吳志毅
工研院發布新世代MRAM/FRAM技術 推動新興記憶體發展
AI、5G等應用推升資訊量呈現爆炸性的成長,因應如此龐大的資料儲存、傳輸需求,在DRAM、SRAM、快閃記憶體等存在已久的記憶體技術愈顯吃力的情況下,新興記憶體備受關注。為此,工研院近期於IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM)上發表新一代 FRAM與MRAM 技術進展,除了引領業者創新研發方向外,也希望能藉此加快新興記憶體發展腳步。
工研院電光系統所所長吳志毅表示,5G與AI時代來臨,且產生的資料量更多、更廣,因此會有更大的儲存需求;而要有更快的運算效率,意味著記憶體的讀取速度也要再加快。因此,5G、AI的出現,驅使記憶體朝更大容量、更快讀取速度發展,也因此,各大記憶體業者開始加快並投入更多資源開發新興記憶體,能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來扮演更重要角色,期能在日後取代目前主流的三大記憶體產品(分別為DRAM、Flash和SRAM)。
工研院電光系統所所長吳志毅。
吳志毅說明,新興的FRAM及MRAM讀寫速度比大家所熟知的快閃記憶體快上百倍、甚至千倍。其中,FRAM的操作功耗極低,適合IoT與可攜式裝置應用,而MRAM速度快、可靠性好,適合需要高性能的場域,像是自駕車,雲端資料中心應用等,兩者都是非揮發性記憶體,均具備低待機功耗、高處理效率的優勢,未來應用發展潛力可期,而工研院也積極研發新一代的FRAM和MRAM技術,加快普及速度。
首先在MRAM技術的開發上,工研院於IEDM上發布自旋軌道轉矩(Spin Orbit Torque, SOT)MRAM相關的最新研成果。相較於台積電、三星等公司即將導入量產的第二代MRAM(STT-MRAM)技術,SOT-MRAM為全球積極研究中的最新第三代技術,以寫入電流不流經元件磁性穿隧層結構的方式運作,避免現有MRAM操作時,讀、寫電流均直接通過元件對元件造成損害的狀況,同時也具備更穩定、更快速存取資料的優勢。目前相關的技術已成功導入工研院自有的試量產晶圓廠,後續商品化的進度可期。
至於在FRAM,其具有所有新興記憶體技術中最低的操作功耗,但現有的FRAM使用鈣鈦礦(Perovskite)晶體作為材料,而鈣鈦礦晶體材料化學成分複雜、製作不易且內含的元素會干擾矽電晶體,因此提高了FRAM元件的尺寸微縮難度與製造成本。
為此,工研院在以「使用應力工程氧化鉿鋯之三維、可微縮、高可靠度鐵電記憶體技術」為題的論文中,成功以半導體製程中易取得的氧化鉿鋯鐵電材料替代現有材料,不但驗證優異的元件可靠度,並將元件由二維平面進一步推展至三維立體結構,展現出應用於28奈米以下嵌入式記憶體之微縮潛力。
另外,工研院也以「亞奈安培操作電流之氧化鉿鋯鐵電穿隧接面於記憶體內運算應用」為題的論文中,使用獨特的量子穿隧效應達到非揮發性儲存的效果,所提出的氧化鉿鋯鐵電穿隧接面可使用比現有記憶體低上一千倍的極低電流運作,並達到50奈秒的快速存取效率與大於一千萬次操作的耐久性,此元件將來可用於實現如人腦中的複雜神經網路,進行正確且有效率的AI運算。
成本/效能需求不同 異質整合走向分眾化
車聯網、5G等應用相繼興起,且皆須使用到高速運算、高速傳輸、低延遲、低耗能的先進功能晶片,在製程微縮技術只有少數幾家晶圓代工、IC製造業者可發展的情況下,異質整合(Heterogeneous Integration Design Architecture System, HIDAS)成為IC晶片的創新動能。而隨著應用市場更加多元,每項產品的成本、性能和目標族群都不一樣,因此所需的異質整合技術也不全然相同,有的需要記憶體+邏輯晶片,而有的則需感測器+記憶體+邏輯晶片等,市場分眾化趨勢逐漸浮現。
工研院電子與光電系統研究所所長吳志毅表示,所謂的異質整合,廣義而言,就是將兩種不同的晶片,例如記憶體+邏輯晶片、光電+電子元件等,透過封裝、3D堆疊等技術整合在一起。簡而言之,將兩種不同製程、不同性質的晶片整合在一起,都可稱為是異質整合。
異質整合是目前半導體產業熱門議題,也有許多業者投入發展,進而市場上有著許多解決方案。對此,吳志毅說明,在異質整合發展上,各家廠商著重的市場和技術都不一樣,因而會衍生出許多種整合方式,例如有所謂的2.5D、3D或是採用封裝的方式。然而,不論是何種技術,其核心價值都是將兩種完全不同的晶片整合成一個,這便是異質整合的概念;換個例子來說,要將兩樣物品黏在一起,可以選擇膠水、膠帶或強力膠等,有很多種方式。異質整合便是同樣的道理,端看業者的市場和成本考量人選擇要用何種整合技術。
吳志毅補充,半導體技術著重的永遠都是Cost和效能。部分業者之所以會發展3D整合方案,主要原因是3D IC一定具有最好的效能,但相對的3D IC的成本也最高,因此適用於高端產品市場,例如AI晶面。至於原有的2.5D的整合技術,並非3D IC出來之後就沒有市場,2.5D IC的性能雖然不比3D IC,但相對的其成本也較低,適用於有著成本考量的企業或產品。換個方式譬喻,當7奈米製程出現後,不意味著所有產品都會轉成7奈米,像是14、16、28奈米,甚至是90奈米,都還有其市場,業者會依其應用市場、產品設計需求和成本,選擇所需的製程技術,而異質整合也是同樣,業者根據所需的產品性價比、效能以及市場選擇所需的整合技術,也因此,未來異質整合勢將會出現市場分眾化的趨勢。
吳志毅認為,這對於晶圓代工廠、或是晶片商等也是一個新的機會。現今半導體產業只剩三家業者(台積電、三星、英特爾)能繼續進行摩爾定律(製程微縮化),而其他業者如聯電、格芯是否就沒有其他發展空間?並非如此,異質整合便是一個新的機會。這些晶圓代工、IC設計或封裝業者不一定要發展更先進的製程,但是卻可以透過異質整合,將原本不同性質的晶片整合成體積小、高性能的晶片,實現更多創新應用。
工研院電光所所長吳志毅認為異質整合市場未來將走向分眾化。