.0mm,相較標準SMA和SMB封裝產品薄50%,讓設計人員能夠在提升功率密度的同時節省空間。封裝面積與標準SMA和SMB相同,可直接插入替換原來的原件。此外,相較封裝面積相同的標準解決方案,新款肖特基二極體的額定電流更高,現有採用SMC二極體的電路可以考慮改用尺寸更小的意法SMB扁平封裝元件,而採用SMB的設計則可以改用意法的SMA扁平封裝二極體。
這些新元件均採用最先進的製造技術,低正向電壓是其特性,可以為工業和消費性應用帶來優異的效能,例如,電源和輔助電源、充電器、數位招牌、遊戲機、機上盒、電動自行車、電腦周邊、伺服器、通訊板卡和5G中繼器。
意法十年產品供貨承諾確保新肖特基二極體長期供貨無憂,SMA扁平封裝分為30V/1A的STPS130AFN和STPS1L30AFN兩款產品,SMB扁平封裝則包含200V/4A的STPS4S200UFN和100V/5A的STPS5H100UFN兩款產品。所有元件均規定了雪崩特性,並提供一個適合波峰焊和回流焊的開槽引線。
採用額外肖特基二極體 有效減少電壓干擾
在負載點(POL)降壓轉換器領域,同步變化的高側和低側主動開關已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想切換開關的此類電路。與使用被動肖特基二極體作為低側開關的架構相比,此類切換開關穩壓器具有多項優勢。主要優勢是電壓轉換效率更高,因為相較於採用被動二極體的情況,低側開關承載電流時的壓降更低。
圖1 用於降壓轉換、採用理想開關的同步開關穩壓器。
確保同步降壓轉換器安全 兩開關時間內須保持斷開
但是,與非同步開關穩壓器相比,同步降壓轉換器會產生更大的干擾。如果圖1中的兩個理想開關同時導通,即使時間很短,也會發生從輸入電壓對地的短路。這會損壞切換開關,因此,必須確保兩個開關永遠不會同時導通。因此,出於安全考慮,須要在一定時間內保持兩個開關都斷開。
這個時間稱為開關穩壓器的死區時間。但是,從開關節點到輸出電壓連接了一個載流電感(L1)。通過電感的電流永遠不會發生瞬間變化。電流會連續增加和減少,但它永遠不會跳變。因此,在死區時間內會產生問題。所有電流路徑在開關節點側中斷。採用圖1所示的理想開關,在死區時間內會在開關節點處產生負無窮大的電壓。在實際開關中,電壓負值將變得越來越大,直到兩個開關中的一個被擊穿並允許電流通過。
使用MOSFET作為主動開關 有效控制節點電壓
大多數切換開關穩壓器使用N通道MOSFET作為主動開關。這些開關針對上述情況具有非常有優勢的特性。除了具有本身的開關功能外,MOSFET還具有所謂的體二極體。半導體的源極和漏極之間存在一個P-N結。在圖2中,插入了具有相應P-N結的MOSFET。由此,即使在死區時間內,開關節點的電壓也不會下降到負無窮大,而是通過低側MOSFET中的P-N結(如紅色所示)承載電流,直到死區時間結束並且低側MOSFET導通為止。
圖2 用於降壓轉換的同步開關穩壓器,採用 N通道 MOSFET和額外的肖特基二極體,可最大限度地減少干擾。
相應MOSFET中的體二極體有一個主要缺點。由於反向恢復現象,其開關速度非常低。在反向恢復時間內,電感(L1)導致開關節點處的電壓下降到比地電壓低幾伏。開關節點處這些陡峭的負電壓峰值會導致干擾,此干擾會被容性耦合到其他電路段。透過插入額外的肖特基二極體可以最大限度地減少這種干擾,如圖2所示。與低側MOSFET中的體二極體不同,它不會產生反向恢復時間,並且在死區時間開始時能非常快速地吸收電流。這可減緩開關節點處的電壓陡降。可減少由於耦合效應而產生並分佈到電路上的干擾。
肖特基二極體可以設計得非常精小,因為它僅在死區時間內短時間承載電流。因此,其溫升不會過高,可以放置在小尺寸、低成本的產品外殼中
(本文作者為ADI歐洲分公司電源管理技術專家)