宜普
EPC新推100V eGaNFET產品 力助車載娛樂/雷達系統革新
增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款100V eGaN FET(EPC2218及EPC2204),性能更高並且成本更低,可立即供貨。採用這些先進氮化鎵元件的應用非常廣,包括同步整流器、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂系統、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)和面向全自動駕駛車輛、機械人及無人機的雷射雷達系統。
EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。與基準矽元件相比,這兩款氮化鎵元件的性能更高。
EPC2204的導通電阻降低了25,但尺寸卻縮小了3倍。與基準矽MOSFET元件相比,其閘極電荷(QG)小超過50%,並且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),進而使得D類音訊放大器可以實現更低的失真和更高效的同步整流器和馬達控制器。
EPC首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示,大家預計最新一代且性能優越的100V eGaN FET的價格更高。但這些最先進的100V電晶體的價格与等效老化元件相近。該公司為設計工程師提供的氮化鎵元件的優勢是性能更高、尺寸更小、散熱效率更高且成本相近。氮化鎵元件正在加速替代功率MOSFET元件。
宜普新200V氮化鎵產品系列性能加倍
宜普電源轉換公司(EPC)推出的兩款200V eGaN FET(EPC2215和EPC2207),性能更高的同時成本更低。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊,包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器(MPPT)、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式),以及多電平高壓轉換器。
EPC2215(8mΩ、162Apulsed)和EPC2207(22mΩ、54Apulsed)的尺寸比前代200V eGaN元件大約縮小50%,而性能卻倍增。EPC2215的導通阻抗降低了33%,但尺寸卻縮小了15倍。其閘極電荷(QG)較基準矽MOSFET元件小十倍,並且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),從而使得D類音訊放大器可以實現更低的失真,以及實現更高效的同步整流器和馬達控制器。
EPC首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示,最新一代的eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內,實現更高的性能,而且其成本與傳統MOSFET元件相若。氮化鎵元件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET元件的趨勢日益明顯。
EPC公司與德克薩斯大學奧斯丁分校的半導體功率電子中心(SPEC)合作開發了的400V、2.5kW、基於eGaN FET、四電平飛跨電容(FCML)圖騰柱無橋整流器,適用於資料中心,它使用了全新的200V氮化鎵場效應電晶體(EPC2215)。德克薩斯大學奧斯丁分校的Alex Huang教授說,氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的優越特性使得轉換器能夠實現高功率密度、超高效率和低諧波失真。
EPC更新GaN功率電晶體/積體電路系列Podcast
宜普電源轉換公司(EPC)更新其「如何使用氮化鎵元件」的影片Podcast系列。該影片系列的內容是依據最新出版的《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》第三版教科書的內容製作。合計共14個教程的影片Podcast系列旨在為功率系統設計工程師提供基礎技術知識及針對專有應用的工具套件,進而讓工程師學習如何採用氮化鎵電晶體及積體電路,設計出更高效的功率轉換系統。
宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow表示,這個影片系列幫助設計工程師瞭解氮化鎵技術的獨有優勢,以及如何發揮其特性,進而設計出高效的功率轉換系統。最重要的是,該公司希望縮短設計工程師的學習曲線,讓他們發揮氮化鎵功率半導體的高頻開關及高性能等優勢。
首先上載到宜普公司的網站的7個影片是關於氮化鎵電晶體及積體電路的理論和設計基礎知識的概述,包括材料比較、構建氮化鎵電晶體、性能特性、閘極驅動器、布局、散熱管理,以及模型及測量。
該公司即將發布影片系列第二部份的其他7個教程,為工程師提供基於氮化鎵電晶體的廣泛應用的實用範例,包括面向通訊及數據通訊系統的DC/DC轉換系統。此外,該教程系列涵蓋具備卓越性能的氮化鎵元件如何推動各種新興應用的發展,包括針對全自動駕駛汽車及機械人的雷射雷達/ToF技術、不用電源線的無線功率傳輸應用,以及面向通訊系統的射頻波峰追蹤應用。
EPC可靠性測試報告表示eGaN元件較矽MOSFET更穩定
宜普電源轉換公司(EPC)日前發布第十一階段可靠性測試報告,與工程師分享受測元件如何實現優越的現場可靠性的策略—在廣闊測試條件下,採用失效性測試元件(Test-to-fail)的反覆測試方法,進而知道如何構建更穩固的產品以達到應用所需,例如面向全自動駕駛車輛的雷射雷達、LTE通訊基地台、汽車的車頭燈及衛星等應用。
宜普電源轉換公司的首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow博士表示,氮化鎵(eGaN)元件實現量產已經超過十年。這些元件在實驗室測試及在客戶的量產產品和應用中,都展示出高可靠性。該公司的第十一階段可靠性測試報告旨在繼續實踐的承諾—與工程師分享這十年間所累積的數百萬個元件-小時的測試經驗及五代技術的知識。這些可靠性測試讓該公司進一步瞭解氮化鎵元件在廣闊的應力測試條件下的性能。
失效性測試元件方法是比較數據表上所列出的元件限制值和應用中產品的性能,從而知道元件的工作極限。最重要的是,可以知道元件的固有失效機理,從而找出失效的根本原因。如果知道元件在工作一段時間後的性能、溫度、電氣或機械應力情況,工程師就可以知道該產品在一般工作條件下的實際安全工作壽命。
這個報告共計七個部分,每個部分描述各種不同的失效機理,有包含影響eGaN元件的閘極的固有失效機理、動態導通電阻的固有機理、安全工作區域(SOA)、在短路情況下測試元件至失效、採用專有的測試方法,長期置元件於雷射雷達脈衝應力條件下,測試及分析元件的可靠性、機械力的應力測試,以及元件的現場可靠性。
EPC推高功率密度應用ePower功率級積體電路系列
宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出80V、12.5A的功率級積體電路,專為48V DC/DC轉換而設計,用於具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。
宜普電源轉換公司首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示,離散式功率電晶體正在進入最後發展階段。矽基氮化鎵積體電路可以實現更高的性能、占板面積更小,省卻很多所需工程。該全新功率級積體電路系列是氮化鎵功率轉換領域的最新發展里程,從整合多個離散元件,以至整合更複雜的解決方案都可以,進而實現矽基解決方案所不能實現的電路性能、使得功率系統工程師可以更容易設計出高效的功率系統。
EPC2152是一個單晶片驅動器並配以基於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)、採用EPC專有的氮化鎵積體電路技術的半橋功率級。在單晶片上整合輸入邏輯介面、電平切換電路、自舉充電電路、閘極驅動器的緩衝電路及配置為半橋元件的輸出氮化鎵場效應電晶體,進而實現晶片級LGA封裝、細小的外形尺寸(3.9毫米×2.6毫米×0.63毫米)。
當48V轉到12V的降壓轉換器在1 MHz的開關頻率下工作,EPC2152 ePower 功率級積體電路可實現高於96% 的峰值效率,相比採用多個分立元件的解決方案,這個積體電路在PCB的占板面積少33%。
該系列在未來會進一步推出採用晶片級封裝(CSP)及多晶片四方偏平模組(QFM)的功率級IC。在未來一年內將推出可在高達3至5 MHz頻率範圍工作、每級功率級的電流可高達15A至30A的產品。