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(更新)國防/電信驅動RF GaN需求 專利申請戰全面啟動
電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展。根據市調機構Yole Développement調查指出,RF GaN產業於2017~2023年間的年複合增長率達到23%。隨著市場不斷地發展,截至2017年底,RF GaN市場產值已經接近3.8億美元,2023年將達到13億美元以上。
目前國防仍是RF GaN的主要市場,因為其專業化的高性能需求和價格敏感度(Price Sensitivity)較低,因而為以GaN為基底的產品提供了許多機會。2017~2018年,國防領域占了RF GaN市場總量的35%以上,完全沒有減少的趨勢。Yole Développement資深技術與市場分析師Hong Lin表示,這個重要的GaN市場將持續與GaN的整體滲透力一起成長。
RF GaN已經被工業廠商認可,並明顯地成為主流。領先的參與者正快速地增加收入,這種趨勢在未來的幾年內將保持不變。從智慧財產的角度來看,美國和日本主導著整個RF GaN智慧財產生態系。
Knowmade執行長兼聯合創始人Nicolas Baron評論,科銳(Cree)毫無疑問地擁有最強的智慧財產地位,尤其是以碳化矽(SiC)為基底的GaN高電子遷移率電晶體(High-electron-mobility transistor, HEMT) 。另一家RF GaN元件的市場領導者--住友電氣工業,專利地位也不錯,但仍落後於Cree,且專利布局動作有放緩趨勢。反觀,富士通、東芝(TOSHIBA)和三菱電機(Mitsubishi Electric)等其他日本公司則正在加快他們的專利申請,因此現在也擁有強大的專利組合。
Baron進一步說明,Cree也在RF GaN HEMT智慧財產的競賽中處於領先地位。針對Cree的 RF GaN專利組合分析顯示,它可以有效地限制該領域的專利活動,並控制大部分關鍵國家其他企業的自由營運(Freedom to Operate, FTO)。
另一方面,英特爾和MACOM目前也十分積極進行RF...