- Advertisement -
首頁 標籤 碳化矽

碳化矽

- Advertisment -

英飛凌力助光寶推SMPS交換式電源供應器

數位化趨勢愈加迅速,使伺服器裝置的數量激增,連帶電源需求也不斷上揚。同時,在全球暖化的效應下,如何提升運作的能源效率成為更加重要的課題。由北美80PLUS計畫(80PLUS initiative)於2004年所制定的測量標準可用於評估及認證交換式電源供應器(SMPS)的效率。SMPS若能在定義負載條件下達到80%以上的效率,即可獲得認證。取得80PLUS認證的解決方案對於降低因數位化而日益提高的電力需求很有助益。 為符合最高效率80PLUS鈦金認證的要求,在50%負載下,115V輸入電壓需達到94%效率,另外在230V電壓下則需達到96%效率。良好的電源供應器製造商光寶科技股份有限公司透過採用英飛凌科技(Infineon)的CoolSiC MOSFET 650V,滿足此項要求。 光寶科技管理階層深信,碳化矽(SiC)已成為太陽能逆變器等應用的主流。該公司與英飛凌的合作,成功展現碳化矽技術應用在伺服器電源供應器市場亦復如是。CoolSiC技術是這項應用的最佳選擇,證明了其在系統層級上的效能和成本優勢。光寶科技的碳化矽型SMPS已超越鈦金認證所要求的96%效率。 英飛凌功率與感測器系統部門高電壓轉換產品線負責人Stefan Obersriebnig表示,數位轉型影響了人類生活的各個層面,包括政治、經濟、社會和日常生活等。而數位化的骨幹,正是散佈全球各地數百萬部的伺服器。該公司CoolSiC技術能提供最高的能源效率和前所未有的功率密度,從而大幅降低能源消耗,降低碳足跡,為業者帶來節省營運成本的財務效益。 光寶科技的高效率SMPS採用英飛凌650V,TO247-3封裝的分離式碳化矽MOSFET,其中兩個被使用於圖騰柱拓撲,安裝於功率因數校正級。此外,該設計還搭載其他的英飛凌半導體,包括CoolSiC肖特基二極體650V及不同的CoolMOS和OptiMOS功率裝置。
0

英飛凌推伺服馬達用SiC MADK評估板

馬達應用占了電力電子應用市場的主要區塊。英飛凌(Infineon)日前宣布推出 CoolSiC MOSFET 模組化應用設計套件 (MADK) 評估板,有助於縮短該相關應用的產品上市時間。EVAL-M5-IMZ120R-SIC 評估板是最高 7.5 kW 馬達的 MADK 平台系列之一員,特別針對伺服馬達應用所設計的 3 相變頻器板。英飛凌首先針對此評估板提供相關的線路圖(PDF)、零件 (Excel)、布線 (Gerber) 和零件包裝(Altium) 等詳細資料,完整套件可從公司網站下載。因此,此評估板也可作為參考設計,加快設計流程。 將碳化矽技術用於伺服馬達應用,可減少高達 80% 的半導體功率耗損,甚至可省去馬達冷卻用的風扇,進而實現零維護 (zero maintance) 目標。此外,還能簡化整合馬達與驅動器的布線,節省變頻器機櫃的體積。該評估板的推出旨在協助客戶在其開發初期完成採用 CoolSiC...
0

精簡電路設計/成本 碳化矽輔助電源驅動效率大增

實際上,碳化矽功率元件有多種優勢,包括由於溫度特性增強可提高功率密度和可靠性,可簡化電路設計以減少對外部元件的依賴,並且允許使用更小且成本更低的被動元件。筆者比較分別使用SiC和矽技術的輔助電源(圖1)反馳式轉換器的幾種設計,便可以看到如何在普通應用中發揮SiC的這些優勢。 圖1 輔助電源的位置和用途 圖片來源:羅姆 SiC具高穩定/低功耗特性 在功率半導體元件的製程中,SiC在價帶和導帶技術之間的能隙為3.2eV,這大約為普通矽的三倍。另外,其介電擊穿場強度大約為矽的10倍。這兩個特性共同賦予SiC元件優異的性能,包括更快的開關速度、更高的效率、更高的溫度穩定性以及更高的工作溫度上限。對於設備設計人員而言,這些特性有助於減少設備對散熱管理的需求,而不會損害可靠性。 SiC的擊穿場強度更高,使得MOSFET的漂移層可以薄得多,對於給定的擊穿電壓,其導通電阻RDS(ON)相對於晶片面積更低。為了在普通矽中實現高擊穿電壓,MOSFET具有更高的RDS(ON),進而導致更大的傳導損耗。SiC技術還允許較低的MOSFET閘極電荷(Qg),進而以較低的能量損耗實現更快的開關速度,同時具有低RDS(ON)和高擊穿電壓。 輔助電源設計挑戰待克服 太陽能變頻器、工業DC/DC轉換器、電池充電器等設備通常包含一個輔助電源單元,在主電源耗盡後為感測器模組和顯示器以及其他控制單元或驅動器等次系統供電(圖1)。為了簡化設計步驟,通常使用反馳式轉換器。來自次級側的反射電壓、最大關斷過衝和直流輸入電壓,使得主電源開關必須能夠承受最壞情況下的漏極和源極之間的電壓(圖2)。這些電壓的總和可能超過1300V。 圖2 分析反馳式轉換器中最壞情況的VDS 每種方法都有各自的優點和缺點,可以考慮採用多種設計方法來確保功率電晶體能夠承受在漏極和源極端子之間施加的最壞情形電壓。其中一個方法是選擇具有高擊穿電壓(例如1500V)的功率電晶體。然而,普通的矽高壓電晶體具有相對較高的導通電阻RDS(ON),因此會導致不良的傳導損耗和散熱,亦往往具有較高的閘極電荷,導致較高的驅動損耗以及較高的漏電流,特別是在高溫下。 另一種替代方法則是以串聯的方式連接一對800V矽MOSFET,這需要更複雜的閘極驅動電路,並且還需要電壓平衡電路。另外,兩個元件都需要散熱器,因此增加了占用的空間。還有一種解決方案是使用雙開關反馳式拓撲結構(圖3),但代價是電路更複雜。這需要隔離的閘極驅動器和電源來控制高端開關(圖4),並且同樣地每個元件都需要散熱器。 圖3 傳統的矽MOSFET可在雙開關反馳式轉換器中提供所需的電壓能力 圖4 輕載、中載和滿載時的MOSFET開關波形 除了上述方案,可以考慮採用具有1700V擊穿電壓和3.7A額定電流的單個SiC MOSFET元件如SCT2H12NZ,該元件結合了高擊穿電壓與低RDS(ON),其數值範圍是相近1500V矽MOSFET的二分之一到八分之一。另外,Qg和輸入電容大大降低,因此允許更高的開關頻率,進而可以使用更小的外部元件。此外,SiC能夠承受更高的工作溫度,進而降低了散熱需求。若允許單個FET反馳式電路,以最小的傳導損耗來達到所需的擊穿電壓,並且在更高的開關頻率下工作,轉而採用SiC元件,可以節省BOM成本,進而在總體上提供更經濟的解決方案。 例如專用反馳式控制器IC產品BD7682FJ用於驅動SiC MOSFET,除了為SiC元件產生建議的14到22V範圍(通常約為18V)閘極驅動訊號外,還整合了14V欠壓鎖定(UVLO)功能以避免散熱問題,還帶有輸出鉗位功能以防止SiC閘極發生過電壓。這款控制器實現了準諧振開關,把動態損耗降至最低、實現低雜訊,並採用高載模式以提高輕負載效率。BD7682FJ內建多種保護功能,例如軟啟動、每週期過電流限制器、過電壓保護和過載保護功能。 整合碳化矽電源開發板 簡化電路設計/省成本 舉例來說,半導體製造商羅姆(ROHM)創建了一個搭載SCT2H12NZ和BD7682FJ元件的100W輔助電源開發板,能夠在輸入電壓範圍為210~480V AC或300~900V DC的條件下運行。圖4顯示了輕負載(圖左)、50%負載(圖中)和標稱負載(圖右)下電晶體VGS和VDS波形。輕負載波形顯示了控制器如何在打開MOSFET之前等待幾個波谷,進而導致工作頻率低於標稱90到120kHz範圍。隨著輸出功率的增加,延遲時間減少,工作頻率增加。在標稱功率下,MOSFET在第一個波谷就會導通,在整個負載範圍內進行的測量表明,對於300到900V DC輸入電壓範圍,在標稱功率輸出下效率提高到88~92%。 羅姆藉由其輔助電源開發板,演示了在充分利用SiC元件優勢的情況下,可以實現系統級的成本節省。現在更進一步地推出BM2SCQ121T-LBZ準諧振AC/DC轉換器,完全整合了4A、1700V SiC MOSFET與BD7682FJ(圖5)的功能(包括UVLO、電壓鉗和突發模式)。這款轉換器採用方便的TO-220-6M封裝,可以比以往更為簡單地使用SiC元件進行設計,並且大幅節省零組件數目和電路板空間。 圖5 BD7682FJ開發板 碳化矽MOSFET元件憑藉結合高額定擊穿電壓與低RDS(ON),以及高開關速度、低開關損耗和高溫性能,使得設計人員能夠在多種應用中簡化電路設計並降低材料成本,其中包括簡單的反馳式轉換器。一種新型完全整合的反馳式轉換器IC包含閘極驅動和控制電路以及內置1700V SiC MOSFET,採用易於使用的業界標準電源封裝,結合了以上優勢。 (本文作者Wolfgang Sayer為儒卓力產品線經理;Aly Mashaly為羅姆半導體AT SC電力系統總監)  
0

東芝發表新型元件結構 SiC MOSFET可靠性提升十倍

東芝推出可提高SiC(碳化矽)MOSFET可靠性的元件結構。相較於東芝的典型元件結構,MOSFET內嵌的SBD(肖特基勢壘二極體)可在抑制導通電阻增大的同時,將元件結構的可靠性提高10倍以上。 功率元件是降低車輛以及工業設備和其它電氣設備能耗的重要元件,而SiC相較於有機矽可進一步提高電壓並降低損耗,因此業界普遍預期其將成為新一代的功率元件材料。雖然SiC目前主要用於車輛變頻器,預計往後的應用領域會涉及於工業設備的各種光伏發電系統(PPS)和電源管理系統(PMS)。 可靠性問題是目前SiC元件最大課題,其涉及位於功率MOSFET的電源與列車之間的PN結二極體。PN結二極體的外施電壓使其帶電,造成導通電阻變化,進而有損元件的可靠性。東芝新推出的SBD內嵌式MOSFET元件結構正是此問題的剋星。 新結構中有一個與電池單元內的PN結二極體平行設置的SBD,可防止PN結二極體帶電。相較於PN結二極體,內嵌SBD的通態電壓更低,因此電流會通過內嵌SBD,進而抑制導通電阻變化和MOSFET可靠性下降等問題。 內嵌SBD的MOSFET現已投入實際應用,但僅限於3.3kV元件等高壓產品;其通常會使導通電阻升高至僅高壓產品能承受的一個電壓水準。東芝在調整各個元件參數後發現MOSFET中SBD的面積比是抑制導通電阻增大的關鍵因素。東芝不斷優化SBD比例,實現了1.2kV高可靠型SiC MOSFET,並計畫於2020年八月下旬開始量產。
0

拓展碳化矽應用 英飛凌發表62mm CoolSiC模組

英飛凌1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術,此封裝為碳化矽打開了250kW以上,矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限,中等功率應用的大門。相較於一般的62mm IGBT模組,碳化矽的應用範圍更擴展至太陽能、伺服器、儲能、電動車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。 圖 此62mm模組配備英飛凌CoolSiC MOSFET 實現極高的電流密度。來源:英飛凌 該62mm模組配備英飛凌CoolSiC MOSFET,可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗和導通損耗可減小散熱元件尺寸。在高開關頻率下運作時,可使用更小的磁性元件。透過英飛凌CoolSiC晶片技術,客戶可以設計出尺寸更小的變頻器,進而降低整體系統成本。 新產品採用62 mm標準基板和螺絲固定方式,具有高強固性的外殼結構設計,且設計經過最佳化,可達到最高的系統可用性,同時降低維修成本以及停機損失。良好的溫度循環能力和150°C的連續工作溫度(Tvjop),帶來系統可靠性。其對稱性的內部設計,能讓上下開關達到相同的切換條件。亦可選配熱介面材料(TIM),以進一步提高模組的熱效能。 採用62 mm封裝的CoolSiC MOSFET 1200V分別提供6mΩ/250 A,3mΩ/357 A和2mΩ/500A型號選擇。另外還推出有助快速特性化(雙脈衝/連續作業)的評估板,為便於使用,還提供了可彈性調整的閘極電壓和閘極電阻。此外,還可作為批量生產驅動器板的參考設計。
0

臻驅攜手羅姆成立碳化矽技術聯合實驗室

中國新能源車驅動領域高科技公司臻驅科技與半導體製造商羅姆(ROHM)宣布在中國(上海)自由貿易區試驗區臨港新區成立「碳化矽技術聯合實驗室」,並舉行了揭幕啟用儀式。 相較於IGBT等矽(Si)功率元件,碳化矽(SiC)功率元件具有較低傳導損耗與開關損耗2、以及不易受溫度影響等優勢,因此能大幅降低損耗,並廣泛運用在電動車充電器以及DC/DC轉換器等相關應用。 自2017年雙方合作以來,臻驅科技和羅姆就針對SiC功率元件在車電應用的研發上展開深度的技術交流。此次聯合實驗室的成立,就是希望透過羅姆的SiC MOSFET裸晶片和絕緣閘驅動器等技術,更進一步推動車電功率模組和逆變器的研發。今後,雙方也將持續推出以SiC為主的創新電源解決方案。 臻驅科技董事長兼總經理沈捷表示,碳化矽功率半導體模組在新能源汽車上的應用,是今後業界的趨勢所在。藉由快速彙集全球資源、加速技術研發、並及早量產高度成熟的碳化矽產品,將能確保身為車電元件廠商的核心競爭力。臻驅科技自成立以來便得到羅姆的大力支援,希望能藉此聯合實驗室的成立,加深雙方合作關係,繼續攜手向前邁進。 羅姆執行董事功率元件事業本部長伊野和英表示,羅姆身為碳化矽元件商,在提供先端元件技術和驅動IC等電源解決方案上一直保有傲人的成績,並針對xEV的相關應用持續推動SiC的普及。在SiC功率元件的技術研發方面,掌握客戶需求和市場動向是非常重要的關鍵。做為車電功率模組和逆變器開發商,臻驅科技在SiC應用研究方面發揮了重要的作用。羅姆希望藉由聯合實驗室的成立,加強雙方的合作關係,透過以SiC為主的電源解決方案更進一步推動汽車技術的革新。
0

Power Integrations SiC MOSFET驅動器符合AEC-Q100汽車認證

Power Integrations日前宣布推出用於碳化矽(SiC)MOSFET的高效單通道閘極驅動器SIC118xKQ SCALE-iDriver,該產品現已通過AEC-Q100認證,可供汽車使用。這些裝置可設定為支援常用SiC MOSFET的閘極驅動電壓需求,並具有精密的安全和保護功能。 Power Integrations汽車閘極驅動器產品資深行銷協理Michael Hornkamp表示,碳化矽MOSFET技術為體積更小、更輕便的汽車變頻器系統打開了大門。切換速度和工作頻率在不斷增加;該公司的低閘極電阻器值維持了切換效率,同時,快速短路回應功能能夠在發生故障時快速保護系統。 SIC1182KQ(1200V)和SIC1181KQ(750V)SCALE-iDriver裝置經過最佳化,適用於在汽車應用中驅動 SiC MOSFET,具備軌對軌輸出、快速閘極切換速度、支援正負輸出電壓的單極供應電壓、整合式電源與電壓管理和增強型絕緣。重要的安全功能包括汲源極間電壓(VDS)監測、SENSE讀數、一次側和二次側欠壓鎖閉(UVLO)、限電流閘極驅動器和進階主動箝位(AAC),該功能有助於在故障狀況下執行安全操作和軟關閉。AAC與VDS監測相結合可確保在短路狀況下的安全關閉時間少於2µs。閘極驅動控制和AAC功能可以使閘極電阻最小化;這就減少了切換損失,進而大幅發揮變頻器效率。 將SCALE-iDriver控制和安全功能與其高速FluxLink通訊技術搭配使用後,相比使用光電隔離式、電容隔離式或矽隔離式磁耦合器,Power Integrations掀起了一場閘極驅動器IC技術的革命。這種組合大幅提高絕緣能力,並利用較少的300kW以下外部元件進行安全、低成本變頻器設計。
0

三合一電源架構實現高效充電 太陽能電動車前景可期

在印度標準局(BIS)、印度汽車研究協會(ARAI)、能源效率服務有限公司(EESL)等組織的協助下;印度政府已公布充電站的技術規格,此外AC-001、DC-001等原始標準也已經完成開發,並在特定地點部署充電站;除了低功耗AC和DC-001之外,最新規範也要求充電站必須配備多種規格的充電器,也就是AC Type 2、CCS和CHADEMO。不過這些系統完全仰賴電網供電,會因主要都會和半都會地區建物的供給而受限,而且電網是否準備充分足以應付這些額外負擔,也都還是問題。 而這就是太陽能與儲存裝置可以切入的領域,不但可補足電網不足,還能在全國各處可行地點獨立作業。所幸印度已成功部署太陽能,且因地理條件,太陽能資源十分充足。一次性的安裝與資本支出可順利運轉至少20到25年,投入的資金只需短短幾年即可回收,之後的能源輸入便都形同免費。 接下來將介紹一套可行的實作方法,來運用、儲存太陽能並將其應用於電動車的充電;本文還會略為提到能源的運用和儲存方法、分散式電池管理、能源轉換與連結,都是模組化、可擴充之太陽能驅動電動車充電站的基本要素。 圖1為常見由太陽能驅動之電動車充電站實作的配置圖,主要元素均可一目了然。 圖1 太陽能電動車充電站的功能方塊 至於使用者的部分,基本上為終端使用者會用到的功能。資訊的交換和使用者互動都是在這裡進行,通常包含一個具備觸控感測功能的TFT螢幕、供驗證或支付用的NFC讀卡機,有時或許還有藍牙介面以提供更先進的功能;車輛可實體連接任何一種輸出埠─供小型車和電動三輪車使用的AC慢充、特定等級車輛的AC快充,以及DC快充。使用者必須驗證自己的身分、設定偏好的充電方式,並且等到充電完畢。不過越深入其後的功能越複雜,因為都由中央控制器所控制和監控,所以會牽涉到許多不同的模組。 三供電來源共構能源管理系統 這套系統有三種供電來源。首先最重要的就是太陽能板,規模分析並不在本文討論範疇內,但一般來說每小時最少要有數千瓦(Kilowatt)。太陽能板的額定輻照度通常在每平方公尺150W。太陽能板饋給的對象為最大功率點追蹤(MPPT)模組,這是一種直流對直流(DC-DC)的功率轉換器,內部可執行最大功率點追蹤運算法。一般來說這些裝置效率都非常高,電效率超過98%,其通常是多相的交錯式降壓或降升壓轉換器,輸入和輸出端都只要幾百瓦就能運轉。裝置可以隔離也可以不要,但因為法規或安全因素,大部分系統都會進行電氣隔離。它的輸出對象則是一個通用的直流匯流排,可從這裡將下游能源提供給負載,而系統可採類比、完全數位化,或混合類比與數位控制。 第二種來源是電網,其並非必要供電來源,因為目的是使太陽能的利用最大化。不過在供電斷斷續續,或日照不足以提供全年或特定季節運轉的地區,電網就有助於滿足需求,因為系統基本上是一種太陽能儲存裝置,因此也可以利用系統本身在尖峰時刻補足電網之不足,或利用雙向的併網逆變器,擔任太陽能發電場的角色。若有適當政策將太陽能發電場或自用電廠所產生的電力輸出給電網,並採用淨計量電價的模式,就同時可以達到兩用效果。 第三種來源,同時也是接收/儲存點,則是電池。最近的趨勢是利用電池續航力高的鋰電池來快速充電,放電深度與容積效率都非常高,也可以將電池放在地底下以節省建物空間。這些鋰電池組件會以適當的串並聯組合放置,並分為好幾個組列。 電池的末端有一個接線盒,以及同時扮演監督者角色的終止裝置。每個電池都有一個資料埠,通常為CAN或RS485,都以菊環鏈模式輸出到終止裝置,終止裝置就能從最頂層了解每一個電池、組列或整個蓄電池組的健康狀態─這基本上是一種資料集中器和交換裝置,讓電池組件連接或中斷電路。此外,其還能和中央控制進行通訊,決定電池要充電還是放電。 圖2很清楚描繪出電源系統的架構,這是一種模組化的系統,可擴充到適當規模,模組通常都可擴充,每個3~5kW且搭配通訊匯排流,多半是CAN或MODBUS/RS485。中央控制器隨時都可以根據功能需求來配置模組—無論是充電管理、負載管理或診斷檢查。中央控制器內部經過布建可偵測能源使用狀況,基本上就是每小時消耗、儲存和產生/輸出多少kW的電力;同時還能與工業標準的電度表通訊,達到計費、費率設定等目的。 圖2 後段的能源系統架構 SiC提升電源轉換功率密度/效率 DC-DC轉換器模組接收DC匯流排的輸出。依照連結的車輛種類,還有與車輛電池管理系統規定電壓和電流相關需求,中央控制器會將DC-DC轉換器配置到通訊匯流排,這種選項通常用在DC快速充電,還可同時搭配多個DC-DC轉換器模組以達到負載。 DC-AC逆變器也是接收DC匯流排的輸出,但專門用於只能接受AC充電或一般慢充應用的車輛。這種雙向的逆變器可達到兩種功用:一是對DC匯流排輸出以滿足需求,二則是當充電站處於空轉狀態,抑或尖峰時段必須利用充電站來補強電網不足,便可反向對電網輸出電力。目前任何一種電源轉換模組的關鍵效率指數包括下列兩項指標: .高效率 端對端>95%,為現今已經可以實現的數字。 .高功率密度 有助於縮小系統體積,因為建物空間是主要部署成本之一。 以上兩點都可以藉由先進的晶片技術達成。寬能隙(Wide Band Gap)半導體,尤其是碳化矽(SiC)元件,能在高切換頻率、更高的接面溫度下運作,而且效率更高。除此之外,還可自動縮小磁性元件和電容器等被動元件的尺寸。因為有更好的磁性元件材料,在設計上得以縮小體積並降低耗損,因此可以處理更高的功率。 中央控制器四功能確保穩定充電 中央控制器為充電站的大腦,功能包含最基本的使用者/訂戶的辨識及互動,甚至是確保車輛以最適方式充電,結合高效能運算、聯網與感測功能,功能強大。主要功能如下: .使用者身份與支付 就使用者而言這是最常見的功能,透過智慧卡、一次性密碼(OTP)、支援NFC功能之手機,甚至藍牙執行。所有次要系統都由面板的微處理器/微控制器(MPU/MCU)控制。 .電源管理 這是充電站最重要但也最不顯眼的部分。系統控制器會持續監測電源情境:也就是供與需,接著決定如何從供應端滿足需求。無論光靠太陽能是否足以供應負載,或必須結合太陽能和儲存的電力,又或是同時需要從電網提供部分輸入。有些情境下可能會出現供給過剩或需求過高的狀況,其有足夠的智慧功能,可透過更改上述各種電源模組的設定,根據實際狀況傳送電力。 .聯網功能 最新的充電站和相關部署,都必須連上雲端以進行遠端監測及控制;且必須定期與中央管理系統(CMS)對話、回報轉移狀況、參數、診斷結果和運轉數據;同時需要接收來自中央管理系統的運轉指令及設定。因此目前已有多種聯網選項,包括有線及無線。3G/4G、Wi-Fi、乙太網路,甚至是LoRa,都已經用來進行遠端監測。 .保護、診斷和回報錯誤 為了防止故障,系統具有動作迅速的保護機制,會因為大浪或雷擊等外部事件、運轉方面的問題、意外或刻意的誤用/濫用,或者是短路、超溫或過電壓/過電流狀況而驅動。為持續降低運轉成本並將故障時間減至最低,系統會自動回報可能經常發生的問題。模組化的建構方式讓系統可以準確指出現場有哪個故障部分必須更換,這樣技術人員就能在抵達現場前做好準備。 以上簡單介紹太陽能電動車充電系統部署方式。讀者可以到位於印度諾伊達(Noida)的意法半導體印度開發中心,體驗可行的解決方案和各種子模組,也可以根據OEM代工業者的個別需求提供客製化的設計。電子行動和電動車的充電基礎架構是關鍵的焦點領域之一,相關研究也正如火如荼進行,希望解決上述所有功能模組的高效率問題。目前已有端對端晶片可讓電動車充電站得以成真,還有許多設計參考架構加速產品上市時間。 (本文作者任職於意法半導體)
0

Littelfuse柵極驅動器評估平台加速碳化矽電源轉換器設計週期

電路保護、功率控制和感測技術製造商Littelfuse日前宣布推出柵極驅動器評估平台(GDEV)。新的評估平台可幫助設計師評估碳化矽MOSFET、碳化矽肖特基二極體和柵極驅動器電路等其他周邊元件,使其更易瞭解碳化矽技術在連續工作條件下如何在轉換器應用中發揮作用。 Littelfuse功率控制總監Corey Deyalsingh表示,柵極驅動器評估平台(GDEV)是碳化矽技術產品組合的重要拓展,因為碳化矽仍是一種相對較新的技術,而且在各種條件下的運行特性還存在一些未知數。GDEV可幫助工程師瞭解碳化矽器件的工作特性。透過利用此評估平台,設計師將能更易瞭解碳化矽技術帶來的節能機會。掌握這些知識之後,預計設計師將更有可能將碳化矽納入他們的未來設計中。 與大多數其他碳化矽評估平台不同,GDEV提供快速連接插頭引腳端子,可以快速、一致比較不同的柵極驅動器電路。GDEV支援800V DC連結輸入電壓和高達200kHz的開關頻率。 Littelfuse的柵極驅動器評估平台使用戶能夠評估碳化矽功率MOSFET和二極體在額定電壓和額定電流下的連續工作,為負載提供有功功率;並分析與基於碳化矽的設計相關的系統影響,包括效率提高、EMI排放和無源組件(尺寸、重量、成本);同時在定義明確且經過優化的測試條件下比較不同柵極驅動器解決方案的性能;且在連續工作條件下測試柵極驅動器電路,以評估柵極驅動器的熱性能和EMI抗擾性。
0

SiCrystal偕意法宣布碳化矽晶圓長期供應協議

羅姆(ROHM)和意法半導體(ST)宣布與羅姆旗下公司SiCrystal簽署一項碳化矽(SiC)晶圓長期供應協議。協定規定,SiCrystal向意法半導體提供總價超過1.2億美元之150mm碳化矽晶片,滿足時下市場對碳化矽功率元件日益成長的需求。 意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示,這項SiC長期供應協議是在該公司已經拿到的外部產能,以及正在逐步擴大的內部產能之外的另一項產能保證,使意法半導體能在增加晶圓供貨量的同時,補充內部產能缺口,滿足客戶在未來幾年對於汽車和工業產品的強勁需求。 SiCrystal總裁暨執行長Robert Eckstein則表示,SiCrystal擁有多年SiC晶圓製造經驗,很榮幸與長期客戶ST簽訂此供貨協定,將不斷增加晶圓產量,並持續提供品質可靠的產品,以支援合作夥伴擴大其在碳化矽的業務。 碳化矽電源解決方案應用正在汽車和工業領域升溫。透過這項協議,兩家公司將為SiC在這兩個市場的廣泛應用做出貢獻。
0
- Advertisement -
- Advertisement -

最新文章

- Advertisement -

熱門文章

- Advertisement -

編輯推薦

- Advertisement -