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同步整流

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意法推6腳位封裝同步整流控制器

意法(ST)推出兼具高效能與低功耗之反激式轉換器二次側同步整流(Synchronous-Rectification,SR)晶片SRK1000A和SRK1000B,該系列新增一款更划算、封裝更小的產品,可用於充電器、快速充電器、轉接器和USB PD連接埠。 這兩款元件採用低延遲快速導通設計,以及創新的自我調整關斷技術,無需增加外部組件即可最大限度延長同步整流MOSFET的導通時間,並最大程度降低電路中的寄生電感效應,大幅改善電路系統效能,而且物料清單成本明顯降低。 SRK1000A和SRK1000B兩款產品皆能用於各種反激式控制器,包括高達300kHz固定頻率的准諧振(Quasi-Resonant,QR)和CCM/DCM混合模式反激式拓撲,簡化系統設計。兩款元件皆可透過選擇電阻來設定導通(TON)後的遮蔽時間,以防止雜訊而引起的雜散問題。SRK1000A關斷(TOFF)後遮蔽時間固定在2μs,SRK1000B則是3μs。 這兩款元件均有輕載低功耗省電模式,當不再需要同步整流時,控制器就會進入低功耗睡眠模式。達到的方法是檢測一次側控制器是否進入高載模式,或是同步整流MOSFET管的導通時間是否低於TON最小預設值。控制器低功耗模式靜態電流僅為160μA。 SRK1000A和SRK1000B適用於最高19V的輸出電壓,在CCM模式下能夠將穩壓輸出保持至2V,支援4.5V-32V寬壓電源,漏-源極電壓額定100V。輸出灌電流高達1A,拉電流最高0.6A,用於控制外部N通道同步整流MOSFET二極體的閘極。 SRK1000A和SRK1000B均採用2.9mm x 2.8mm 6腳位SOT23-6L封裝。
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瞄準消費性市場 高整合GaN方案蓄勢待發

基於寬能隙材料的功率半導體已經進入商業量產,而相較於主攻高電壓應用市場的碳化矽(SiC),氮化鎵(GaN)則是在消費類找到應用商機;而為滿足消費性產品對成本、體積、效能的要求,高整合解決方案成為電源元件供應商拓展GaN市場的主要利器,例如Power Integrations近期所推出的InnoSwitch3 AC-DC轉換器IC,其特色便是將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。 據悉,Power Integrations日前推出新一代InnoSwitch 3系列離線CV/CC返馳式切換開關IC,而在最新發布的系列產品中,GaN切換開關取代了IC一次側的傳統矽高壓電晶體,減少電流流過時的導通損耗,並大幅降低了運作期間的切換損失,減少能源浪費;而值得一提的地方是,為實現更精準的同步整流(Synchronous Rectification, SR),該系列產品將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。 Power Integrations培訓總監Andrew Smith表示,過往的同步整流設計,一次側和二次側通常是各自獨立,而非在同一封裝之中,二次側要「開」或「關」,往往是依據一次側導入的電流或電壓波形進行判斷。然而,電源供應並不是固定負載(也就是同一電流、電壓穩定輸送),消費者常常會突然插拔充電器、插頭等,在快速變動的情況下,一次側、二次側的溝通有時會出現「誤差」,也就是二次側跟不上一次側的指令,兩者無法同步,電源供應器便會產生故障。 Power Integrations培訓總監Andrew Smith(右)表示,整合一次側和二次側有助實現更精準的同步整流。 Smith指出,為克服此一情況,降低故障率,同時提升使用效率,該公司便決定將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中,並透過磁耦合連接一次側與二次側,使兩者的「溝通」更加容易,以精準的實現同步整流,不僅降低電源供應器故障率,也可以透過整合方式減少產品尺寸、成本,並提升效能,滿足行動裝置、機上盒、顯示器、家電、網路和遊戲產品的USB-PD和高電流充電器/轉換器等高效率返馳式設計。
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