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Arm架構處理器發威 日本搶下Top 500冠軍寶座

國際超級電腦大會宣布,由日本國立研究開發法人理化學研究所(RIKEN)與富士通公司共同開發、以Arm技術架構為基礎的富嶽(Fugaku)超級電腦,奪下最新一期500大超級電腦(TOP500)排行榜的第一名。2019 年 11月才被提名為Green500名單中,全球最高效率超級電腦殊榮的富嶽超級電腦,2020年再次獲得「高效能共軛梯度」(HPCG)名單中的最高榮譽。這份名單橫跨真實世界應用與 HPL-AI 的基準排名,其中HPL-AI 是人工智慧應用中藉以評比作業任務的效能。 在最新一期Top 500榜單中,富嶽以Linpack運算性能達到415.5 petaflops奪下冠軍,是排在第二位的美國橡樹嶺國家實驗室IBM Summit的2.8倍。第三名則是美國羅倫斯利佛摩實驗室的Sierra,中國的神威太湖之光、天河二號 A 分別排名第四和第五。富嶽使用的作業系統爲Red Hat Enterprise Linux 8和 McKernel(輕量級多內核操作系統)。 最新版Top 500超級電腦排行榜前五強(資料來源:Top 500官網) Arm資深副總裁暨基礎架構事業群總經理Chris Bergey表示,Arm在近十年前就已投入高效能運算(HPC)。從2010年代初期的白朗峰(Mont-Blanc)專案開始,當時巴塞隆納超級電腦中心著手研究利用Arm架構的叢集打造HPC的潛力,直到2020年富嶽超級電腦奪下Top500名單的榜首,Arm在高效能運算領域已經大有斬獲。僅僅 18 個月內,Arm已在整個生態系中看到顯著的動能。 HPC 的重點就是擴展運算的極限,在此人工智慧與 5G 的年代,Arm 看到了演進的新浪潮。運算效率的重要性更勝以往,且開發人員需要更高的彈性與效率,雲端則帶動橫跨整個基礎架構的巨變,而許多廠商也需要更多的選擇。而Arm在開發Arm...
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卡位MRAM/FRAM/PCRAM 半導體業者布局各有盤算

物聯網(IoT)、人工智慧(AI)、5G、工業4.0等應用推升資訊量暴漲,使得DRAM、SRAM、NAND Flash等傳統記憶體的儲存效能逐漸遇到瓶頸,同時在高速運算方面也受到了阻礙。為克服此一挑戰,產官學各界紛紛加大新興記憶體的研發以及投資力道,相關解決方案陸續問世,期能在未來取代傳統DRAM、Flash和SRAM三大記憶體產品。 MRAM成主要發展方向 新興記憶體如雨後春筍般浮現,其中MRAM備受期待的原因,除了其具備更好的儲存效能之外,另一個原因在於MRAM的特性可以滿足製程微縮需求,因此被視為極具吸引力的記憶體方案。所以,不論是學界或是半導體產業,多以MRAM為主要的發展目標,希望能早日拓展MRAM市場普及率。 三星宣布開始量產28nm FD-SOI製程eMRAM 布局MRAM市場,三星電子(Samsung)宣布已開始量產28nm FD-SOI製程的商業化嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。三星指出,該公司克服了eMRAM可擴展性挑戰的技術障礙,並將製程節點發展到28nm,除了實現更低成本、更佳功率、速度之外,還能讓產品依舊保有非揮發性、隨機存取和高耐久性等特徵。 據悉,基於此一製程的eMRAM解決方案可提供更好的功率、讀寫速度和更低成本等優勢。由於eMRAM不需要在寫入數據前進行抹寫循環(Erase Cycle),因此eMRAM的寫入速度和傳統快閃記憶體相比快了1,000倍。另外,eMRAM的使用電壓低於傳統快閃記憶體,具有低功耗特性,且在待機狀態下不會耗電,因此能提高能源效率。 三星晶圓代工行銷副總裁Ryan Lee表示,在克服新材料的複雜挑戰後,該公司開發了eMRAM技術,並將eMRAM與現有成熟的邏輯製程結合,以提供獨特的競爭優勢和量產可能,滿足客戶和市場需求。 透過與28nm FD-SOI製程結合,以實現更好的電晶體控制(Transistor Control)和降低洩漏電流,此一方案將可滿足MCU、IoT和AI等各式應用需求。另外,在宣布可量產28nm FD-SOI製程的eMRAM解決方案後,三星也計劃擴展其eMRAM解決方案,除了在2019開始生產1Gb eMRAM測試晶片之外,也預計2020年積極推廣18nm FD-SOI eMRAM。 結合MRAM 群聯讓SSD效能再攀升 另一方面,隨著企業伺服器應用近年來逐漸大量採用SSD已是主流趨勢,而如何透過整合各種新興記憶體技術來提升現行主流SSD的效能及可靠度也逐漸成為研發企業級SSD時不斷探討的議題。因此,群聯電子便嘗試將企業級SSD方案整合MRAM,以拓展高階儲存應用市場。 群聯電子技術長馬中迅(圖1)表示,5G將會對儲存產業帶來明顯的轉變,5G的特點包括頻寬高、速率快、延遲性低,因而可以傳輸、擷取大量的聯網裝置資料;因此,對於儲存產品而言(例如SSD),也必須要呼應到5G的特點。同時,由於AI應用的興起,高速運算的需求增加,這也會對儲存產品有更高的性能和容量要求,基於5G和AI的變化,記憶體業者開始強化儲存架構,朝更快、容量更大邁進。 圖1 群聯電子技術長馬中迅指出,5G將全面改變各種應用體驗,記憶體效能也須跟著提升。 為此,群聯宣布與Everspin策略聯盟,正式整合Everspin的1Gb STT-MRAM至群聯次世代的企業級SSD儲存解決方案設計,持續引領快閃記憶體控制晶片設計方向。 馬中迅指出,MRAM是一種非揮發性記憶體技術,其特色除了具有低功耗及讀寫速度高於NAND等之外,還包括斷電時資料不會遺失。雖說目前的記憶體技術或SSD等儲存技術也有斷電資料保存方案,但這需要一些成本、時間和技術代價,但若改用MRAM,可以進一步優化無預警斷電的資料防護機制(也就是恢復時間更快)。而SSD搭配MRAM後,更能提升SSD的效能,對於群聯持續布局企業伺服器SSD高階儲存應用市場為一大助力。 據悉,整合Everspin的1Gb STT-MRAM至群聯的快閃記憶體控制晶片設計及SSD儲存方案,將能協助該公司超大型數據中心客戶及企業OEM夥伴提升整體SSD效能、降低資料延遲,以及提升服務質量(Quality of Service, QoS)。 讓儲存更穩/更好 工研院積極研究SOT-MRAM AI、5G等應用推升資訊量呈現爆炸性的成長,因應如此龐大的資料儲存、傳輸需求,新興記憶體備受關注。為此,工研院也致力研發新一代MRAM技術,除了引領業者創新研發方向外,也希望能藉此加快新興記憶體發展腳步。 工研院電光系統所所長吳志毅表示,5G與AI時代來臨,摩爾定律一再向下的微縮,半導體走向異質整合,不同的技術整合性越來越強,能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來扮演更重要角色。MRAM速度快、可靠性好,適合需要高性能的場域,像是自駕車,雲端資料中心應用等,未來應用發展潛力可期。 據悉,在MRAM技術的開發上,工研院於IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM)中發表自旋軌道轉矩(Spin Orbit Torque, SOT)MRAM相關的最新研究成果。 吳志毅指出,相較於台積電、三星等公司即將導入量產的第二代MRAM技術(STT-MRAM),SOT-MRAM為全球積極研究中的最新第三代技術,以寫入電流不流經元件磁性穿隧層結構的方式運作,避免現有MRAM操作時,讀、寫電流均直接通過元件對元件造成損害的狀況,同時也具備更穩定、更快速存取資料的優勢。 吳志毅補充,更重要的是,SOT-MRAM的讀寫次數更優於STT-MRAM。假設目前STT-MRAM的讀寫次數為10的10次方左右,那麼新一代SOT-MRAM的讀寫次數則可達到10的14次方左右。換言之,SOT-MRAM不僅能夠更穩定、更快速存取資料,且讀寫次數大幅增加,因而有望滿足更多高速運算應用。 FRAM方案持續問世 材料為普及挑戰 相較於其他以MRAM為主的業者,日本記憶體大廠富士通(Fujitsu)則是致力推動FRAM,並持續推出相關解決方案。例如日前富士通便發布可在攝氏高達125度的高溫下運作的新款2Mbit...
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富士通新款2 Mbit FRAM適用高溫環境

富士通宣布推出型號為MB85RS2MTY的2 Mbit FRAM。此款容量最高的FRAM產品能在高達攝氏125度的高溫下運作,其評測樣品現已開始供應。 此款FRAM非揮發性記憶體在運作溫度範圍內能保證10兆次讀/寫週期,並支援像記錄駕駛資料或即時定位資料等這類持續且頻繁的資料記錄。由於該記憶體屬於非揮發性,即使遇到突然斷電的狀況,寫入的資料也能受到保護不會遺失。因此,這款產品適用於需在高溫環境中運作的應用,像是具有會產生大量熱能的引擎或馬達的汽車設備與工業機器人。 富士通在過去約20年量產各種FRAM非揮發性記憶體產品,具備比EEPROM及快閃記憶體更高的讀/寫耐用度、更快的寫入速度及更低的功耗。近幾年來,這些產品被廣泛應用於穿戴裝置、工業機器人與無人載具。 這款擁有2 Mbit密度的產品採用SPI介面,支援從1.8伏特至3.6伏特的廣泛電壓範圍,且運作耐熱度可高達攝氏125度;即使在這樣的高溫環境也能保證10兆次的讀/寫次數,相當於EEPROM的一千萬倍,而最高運作頻率則達到50MHz,比現有產品快1.5倍。此外,這些產品的可靠度測試符合AEC-Q100 Grade 1標準,達到被稱為「汽車級」產品的認證標準。 此款FRAM採用業界標準8-pin SOP封裝,使其能輕鬆取代現有類似腳位的EEPROM產品。此外,也提供擁有8-pin DFN(Dual Flatpack Non-leaded)的封裝。
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富士通推出全球最高密度8Mbit ReRAM產品

富士通宣布推出8Mbit ReRAM「MB85AS8MT」,此款全球最高密度的ReRAM量產產品由富士通與松下電器半導體(Panasonic)合作開發,將於2019年9月開始供貨。MB85AS8MT是採用SPI介面並與電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)相容的非揮發性記憶體,能在1.6~3.6伏特之間的廣泛電壓範圍運作,其一大特色是極低的平均電流,在5MHz工作頻率下僅需0.15mA讀取資料,這讓需透過電池供電且經常讀取資料的裝置能達到最低功耗。MB85AS8MT採用極小的晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP),所以非常適用於需電池供電的小型穿戴裝置,包括助聽器、智慧手錶及智慧手環等。 富士通提供各種鐵電隨機存取記憶體(FRAM)產品,能提供比EEPROM與快閃記憶體更高的耐寫次數與更快的寫入速度。富士通的FRAM產品以最佳的非揮發性記憶體聞名,尤其是需要非常頻繁記錄及保護寫入的資料以避免突然斷電時導致資料遺失。但同時,也有些客戶提出需要較低電流讀取運作的記憶體,因為他們的應用僅需少量的寫入次數,卻極頻繁地讀取資料。 為滿足此需求,富士通開發出新型態的非揮發性ReRAM記憶體「MB85AS8MT」,兼具「高密度位元存取」及「低讀取電流」的特色。其為全球最高密度的8Mbit ReRAM量產產品,採用SPI介面、支援1.6~3.6伏特的廣泛電壓,且包含指令與時序在內的電氣規格都相容於EEPROM產品。 「MB85AS8MT」最大的特色在於即使擁有超高密度,仍能達到極小的平均讀取電流。例如,在5MHz的工作頻率下,平均讀取電流為0.15mA,僅相當於高密度EEPROM元件所需電流的5%。 因此,在需要透過電池供電的產品中,像是特定程式讀取或設定資料讀取這類需要頻繁讀取資料的應用中,透過此記憶體的超低讀取電流特性,該產品即能大幅降低電池的耗電量。 在5MHz的工作頻率下,MB85AS8MT的平均讀取電流僅為高密度EEPROM元件的5%。除了提供與EEPROM相容的8針腳小外形封裝(SOP)外,還可提供2mm×3mm的超小型11針腳WL-CSP,適用於裝設在小型穿戴裝置中。高密度記憶體與低功耗的MB85AS8MT採用極小封裝規格,成為最適合用於需以電池供電之小型穿戴裝置的記憶體,像是助聽器、智慧手錶及智慧手環等。富士通將持續致力研發最佳記憶體,支援客戶對各種特殊應用的需求。  
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美信心率感測器被富士通應用於最新款智慧手機

美信(Maxim)宣佈,MAX30101心率感測器被富士通互聯技術有限公司成功地應用到最新款Raku Raku F-01L智慧手機。該智慧手機可以測量心率和睡眠狀況,用於計步器等應用程式中。憑藉MAX30101,智慧手機還可以測量血壓和動脈老化(血管老化)狀況。Raku Raku F-01L智慧手機是備受老年人歡迎的系列產品之一,其設計宗旨是確保那些首次使用智慧手機的用戶也能擁有輕鬆舒適的體驗。 基於富士通互聯技術公司開發的複雜演算法,MAX30101可以支援高精確度的生命體徵測量。該元件是Maxim生物感測器系列產品之一,面向健康應用領域。該模組將多功能集於一體,提供了一套完備的系統方案,大幅簡化行動和可穿戴設備的開發進程。此外,其內部LED可分別在1.8V單電源和5.0V獨立電源輸入下工作。元件支援軟體關斷,待機電流接近於零,允許電路始終保持通電狀態。模組通過標準的I2C相容介面通信,工作在-40°C至+85°C溫度範圍。 富士通互聯科技有限公司業務部副部長兼產品部總經理Naohide Kushige表示,這項應用可有效獲取最新的生命體徵資料,進一步改善Raku Raku F-01L智慧手機的用戶體驗,支援用戶的健康監測。富士通希望這一舉措能夠幫助人們更加關注自身健康,引領更健康的生活。Maxim Integrated工業與醫療健康事業部總經理 Andrew Baker則表示,透過支援智慧手機用戶在行動端獲取醫療健康資料,此項技術正在協助實現一個更健康的世界。
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