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東芝MOSFET採新製程提高電源效率

東芝(Toshiba)日前推出80V N溝道功率MOSFET為採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」。 產品適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。 新產品為兩款封裝,一款為採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及TSON Advance封裝的TPN19008QM,並於即日起出貨。 由於採用了最新一代製程技術,比當前製程U-MOS VIII-H系列中的80V產品相比,新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。透過最佳化元件結構,漏源導通電阻與閘極電荷特性之間的平衡也得到了改善,此款IC可提供業界較低功耗。 應用場合包括開關電源(高效率AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等)以及馬達控制設備(馬達驅動器等);至於產品特性包含低功耗(透過改善導通電阻與閘極電荷特性之間的平衡)、高額定通道溫度:Tch=175℃。而該產品低導通電阻:VGS=10V(TPH2R40QM)時,RDS(ON)=2.43mΩ(最大值);VGS=10V(TPN19008QM)時,RDS(ON)=19mΩ(最大值)
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東芝擴大物聯網應用32bit微控制器

東芝(Toshiba)日前宣布針對微控制器系列進行產品戰略擴展。TXZ+產品是以Arm Cortex Core 32Bit微控制器的全新系列產品。第一批產品樣品將於2020年第三季度開始供貨。 TXZ+提供高階和入門款兩種產品線。高階產品線將提升東芝目前所提供的微控制器更好的性能。入門款產品線將以基礎功能來降低成本。東芝將針對四個使用平台提供TXZ+產品:一個是用於一般用途,另外三個分別用於支援安控、感測器和馬達控制的物聯網功能。 兩款高階系列產品,分別為Cortex-M4的TXZ4A+系列和以Cortex-M3的TXZ3A+系列,其都為東芝首次採用40nm製程製造。最大工作頻率為200MHz,並且比東芝現有同類產品降低功耗約30%。 另外三款入門級系列產品,分別為Cortex-M4的TXZ4E+系列、Cortex-M3的TXZ3E+系列和Cortex-M0的TXZ0E+系列。這三款產品都採用130nm製程,除此之外,東芝微控制器的新技術—SONOS(矽-氧化物-氮化物-氧化物-矽)記憶體,適合用於對資料要求保持高度可靠性和高效的資料重複寫入和刪除恢復能力的系統。 東芝全新MCU產品可滿足物聯網設備的需求,提供設備更好性能的同時也降低功率消耗。
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東芝推驅動中高電流IGBT/MOSFT光耦合器

東芝(Toshiba)日前推出一款驅動中高電流絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦—TLP5231,其適用於工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。此預驅動光耦內置多種功能,其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品即日起開始出貨。 新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩衝器,來控制中高電流IGBT和MOSFET。 目前現有產品需要使用雙極型電晶體構成的緩衝電路來實現電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩衝器,僅在緩衝器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流,有助於降低功耗。透過改變外部互補MOSFET緩衝器的大小,TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩衝器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台來滿足系統的功率需求,進而簡化設計。 其他功能包括在檢測到VCE(sat)過流後使用另一個外部N溝道MOSFET控制柵極軟關斷時間;另外,除了能通過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外,還有UVLO檢測,將任意故障訊號輸出到一次側。以上這些現有產品不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕易設計柵極驅動電路。 該產品主要特性包含內建有源時序控制的雙輸出,適用於驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩衝器。當檢測到過流時,透過使用另一個外部N溝道MOSFET實現可配置柵極軟關斷時間;當監控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時,故障訊號會輸出到一次側。
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東芝推工廠自動化/應用小封裝大電流光繼電器

東芝(Toshiba)推出TLP3106A、TLP3107A和TLP3109A光繼電器,此系列可提升導通電流的6引腳SOP小封裝大電流光繼電器,適用於工廠自動化和工業應用。它們可提供30至100V的斷態輸出端子電壓,以及3.0至4.5A的穩定導通電流。即日起開始出貨。 該新型光繼電器內置採用最新U-MOS工藝溝槽結構的MOSFET,進而降低導通電阻。與市場上目前產品相比,導通電流額定值可提高大約13%至50%,有助於在眾多DC和AC應用中更輕鬆地替換1-Form-A機械式繼電器。新設備還將有助於提高系統可靠性,並減少繼電器和繼電器驅動器所需的空間。 該產品主要特性,像是導通電流為3A至4.5A(穩定),9A至13.5A(脈衝);工作溫度:110°C(最大值);隔離電壓:1500Vrms(最小值) 應用領域包含工廠自動化(FA)、I/O介面、暖氣、通風和空調(HVAC)、安防設備、測量設備,以及替換機械式繼電器
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東芝新推低功耗有刷直流馬達驅動IC

東芝(Toshiba)推出最新採用相同腳位分配HSOP8封裝的低功耗有刷直流電機驅動IC系列TB67H451FNG,此IC具有過電流檢測後自動回復功能。即日起開始量產出貨。 新型IC適用於4.5V至44V的寬電源供電範圍下驅動有刷直流馬達。支援廣泛應用,如手持式設備和5V USB電源設備,以及需要高達3.5A大功率驅動的工業設備、家用電器、印表機和銀行終端機。 過電流檢測是當由於超載或其他原因導致輸出電流超過設定值時,通過關斷輸出來防止IC損壞的安全功能。目前TB67H450FNG是一種鎖定型(Latch)元件,輸出會被無限期關斷直到電源被重新啟動或重置待機模式,而新款TB67H451FNG則具有自動恢復功能,無需任何外部控制即可恢復工作。當過電流狀態消退時,將恢復正常工作。設計者可根據應用,選擇更合適的馬達驅動IC類型。 該產品應用領域包含工業設備,包括辦公自動化設備和銀行終端機;小型家用電器,包括機器人吸塵器;電池供電設備(電子鎖和小型家用機器人);和使用5V USB電源的設備。
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東芝100V N通道功率MOSFET助降低車用設備功耗

東芝(Toshiba)日前推出100V N通道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)—XK1R9F10QB,其適用於汽車的48V設備應用,例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。 這款新產品是東芝採用溝槽結構的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款產品,採用該公司的最新一代製程。它採用低電阻TO-220SM(W)封裝,提供低導通電阻,最大導通電阻為1.92mΩ,與目前的TK160F10N1L相比降低約20%,這有助於降低設備功耗。由於電容特性得到最佳化,還提供更低的開關雜訊,進而減少設備的EMI。此外,將閾值電壓寬縮小至1V,可以增強並聯時的開關同步性。 其主要特性包括採用溝槽結構的U-MOS X-H系列MOSFET,同時具低導通電阻,於 VGS=10V時,RDS(ON)=1.92mΩ(最大值);此外,亦符合AEC-Q101要求。 而該產品應用領域亦包含汽車設備(負載開關、開關電源和馬達驅動等)。
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東芝推高解析度微步進馬達驅動IC

東芝(Toshiba)推出最新微步進馬達驅動IC產品TC78H670FTG。這款IC最大額定值為18V/2.0A,可驅動各種工作電壓的馬達,目前已啟動量產。 新款IC可透過2.5V至16V供電電源驅動128微步進馬達。其電源來源可由USB供電、電池供電和標準9-12V系統元件,它還能與1.8V介面配合使用,從而連接各種主機和微控制器。 東芝最新的DMOS製程確保TC78H670FTG具有卓越的品質與低導通電阻。該製程還有助於這款IC實現低待機電流。此IC採用QFN16超小封裝,並透過整合電流檢測電阻來減少外部零件的使用,從而降低成本,精簡電路,節省PCB板布線空間。 主要特性包含緊湊封裝(QFN16 3.0mm×3.0mm);低導通電阻(VM=12V時Ron=0.48Ω);中低電壓範圍為2.5V至16V,介面電壓範圍為1.8V至5.0V;0.1μA的低待機電流;且其平穩、無噪音運作馬達並減少振動;透過微步控制提高旋轉角度精度。
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東芝推PLC高速通訊邏輯輸出光耦合器

東芝(Toshiba)推出一款用於Programmable Logic Controllers(PLC)可程式邏輯控制器24V數位輸入介面的10Mbps高速通訊邏輯輸出光耦合器—TLP2363。 新型光耦合器規格包含在其工作溫度範圍(-40至105℃)內閾值輸入電流的最小值和最大值。其與適當的電阻器結合可用於電流控制,形成符合IEC 61131-2 Type1規格的24V數位輸入模組。 此外,新產品的電路還可抑制切跳雜訊,因此即使輸入訊號緩慢且上升或下降時間較長(60秒或更短),其輸出也明顯為「低」或「高」。這消除了在輸出元件中使用波形整形電路的需求,進而減少元件數量。 光電耦合器採用5引腳薄型SO6封裝,最大高度為2.3mm。其纖長的形狀有助於提升印刷電路板上的元件布局自由度。 主要特性如閾值輸入電流的最小值為IFHL=0.3mA(最小值);閾值輸入電流的最大值:IFHL=2.4mA(最大值);廣泛的工作溫度範圍:Topr = -40至105℃;資料傳輸速率:10Mbps(典型值);對緩慢的輸入具有高抗擾度(最長60秒);可用於3.3V/5V電源電壓系統。而新品應用領域為高速數位介面,如PLC、測量設備和控制設備等。
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東芝推車用100V N通道功率MOSFET

東芝(Toshiba)新推出兩款車用48V電氣系統應用的100V N通道功率MOSFET。該系列包括擁有低導通電阻「XPH4R10ANB」有利於降低設備功耗,其漏極電流為70A,以及「XPH6R30ANB」,其漏極電流為45A。產品量產和出貨已經開始。 新產品是東芝首款採用緊湊型SOP Advance(WF)封裝的車用100V N通道功率MOSFET。封裝採用可焊錫側翼端子結構,安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查,進而有助於提高可靠性。 主要特性包括使用小型表面貼裝SOP Advance(WF)封裝,並通過AEC-Q101認證。產品具低導通電阻:RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)、RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB);封裝則採用可焊錫側翼端子結構的SOP Advance(WF)封裝。 至於新品應用領域涉及車用設備,如電源裝置(DC-DC轉換器)和LED頭燈等(電機驅動、開關穩壓器和負載開關)
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東芝新推用於電壓諧振電路低功耗分立IGBT

東芝(Toshiba)日前推出一款1350V分立式絕緣閘雙極型電晶體(IGBT)—GT20N135SRA,適用於檯面式電磁感應加熱(IH)調理爐、IH電子鍋、微波爐及其他家用電器的電壓諧振電路。 GT20N135SRA的集極-射極飽和電壓為1.75V,二極體順向電壓為1.8V,分別比目前產品低約10%和21%。IGBT和二極體在高溫(TC=100℃)下均具有改善導通損耗特性,新型IGBT可幫助降低設備功耗。還具有0.48℃/W(最大值)的晶片到外殼熱阻,也比目前產品低約26%,進而簡化熱設計。 新款IGBT可抑制設備開啟時流過諧振電容器的短路電流。其電路電流峰值為129A,比目前產品降低約31%。隨著安全操作範圍的擴大,與當前產品相比,它讓設備設計變得更加輕鬆。 產品主要特性包含低傳導損耗,抑制設備開啟時流過諧振電容器的短路電流,擁有廣泛安全操作範圍。
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