寬能隙
建置成本/節能利用最佳化 資料中心功秏/效率錙銖必較
然而,最終用戶要著眼大局,更關心整個系統或製程在遵守環境義務的同時,能夠盈利的效率。他們明白,倘若所有生命週期成本都計入其中,在功率轉換過程的一個小要素,即便非常專注於降低其損耗並不一定會導致明顯整體成本節省或環境效益。
另一層面,將更多電源轉換裝置整合到更小體積(增大其「功率密度」),可以更高效地利用工廠或資料中心的占地面積,並利用現有資源和成本實現更多產出。
本文將研究相較增大功率密度和提高系統效率,提高功率密度百分點在節能、購置/處置成本和機櫃/占地面積利用率等層面的實際成本。
製造商藉提高效率 降低營運壓力
在功率電子的世界,效率是一個容易概念化的術語,100%效率為好,而0%為壞。但是,讀者必須仔細設置自身的參考基準。資料中心整體電氣效率接近0%,從電網提取的所有功率幾乎都轉換為伺服器葉片、電源和冷卻系統中電子元件中的熱量。然後,將電力的美金價值轉換為美金收入可能是1,000%的效率,大多數行業都是如此,這是所有人的期望,否則,如果讀者想節省成本和挽救地球,同時也要賺錢,真正問題是如何最小化總功耗,同時以最大限度提高生產力。
資料中心管理者完全知曉這些,他們需要面對日常壓力來提高資料處理能力和速度,同時保持盡可能低電費,並從資本投資中獲得回報。他們別無選擇,只能以增加數千瓦的功率耗散來添加伺服器,但可以演算容量增大帶來的附加價值抵消額外能源和資本成本。在工業領域,如果需要另一台100kW馬達,並用於生產更多可銷售產出,馬達驅動及其電源則是不可迴避之開銷。在所有產業中,電源是一種必須的罪惡之物,本身不會增加商業價值,其耗費的營運成本和功率都被視為降低了利潤。因此,焦點自然而然地會將注意力轉向功率電子製造商,他們需要承擔透過提高電氣效率來減少損耗的壓力。
拓撲架構重新設計以實現零損耗
功率轉換效率似乎很容易定義,人們都可以引用公式「輸出功率除輸入功率之百分比」,兩者之間差值為功率轉換器消散的熱量。問題是,如果不涉及功率水準,以及它們如何隨操作和環境條件而變化,而將效率作為轉換器比較參數,此時效率沒有任何意義。往往這會導致一些「創造性」規格,挑選出其中亮點,以展現裝置最好的部分。很少有轉換器在接近其最大額定功率時操作,因此效率通常設定為在最大額定負載50~75%左右達到峰值,並且某些曲線必須在零負載時降至零效率。在輕負載時轉換器設計可能存在高不確定性,因此在待機條件下電源功耗可能會比其他電源多一倍(圖1)。負載為5%時,A線表示轉換器功耗是B線的三倍以上,因此輕負載功耗對總能量消耗有顯著影響。
圖1 輕載時效率在同類功率轉換器之間差異很大
幸運的是,業內有一些標準可以用來規定效率曲線形狀,例如具有不同級別的「80 PLUS計畫」中,「鈦」級為最高,要求在50%負載時具備最低94%效率,在10%負載時最低90%效率,這些是用於115V系統的效率,對於230V系統,上述參數分別是96%和90%(圖2)。
圖2 80-PLUS計畫的效率目標—115V系統
這些限制很難實現。在2004年構想80 PLUS認證計畫時,在50%負載下實現最低水準80%效率已經足夠困難,但是要達到94%的鈦級則意謂著需要減少電源四分之三的損耗。效率僅提高14%,而額定功率為千瓦級的電源必須將損耗從250W降低到64W,這不能透過對現有設計進行微調來實現,因此必須對轉換器拓撲架構進行徹底重新考量。不再使用傳統二極體,轉而採用同步驅動MOSFET,相移全橋和LLC諧振拓撲架構等技術都被用來限制開關轉換期間的損耗,並且出現諸如SiC和GaN等全新半導體技術,以實現更快的開關速度但不會造成功耗損失。即便是不在市電的低階橋式整流器也已經演變成MOSFET的混合布置,這構成功率因數校正電路必要的部分。這些都需要一定成本,也有採用新技術帶來的風險。即便如此,從供需角度看,客戶和電源製造商要求在螺旋式上升,以實現更高效率,達到99%甚至更高。
追求高效率而降損耗所費不貲
隨著功率轉換效率接近100%,提高效率的難度成倍增加。從97%到98%意謂著損耗減少了三分之一,從98%到99%意謂著將損耗減少一半。在任何轉換器設計中,將損耗降低50%可能會要求設計從頭重新開始,使用更複雜的技術和更昂貴的元件是唯一途徑,而這通常是以犧牲尺寸為代價。1kW電源效率為98%時,僅消耗20.4W功率(圖3)。而要花費多少努力才能使損耗達到10.1W,使效率提高到99%?考量一下1kW的負載,將效率提高1%僅僅可以節省10.1W,但這需要多少設計工作量?
圖3 1kW功率轉換器中的損耗與效率
當然,所有節能都值得珍惜,但是更需要放寬眼界。在美國,工業用電平均價格約為每千瓦小時7美分。如果以1kW電源壽命為例,在100%正常執行時間下可操作5年或大約44,000小時,減少10.1W損耗可以節省大約31美元,而負載功率的成本超過3,100美元。更換電源會導致擁有成本、購買和鑑定費用、安裝成本以及通常與數百個元件、包裝和運輸相關的碳足跡。然後是舊裝置的處置成本,以及新尖端產品的功能風險。假設上一代電源可靠性仍然足夠,那麼與保留舊產品相較,很難看出這些相關成本與31美元的節省相比如何抵消。單純為了效率參數而追求更高效率可能是一項成本高昂的事情。
裝置縮小尺寸提高功率密度
為了降低內部溫度並提高演算的壽命/可靠性,也許有必要提高功率轉換器效率,但這僅在外殼和冷卻保持不變情況下才有效。有一個古老的經驗法則,即電子元件溫度每升高10℃,其壽命就會縮短兩倍。而依據可靠性手冊,在溫度升高10℃時,半導體元件失效率將增加約25%,電容器失效率將增加約50%。但是現代電子產品極其可靠且經久耐用,因此這些都是相對於非常長使用壽命和高可靠性而言的百分比變化。例如,從歷史上講,功率電子裝置的冷卻設置目標,是將資料中心入口處的理想溫度保持在21℃左右,但是英特爾(Intel)和其他公司的研究表明,該溫度可以適當提高,但不會顯著影響系統可靠性。APC的一項報告引用了美國供熱和空調工程師協會(ASHRAE)的預測,當入口溫度從20℃升高至32℃(68℉至90℉)時,總體裝置故障率僅增加1.5倍(圖4)。據稱,資料中心額定操作溫度每升高1℉,就可以將相關冷卻成本降低約4%,因此減小主機殼尺寸,允許包括電源在內的裝置在更高溫度下操作,可以真正節省成本,同時還可以釋放機架空間。
圖4 裝置可靠性與入口溫度關係
使較小電源在更高溫度下操作的另一推動因素,是採用以SiC或GaN材料製成的寬能隙半導體。這些元件操作溫度額定值比矽元件高很多,特別是對於SiC,允許裸晶在高達數百℃溫度下操作。
功率轉換各方紛尋最佳解
功率轉換裝置供應商可能會以特定條件下的效率規格來互相競爭,但對最終用戶而言,重要的是其製程的生產率和盈利能力。當然,籍由減少能源消耗來節省成本是一件好事情,但是透過增加機櫃中或機架上裝置功率密度,並提高每單位體積的生產率而獲得成本節省可能更具吸引力。資料中心和製造設施中的地板空間具有「美元密度」,這是為貢獻一定收入所必須達到的貨幣價值,以千美元/平方英尺為度量,因此縮小電子裝置尺寸以提供更多生產空間是實際收益。如果這意謂著在生產需要擴展時提供完整的額外機櫃,則實現的短期和長期資金節省更多。
仰仗相關的功率轉換器可實現電子裝置更高功率密度,這些促使系統架構師將功率密度視為越來越重要的指標。但是,與端到端產品電氣效率不同,整個系統的功率密度不易比較,需要包括哪些內容?在典型工業機櫃中,可能有開關裝置、連接器、安裝在主機殼底座的EMI濾波器、生成中間電壓的AC-DC轉換器、大電流匯流排、負載本地處的DC-DC轉換器、風扇及其自身電源和安裝硬體,有時甚至可能包括空調裝置。在控制機櫃中,負載可能是獨立式,也可能是馬達,在這種狀況下,功率轉換裝置體積占整個空間很大一部分,任何空間尺寸的節省都意謂著可以容納更多控制電子裝置。但是,這樣回報會減少,因為添加額外裝置總會需要更多功率。控制櫃還可能受限於使用標準化硬體,如用於裝置安裝的DIN導軌,供應商推出了越來越窄小的產品,而輸入/輸出連接器尺寸的實際應用通常定義了其最小值。現在30W AC-DC寬度已減小到21mm左右,而480W裝置寬度大約為48mm(寬)×124mm(高)。機櫃中如果包括冷卻系統,其中可能包括一系列風扇,由於入口溫度不能確定,因此功率轉換器的額定溫度通常設為在高溫氣流下操作,且沒有主機殼散熱設置。這導致功率轉換密度值相對較低,每立方英寸可能為10到20W。
POL實現資料中心電源高功率轉換
在資料中心中,功率分配系統體系架構會嚴重影響功率密度。最新趨勢是透過每個伺服器刀鋒上的負載點(POL)轉換器提供48V背板匯流排,將電壓降低至IC電平,通常低於1V。分開來看,POL可以具有令人吃驚的功率密度,每立方英寸超過1kW,但需要大量散熱片或冷卻氣流才能正常操作。48V匯流排可以來自機架AC-DC轉換器,其功率密度可能僅為每立方英寸20W左右。或者可以從外部中央電源提供380V DC,並在機架中轉換為48V。具備直流電源後,不再有交流整流和功率因數校正電路損耗,該轉換器可以達到非常高的效率,並且每立方英寸功率密度再次超過1kW(需要足夠冷卻能力)。另一個優勢是,與每個機架中的AC-DC不同,能量可以集中儲存並用於電源損耗或電力不足,而AC-DC具有很大的內部儲能電容器,占用了寶貴空間。
與工業製造中機櫃不同,資料中心負載實際是刀鋒伺服器本身,因此每個機架內部消耗功率均超過10kW。倘若要求嚴格控制的高速氣流進行主動冷卻,並保持較低入口溫度,這對於功率轉換器來說是個好消息,而由於其效率很高,僅消耗了刀鋒伺服器一部分的功率,允許使用具備最少量外部散熱(如果需要)的POL和匯流排轉換器,進而保持較高的總功率密度。實際上,使刀鋒伺服器產生的熱量遠離功率轉換器成為一個主要的考量因素。
寬能隙技術提高功率密度
功率轉換器設計人員可以透過降低開關速度來提高效率,但這會導致必須採用過大被動元件,進而使機殼尺寸變大。複雜諧振轉換器拓撲允許更高運作頻率,實現低損耗,而SiC和GaN半導體元件的到來又結合了高速度和低損耗,再次改變了遊戲規則。它們在較高溫度下可靠的操作能力可以使轉換器封裝尺寸進一步減小,進而實現更高功率密度。
追逐功率轉換效率百分點是一場收益越來越小的遊戲,除非這種改進能夠導致更小產品尺寸,進而能夠為直接增加利潤的裝置留出空間。功率密度是轉換器一個很好參數,但是應該仔細比較,並包括系統中所有元素,可以預期,製造產業中機櫃和資料中心伺服器機架之間的功率密度差異會很大。
(本文作者任職於貿澤電子)
三合一電源架構實現高效充電 太陽能電動車前景可期
在印度標準局(BIS)、印度汽車研究協會(ARAI)、能源效率服務有限公司(EESL)等組織的協助下;印度政府已公布充電站的技術規格,此外AC-001、DC-001等原始標準也已經完成開發,並在特定地點部署充電站;除了低功耗AC和DC-001之外,最新規範也要求充電站必須配備多種規格的充電器,也就是AC Type 2、CCS和CHADEMO。不過這些系統完全仰賴電網供電,會因主要都會和半都會地區建物的供給而受限,而且電網是否準備充分足以應付這些額外負擔,也都還是問題。
而這就是太陽能與儲存裝置可以切入的領域,不但可補足電網不足,還能在全國各處可行地點獨立作業。所幸印度已成功部署太陽能,且因地理條件,太陽能資源十分充足。一次性的安裝與資本支出可順利運轉至少20到25年,投入的資金只需短短幾年即可回收,之後的能源輸入便都形同免費。
接下來將介紹一套可行的實作方法,來運用、儲存太陽能並將其應用於電動車的充電;本文還會略為提到能源的運用和儲存方法、分散式電池管理、能源轉換與連結,都是模組化、可擴充之太陽能驅動電動車充電站的基本要素。
圖1為常見由太陽能驅動之電動車充電站實作的配置圖,主要元素均可一目了然。
圖1 太陽能電動車充電站的功能方塊
至於使用者的部分,基本上為終端使用者會用到的功能。資訊的交換和使用者互動都是在這裡進行,通常包含一個具備觸控感測功能的TFT螢幕、供驗證或支付用的NFC讀卡機,有時或許還有藍牙介面以提供更先進的功能;車輛可實體連接任何一種輸出埠─供小型車和電動三輪車使用的AC慢充、特定等級車輛的AC快充,以及DC快充。使用者必須驗證自己的身分、設定偏好的充電方式,並且等到充電完畢。不過越深入其後的功能越複雜,因為都由中央控制器所控制和監控,所以會牽涉到許多不同的模組。
三供電來源共構能源管理系統
這套系統有三種供電來源。首先最重要的就是太陽能板,規模分析並不在本文討論範疇內,但一般來說每小時最少要有數千瓦(Kilowatt)。太陽能板的額定輻照度通常在每平方公尺150W。太陽能板饋給的對象為最大功率點追蹤(MPPT)模組,這是一種直流對直流(DC-DC)的功率轉換器,內部可執行最大功率點追蹤運算法。一般來說這些裝置效率都非常高,電效率超過98%,其通常是多相的交錯式降壓或降升壓轉換器,輸入和輸出端都只要幾百瓦就能運轉。裝置可以隔離也可以不要,但因為法規或安全因素,大部分系統都會進行電氣隔離。它的輸出對象則是一個通用的直流匯流排,可從這裡將下游能源提供給負載,而系統可採類比、完全數位化,或混合類比與數位控制。
第二種來源是電網,其並非必要供電來源,因為目的是使太陽能的利用最大化。不過在供電斷斷續續,或日照不足以提供全年或特定季節運轉的地區,電網就有助於滿足需求,因為系統基本上是一種太陽能儲存裝置,因此也可以利用系統本身在尖峰時刻補足電網之不足,或利用雙向的併網逆變器,擔任太陽能發電場的角色。若有適當政策將太陽能發電場或自用電廠所產生的電力輸出給電網,並採用淨計量電價的模式,就同時可以達到兩用效果。
第三種來源,同時也是接收/儲存點,則是電池。最近的趨勢是利用電池續航力高的鋰電池來快速充電,放電深度與容積效率都非常高,也可以將電池放在地底下以節省建物空間。這些鋰電池組件會以適當的串並聯組合放置,並分為好幾個組列。
電池的末端有一個接線盒,以及同時扮演監督者角色的終止裝置。每個電池都有一個資料埠,通常為CAN或RS485,都以菊環鏈模式輸出到終止裝置,終止裝置就能從最頂層了解每一個電池、組列或整個蓄電池組的健康狀態─這基本上是一種資料集中器和交換裝置,讓電池組件連接或中斷電路。此外,其還能和中央控制進行通訊,決定電池要充電還是放電。
圖2很清楚描繪出電源系統的架構,這是一種模組化的系統,可擴充到適當規模,模組通常都可擴充,每個3~5kW且搭配通訊匯排流,多半是CAN或MODBUS/RS485。中央控制器隨時都可以根據功能需求來配置模組—無論是充電管理、負載管理或診斷檢查。中央控制器內部經過布建可偵測能源使用狀況,基本上就是每小時消耗、儲存和產生/輸出多少kW的電力;同時還能與工業標準的電度表通訊,達到計費、費率設定等目的。
圖2 後段的能源系統架構
SiC提升電源轉換功率密度/效率
DC-DC轉換器模組接收DC匯流排的輸出。依照連結的車輛種類,還有與車輛電池管理系統規定電壓和電流相關需求,中央控制器會將DC-DC轉換器配置到通訊匯流排,這種選項通常用在DC快速充電,還可同時搭配多個DC-DC轉換器模組以達到負載。
DC-AC逆變器也是接收DC匯流排的輸出,但專門用於只能接受AC充電或一般慢充應用的車輛。這種雙向的逆變器可達到兩種功用:一是對DC匯流排輸出以滿足需求,二則是當充電站處於空轉狀態,抑或尖峰時段必須利用充電站來補強電網不足,便可反向對電網輸出電力。目前任何一種電源轉換模組的關鍵效率指數包括下列兩項指標:
.高效率
端對端>95%,為現今已經可以實現的數字。
.高功率密度
有助於縮小系統體積,因為建物空間是主要部署成本之一。
以上兩點都可以藉由先進的晶片技術達成。寬能隙(Wide Band Gap)半導體,尤其是碳化矽(SiC)元件,能在高切換頻率、更高的接面溫度下運作,而且效率更高。除此之外,還可自動縮小磁性元件和電容器等被動元件的尺寸。因為有更好的磁性元件材料,在設計上得以縮小體積並降低耗損,因此可以處理更高的功率。
中央控制器四功能確保穩定充電
中央控制器為充電站的大腦,功能包含最基本的使用者/訂戶的辨識及互動,甚至是確保車輛以最適方式充電,結合高效能運算、聯網與感測功能,功能強大。主要功能如下:
.使用者身份與支付
就使用者而言這是最常見的功能,透過智慧卡、一次性密碼(OTP)、支援NFC功能之手機,甚至藍牙執行。所有次要系統都由面板的微處理器/微控制器(MPU/MCU)控制。
.電源管理
這是充電站最重要但也最不顯眼的部分。系統控制器會持續監測電源情境:也就是供與需,接著決定如何從供應端滿足需求。無論光靠太陽能是否足以供應負載,或必須結合太陽能和儲存的電力,又或是同時需要從電網提供部分輸入。有些情境下可能會出現供給過剩或需求過高的狀況,其有足夠的智慧功能,可透過更改上述各種電源模組的設定,根據實際狀況傳送電力。
.聯網功能
最新的充電站和相關部署,都必須連上雲端以進行遠端監測及控制;且必須定期與中央管理系統(CMS)對話、回報轉移狀況、參數、診斷結果和運轉數據;同時需要接收來自中央管理系統的運轉指令及設定。因此目前已有多種聯網選項,包括有線及無線。3G/4G、Wi-Fi、乙太網路,甚至是LoRa,都已經用來進行遠端監測。
.保護、診斷和回報錯誤
為了防止故障,系統具有動作迅速的保護機制,會因為大浪或雷擊等外部事件、運轉方面的問題、意外或刻意的誤用/濫用,或者是短路、超溫或過電壓/過電流狀況而驅動。為持續降低運轉成本並將故障時間減至最低,系統會自動回報可能經常發生的問題。模組化的建構方式讓系統可以準確指出現場有哪個故障部分必須更換,這樣技術人員就能在抵達現場前做好準備。
以上簡單介紹太陽能電動車充電系統部署方式。讀者可以到位於印度諾伊達(Noida)的意法半導體印度開發中心,體驗可行的解決方案和各種子模組,也可以根據OEM代工業者的個別需求提供客製化的設計。電子行動和電動車的充電基礎架構是關鍵的焦點領域之一,相關研究也正如火如荼進行,希望解決上述所有功能模組的高效率問題。目前已有端對端晶片可讓電動車充電站得以成真,還有許多設計參考架構加速產品上市時間。
(本文作者任職於意法半導體)
意法宣布完成Norstel AB併購
意法半導體(ST)宣布完成對瑞典碳化矽(SiC)晶圓製造商Norstel AB(Norstel)的完整收購。在2019年2月宣布首次交易後,意法半導體行使期權,完成收購剩餘的45%股份。Norstel併購案總金額達1.375億美元,由現金支付。
意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示,在全球碳化矽産能受限的大環境下,併購Norstel將有助於強化ST內部的SiC生態系統,同時提升該公司的生產彈性,讓公司能夠更完善地控制晶片良率和改善品質,並支援碳化矽長期的產品規劃和業務發展。實施此次併購與第三方簽署晶圓供應協議,目的是為確保晶圓的供給量,以滿足在車用和工業領域之客戶在未來幾年對於MOSFET和二極體成長的需求。
Norstel將被整合到意法半導體的全球研發和製造業務中,並持續研發150mm碳化矽裸片和外延片生產業務,以及研發200mm晶圓和更廣泛的寬能隙材料。
Si/SiC/GaN各擅勝場 功率開關元件選用要仔細
Si/SiC/GaN材料特性比較
目前,市場上絕大部分的功率元件從20V到數kV都是以矽的技術為基礎,當矽的技術到達其極限,材料性質就會限制住功率半導體元件的效率提升空間,金氧半場效電晶體(MOSFET)是最常見的功率半導體元件,其導通電阻受限於崩潰電壓,也就是磊晶層的特性,導通電阻的公式如公式1:
公式1
簡化之後,就是「矽的極限」關係式
...
電源供應市場帶頭衝 GaN功率IC商機超展開
氮化鎵(GaN)功率半導體可望大發利市。5G、AIoT時代來臨,許多創新技術應用如自駕車、電動車、無線充電、擴增實境(AR)、工業智動化、無人機,甚至5G基地台,對於能源效率的要求將顯著增加。可較現今矽(Si)功率元件實現更高轉換效率的GaN技術,遂成為各界關注焦點,並吸引許多半導體業者爭相投入布局。
根據市場研究機構Yole Développement指出,與矽功率半導體328億美元的產值相比,GaN功率市場規模仍相當小,但該技術已開始滲透至各種應用領域,其中,又以電源供應為主要應用,如手機的快速充電器。
據了解,Anker可以說是目前市場上導入GaN功率技術最積極的行動週邊裝置製造商,其行動充電器PowerPort Atom PD第一代至第三代,以及PowerPort系列部分產品,和另一個PowerCore Fusion產品,都已開始導入GaN技術。另外,Aukey、RavPower、Mu One等廠商也有採用。
行動週邊裝置品牌廠Anker自2018下半年起,已開始導入GaN功率元件,打造兼具輕巧、高功率密度的充電器。(圖片來源:Anker)
除了行動充電器外,自駕車光達(LiDAR)、資料中心伺服器、電動車,以及無線充電,亦是GaN功率半導體極具成長性的應用。Yole認為,GaN功率半導體能帶來更高的節能效益,因此相關技術研發能量不斷增加,商用產品也開始問世,整體GaN功率元件市場規模自2016年起已逐步放量;若情況樂觀,預估2017~2023年的複合成長率(CAGR)可高達93%,達到4.23億美元規模。
Yole Développement預估,在最佳狀況下,2017~2023年GaN功率半導體市場將可達到93%的年複合成長率。(資料來源:Yole Développement)
大廠加入量產行列 GaN發展更入佳境
2018年6月,功率半導體大廠英飛凌(Infineon)正式宣布於年底開始量產CoolGaN 400 V及600 V e-mode高電子遷移率電晶體(HEMT),為GaN功率技術的發展打了一劑強心針。
Yole技術與市場分析師Ezgi Dogmus認為,這家電源解決方案的領導廠商開始量產GaN的宣布,對GaN功率元件市場來說是一個重要的象徵。目前英飛凌已經擁有許多客戶在使用他們的矽解決方案,而未來這些客戶都有機會能轉移到GaN技術。
英飛凌高電壓轉換部門資深協理Steffen Metzger表示,GaN市場已經獲得強大動能,在特定應用中採用此項技術帶來大幅優勢。從降低營運支出及資本支出,提升功率密度實現更精巧輕盈的設計,乃至於減少整體系統成本,產生的效益相當具有說服力。英飛凌深信,GaN是電源管理的下一個明日之星。該公司已經做好所有準備,以達成在GaN電源方面成為客戶首選的目標。
就在英飛凌發布GaN量產消息後沒多久,意法半導體(ST)也宣布要由原本碳化矽(SiC)的發展,擴大延伸到GaN技術領域,將和法國技術研究機構CEA-Leti合作研發GaN-on-si技術,利用Leti的8吋研發產線進行二極體和電晶體開發。雙方預期在2019年完成驗證工程樣品。同時,意法半導體也預計2020年將在該公司位於法國圖爾市的前段晶圓廠中,建造完全符合規範的生產線(包含GaN-on-Si異質磊晶製程),以做為初期生產之用。
除了整合元件製造商(IDM)發展力道愈來愈強,這些年來聚焦GaN功率元件開發的新創公司也不斷冒出,前面提及的EPC、Transphorm、GaN Systems是相對較早成立的,其他還有Tagore、Exagan、Navitas、VisIC、Dialog Semiconductor、GaNPower International、NEXGEN Power Systems等。
這些新創大都是無晶圓廠(Fabless)的公司,選擇以委外給晶圓廠生產的商業模式,多半使用台積電、漢磊(Episil)或X-Fab做為他們主要選擇。未來,一旦市場規模擴大,晶圓代工的商業模式將讓這些無晶圓廠新創公司有望快速成長茁壯。
顯而易見,現今的GaN功率元件市場可說是老將新秀同台較勁、競相逐鹿,使得整體市場戰火正快速升溫,為了端出更具競爭力的產品方案,許多廠商已積極投入整合型方案研發。
目前市場上的整合型GaN功率元件可概分為兩種,一種是封裝層級的整合,將GaN電晶體與驅動器整合成單一封裝,多半針對650V以上的應用;另一種是在裸晶層級上整合GaN電晶體與驅動器,也就是達到所謂的單體式整合(Monolithically Integrated),此類產品供應商以EPC和Navitas為代表,多半針對600V以下的消費性應用。
由於消費性應用如行動裝置充電器,需求規模龐大,對GaN業者而言,是滋養茁壯的重要養分,因此為了迎合市場輕巧外觀的設計要求,走向高整合設計方案將勢在必行。
imec製程技術助攻 GaN加速實現單體整合
有鑑於市場對更高整合度GaN功率元件的發展需求,奈米電子和數位科技研究與創新中心imec,利用其GaN-on-SOI和GaN-on-QST技術平台,發布一款與驅動器單體整合且功能完整的GaN半橋IC。
半橋是一種在電力系統中常見的次電路,是由離散元件所組成,特別是用在較高電壓範圍的應用。要利用GaN-on-Si技術在晶片上實現半橋電路,極具挑戰,特別是高電壓的設計,這是因為基於GaN-on-Si技術所設計的半橋電路,會產生「後閘效應(Back-gating Effect)」,進而對半橋電路的高側端開關(High-side Switch)造成負面影響,而切換雜訊也會對控制電路造成干擾,抑制整體效能表現。
imec解決方案是建立在imec的GaN-on-SOI和GaN-on-QST技術平台,透過埋入式氧化物(Buried Oxide)和氧化物填充的深溝槽隔離設計,讓功率元件、驅動器和控制邏輯能夠達到電氣隔離。這種隔離機制能減少有害的後閘效應對半橋高側端開關的負面影響,更能減少切換雜訊對控制電路的干擾。
此外,imec的技術平台也藉由整合電位轉換器(Level Shifter)(用來驅動高側開關)、停滯時間控制器(Dead-time...
是德科技提供可靠的功率元件設計解決方案
是德科技(Keysight Technologies)是推動全球企業、服務供應商和政府機構網路連接與安全創新的技術領導廠商,該公司日前宣布獲選為ON Semiconductor的電子設計自動化合作夥伴,為其功率元件提供設計解決方案,以達到提高可靠性並加快產品上市時間的目標。
節能需求正驅動著功率元件產業加速創新,因而需要更高效率和更高功率密度的電源供應器及太陽能變頻器。電動車追求每次充電只需更短的時間便能行駛更遠距離的目標。寬能隙材料,如碳化矽和氮化鎵等新一代材料,是能夠有效提高效率的技術,可為未來的應用提供高效能和高效率的動力。
功率元件製造商需為這些新材料提供可靠的設計解決方案。是德科技功率電子設計軟體套件專為功率電子工程師而設計,讓他們能利用完整的設計工作流程進行功率元件設計。
有了是德科技功率電子設計解決方案,能以前所未有的準確度和靈活性,研究新設計及元件的交互作用,進而實現基於寬能隙的功率元件應用。此外,是德科技先進設計系統(ADS)軟體與ON Semiconductor先進物理SPICE模型的無縫整合,使得該公司首次能夠研究元件與環境的交互作用,以便深入洞察最佳應用設計,讓我們的內部測試電路和客戶皆受益。
是德科技功率電子設計解決方案整合了電磁場解算器,方便設計工程師以圖形化方式查看設計效果,毋須耗時建構和測試原型,如此可增強設計工程師的信心,並且讓產品更快問市。