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化合物半導體

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SEMI:整合產官學關鍵能量 喜迎半導體新黃金50年

SEMICON Taiwan 2020 Hybrid 25日圓滿落幕 SEMICON Taiwan國際半導體展於23日於南港展覽館一館正式登場,推出全新線上SEMICON Taiwan 2020 Hybrid平台,以虛實整合方式同步展出線上線下多場精彩活動。SEMI國際半導體產業協會於22日展前記者會宣布將擴大半導體產業永續發展計劃,從政府、產業、人才三面向,打造更緊密強大的台灣半導體產業聚落。在計劃第一階段將聚焦人才培育主題,並由SEMI與104資訊科技簽署MOU合作交流備忘錄,期許未來一起共同孕育台灣半導體產學頂尖人才。 為推動台灣半導體產業以長遠、具體的方式策略性成長,活動中邀請到中華民國經濟部工業局局長呂正華、日月光半導體總經理暨執行長吳田玉、台灣半導體產業協會常務理事暨鈺創科技股份有限公司董事長暨執行長盧超群與104資訊科技獵才招聘事業群資深副總經理晉麗明等政府產業代表出席,凝聚產官學研力量,以國家之力打造台灣半導體全面升級,在5G、AI新時代中鞏固國際產業關鍵地位。 憑藉現有優勢,台灣半導體產業在世界站穩腳步 日月光半導體總經理暨執行長吳田玉表示:「台灣半導體產業相較其它世界強國,擁有相對完整的產業供應鏈,在此優勢下,面對後疫情時代的各種變數與挑戰,除了與時俱進的產業鏈發展、生產彈性及遠距溝通技術的加強,台灣也應持續推動相關政策調整與人才培育,以更加穩固自身半導體產業競爭力,持續走在全球競賽的前端,發展永續共赢的未來。」 台灣半導體產業協會常務理事暨鈺創科技董事長暨執行長盧超群也對台灣今年走過疫情的半導體市場表現表示讚賞:「因為疫情所帶動的零接觸經濟連帶促成了半導體產業的諸多商機。台灣受疫情影響小,又因在製程技術及IC設計的領先發展鞏固了國際產業關鍵地位,我們一方面仍應審慎以對,另一方面則要全力把握此等商機,快速投入資源,帶動整體產業技術提升,與世界各國加速合作!」 中華民國經濟部工業局局長呂正華對未來也展現信心:「半導體產業是台灣重要經濟命脈,政府各部門會積極偕同SEMI與產業代表一同整合各方資源並推動跨界合作,以打造台灣成為半導體先進製程中心做為核心目標。」 SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出:「台灣半導體藉由不斷突破的技術能量以及強大採購動能,持續帶動整體產業成長,過去10年有高達7次是全球最大半導體設備投資區域,未來10年的投資動能也有望朝先進製程布局。若能掌握既有核心優勢訂定長遠發展計劃、佈建在地完整產業生態系,將有機會搶佔亞太半導體中心,推動國家經濟成長、提升台灣整體競爭力。」 人才為推動產業持續成長的關鍵 SEMI與104攜手強化產學人才培育 高科技的人才資源為推動技術研發的基礎要素,半導體產業卻面臨嚴峻的人才斷層危機。面對近幾年國家人才長期不足及外流的挑戰,SEMI在今日會上宣布與104資訊科技簽署合作備忘錄(MOU),期望攜手一同規劃長期人才培育發展合作方案,透過強化產學技術合作提升國家競爭力。104資訊科技獵才招聘事業群資深副總經理晉麗明提到:「104資訊科技與SEMI首次針對半導體人才共同出版《半導體產業與人才白皮書》,希望針對台灣半導體人才建立完整、有策略性的培育發展方向。」 此外,SEMICON Taiwan多年舉辦「人才培育特展」,在展會中除了多場主題論壇規劃外,另舉辦人才媒合、一對一面試等系列活動,助力學生在未來職涯道路上掌握先機。 串聯線上線下 SEMICON Taiwan 2020 Hybrid平台展出半導體智慧未來 SEMICON Taiwan 2020國際半導體展於本月23日至25日在南港展覽館一館圓滿落幕。今年展會聚焦「先進製程」、「智慧製造」與「綠色製造」三大主題,展示半導體上下游產業鏈最尖端創新的技術。為了讓無法親自到場的海外觀眾一同參與年度半導體盛宴,全新虛實整合「SEMICON Taiwan 2020 Hybrid」平台,除了提供虛擬展館的參觀體驗外,部分熱門論壇與活動也開放線上直播觀看;另可透過1對1即時訊息與展商進行交流、創造更多合作機會,此平台於9月23日正式上線。 每年眾所注目的大師論壇(Master Forum)邀請台積電董事長劉德音、鴻海科技副董事長李傑、意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery等企業領袖,共同剖析AI及5G科技趨勢下的機會與挑戰。另外,展區亮點「高科技智慧製造特展」,結合智慧製造解決方案展出多元應用可能,為產業打造智慧製造與資安國際交流平台。針對引領產業前瞻技術的「異質整合」專區,則以實際應用角度展示遠傳5G多元應用、聯發科技IC設計以及日月光互動智慧城市SiP封裝解決方案平台等呈現技術解方;展區中的「化合物半導體創新應用館」將展示Jaguar新一代電動車I-PACE以及遠傳電信5G基地台,完整呈現化合物半導體製造產業鏈至系統應用端的樣貌。 2020年是SEMI成立50周年,同時也是SEMICON Taiwan第25周年,象徵半導體產業進入下一個發展階段的重要里程碑。展望未來,SEMI表示將繼續以產業永續、企業成長、人才發展為目標,為產官學三方暢通合作橋梁,結合政府、協會及企業能量打造完整半導體產業聚落,提升台灣國際競爭力。
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功率/化合物半導體廠資本支出下半年可望復甦

國際半導體產業協會(SEMI)近日發布《功率暨化合物半導體晶圓廠展望報告》,該報告指出,在下半年終端產品需求逐漸回升的帶動下,全球功率暨化合物半導體元件之晶圓廠設備支出2020年下半年將有所復甦,2021年更將大幅躍升59%,創下69億美元的新紀錄。2020年下半年的回復力道有助減緩晶圓廠年度支出下跌的幅度,目前預估將跌8%;與此同時,預計在2021年,晶圓廠將隨著新冠肺炎後的經濟復甦浪潮,重拾成長動能。 功率暨化合物半導體元件用於計算、通訊、能源和汽車等眾多產業不同設備的電能管控之上。為了防止新冠肺炎疫情持續擴大,「居家辦公」的規定廣為普及,連帶伺服器、筆記型電腦和其他線上服務相關的主要電子產品需求也陡然增加。 《功率暨化合物半導體晶圓廠展望報告》列出超過800個功率及化合物半導體相關設施和生產線,涵蓋2013年到2024年12年中的投資和產能。2019年,報告共追蹤804個設施和生產線,整體裝機產能為每月800萬片晶圓(8吋約當產能,以下同)。預計到2024年,將有38個新設施和新產線開始運作,裝機產能累計增長幅度達20%,每月可產970萬片晶圓。 按地區別來看,2019年到2024年,中國的功率及化合物半導體晶圓廠產能將分別增加50%和87%,幅度為各區之最。同一時期,歐洲/中東和台灣在功率半導體晶圓廠產能提升方面處領先地位;化合物半導體晶圓廠產能提升則以美洲和歐洲/中東地區為主。  
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各路人馬鴨子划水 化合物半導體前景可期

化合物半導體泛指各種不以矽為基礎的半導體材料,通常可分成三五族半導體與二六族半導體。三五族化合物是由三族的鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)及五族的氮(N)、磷(P)、砷(As)、銻(Sb)等等組成。由於是化合物,所以組成方式非常多種,有二元的氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP);三元的銦鎵砷(InGaAs)、磷化銦鎵(InGaP);甚至四元的InAlGaAs或InGaAsP等。二六族半導體則是由二族的元素鋅(Zn)、鎘(Cd)、汞(Hg)和六族元素硫(S)、硒(Se)、碲(Te)形成的化合物,是一些重要的光電材料。 在蘋果(Apple)於智慧型手機上導入結構光人臉辨識,引爆VCSEL應用話題,加上氮化鎵逐漸打開電源管理這個市場規模龐大的應用之後,化合物半導體開始受到更多探討,同時也吸引其他領域的業者開始介入布局。 電源管理應用帶動晶圓尺寸成長 聯穎光電技術長暨SEMI Taiwan化合物半導體委員會副主席林嘉孚(圖1)指出,氮化鎵材料開始切入電源管理應用,是改變化合物半導體製造產業風貌的一個重大事件。電源管理是一個非常龐大的市場,幾乎所有電子設備都需要電源管理。 圖1 聯穎光電技術長暨SEMI Taiwan化合物半導體委員會副主席林嘉孚表示,氮化鎵化合物半導體磊晶尺寸朝8吋發展,是大勢所趨。 因此隨著使用矽基氮化鎵(GaN on Si)的電源場效電晶體(Power FET)不斷發展,能耐受的電壓越來越高(目前600~700V的元件已有商用潛力,實驗室裡則已可做到1,000V),未來矽基氮化鎵應用只會越來越普及。 而隨著應用市場越來越廣闊,氮化鎵磊晶(Epitaxy)晶圓尺寸一定會逐漸從目前主流的6吋往8吋發展,這樣才能驅動成本下降,滿足市場需求。而此趨勢也會吸引更多半導體設備大廠開始布局相關設備。目前磊晶製程所使用的有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)機台,最大供應商是德國Aixtron,但全球半導體設備龍頭應用材料(Applied Materials)也已經對這個市場展現高度興趣。 對化合物半導體業者來說,更多設備大廠投入是件好事,因為以往化合物半導體設備業就跟化合物半導體產業鏈的其他環節一樣,都呈現小而美的格局,大廠有更多資源可以開發更先進的磊晶設備,會讓磊晶廠有能力發展出更先進的磊晶製程技術。機台設備的能力跟磊晶技術的進展,是相輔相成的。 矽基氮化鎵進軍射頻 劍指5G基地台 除了應用在功率元件之外,GaN on Si還可以應用在射頻(RF)通訊上,目前相關技術進展最快的業者,就屬事業布局橫跨光通訊與RF兩端的MACOM。近日MACOM才與意法半導體(ST)達成合作協議,2019年ST工廠的6吋(150mm)矽基氮化鎵的產能將有擴張計畫,而8吋(200mm)的矽基氮化鎵則會依需求擴產,以支援全球5G電信網路建設。 隨著全球推出5G網路並轉向大規模MIMO(M-MIMO)天線配置,射頻功率產品需求預計將會大幅提升。具體來說,MACOM預估功率放大器需求量將會有32倍至64倍的成長,相對地,5G基礎建設的投資在5年內將預計成長超過3倍,因此放大器成本的單價估計會降至十分之一至二十分之一。 MACOM總裁暨執行長John Croteau表示,主要基地台OEM廠了解,為滿足5G天線部署時成本、頻譜和效能目標,需仰賴寬能隙氮化鎵元件的性能,以及能促進升級轉型的成本結構和製造規模。該公司認為,透過與意法半導體合作,將使MACOM能滿足基地台廠商的全部要求-產品性能、成本優勢和高產量供應鏈。MACOM與ST這個初期階段的聯合產能投資,可以使雙方有更多產能服務在全球高達85%的5G網路建設市場。 ST汽車與離散產品部總裁Marco Monti表示,ST已經在碳化矽技術領域打下堅實的基礎,現在正在推進RF矽基氮化鎵的技術,以支援OEM廠建立新一代高性能5G網路。碳化矽是汽車功率轉換等電源應用的理想選擇,而矽基氮化鎵能夠提供滿足5G所需的RF性能、產能和商用成本結構。 事實上,射頻跟光電過去一直是化合物半導體最主要的應用領域,以氮化鎵材料來說,在開拓出PowerFET應用這個新市場之前,最重要的應用市場就是高功率射頻領域,例如軍用的高功率雷達,就會用到碳化矽基氮化鎵(GaN on SiC)元件。跟前者相比,矽基氮化鎵適合運用在中低功率射頻應用,通訊基地台就是其典型應用之一。 在5G網路布建將採用更多微型基地台情況下,相關元件需求也令人期待。5G微型基地台的大小可做到和Wi-Fi存取點設備相仿,發射功率也相近,因此若電信商要以微型基地台組成網路,採購規模必然相當可觀。 不過,林嘉孚分析,以技術特性來看,矽基氮化鎵PA恐怕難以將應用拓展到行動終端市場,因為矽基氮化鎵的效率雖好,但啟動電壓卻比異質雙極性接面電晶體(HBT)跟假晶高速電子移動電晶體(pHEMT)明顯高出一截,不適合以電池供電的行動裝置使用。但有些研究團隊正在發展低電壓的GaN on Si,只是目前尚不成熟。 如果是行動裝置所使用的PA,基於砷化鎵的HBT跟pHEMT還是比較理想的選擇,因為HBT跟pHEMT具備低啟動電壓的優勢。但HBT很難做到毫米波頻段,因此,在5G通訊時代,低於6GHz頻段的5G行動終端,應該還是會採用HBT;使用28GHz以上的毫米波5G行動終端,則可考慮使用pHEMT。 至於CMOS PA,在未來一段時間內,可能都會停留在概念驗證或技術展示的階段,因為CMOS PA的效率太低,除了會影響行動裝置的電池續航力,封裝也是個大考驗。眾所皆知,在毫米波頻段,天線、PA,甚至連數據機(Modem)晶片都將會透過異質封裝技術整合在同一個封裝模組內。若PA效率太低,封裝散熱的問題會相當棘手。 技術門檻高 台廠領先優勢明顯 中國政府大力鼓吹半導體產業自主,並投入大量資金來扶植相關業者,是近幾年來屢屢在全球半導體業內引發討論的話題。同樣的情況其實也出現在化合物半導體領域,只是據業內人士指出,中國政府對化合物半導體的投資高度聚焦在國防跟軍用領域,因此不像DRAM或晶圓代工,容易引發廣泛關注。 但即便中國在本土化合物半導體產業鏈同樣砸下重金,中國的化合物半導體產業進展仍相當有限,一方面這跟技術管制有關,另一方面也跟長晶、磊晶技術十分複雜,需要長時間累積Know-how,光靠資金投入無法取得立竿見影的效果有關。 除了少數例外,如發光二極體(LED)之外,一般來說,化合物半導體的磊晶技術跟設備受到高度管制,且有大量Know-how累積在磊晶廠手上。同款設備,使用不同配方跟製程參數,產出的產品特性會有很大不同。因此,中國很難複製在LED產業的成功經驗,快速打造自主的化合物半導體供應鏈。相較下,台灣化合物半導體製造發展較早,且設備、技術轉移方面,也較不會遇到困難。 有業界人士估計,台灣化合物半導體製造商技術大概還領先中國同業至少三到五年,且差距沒有因為中國政府大力投資扶植而有所縮短。這意味著台廠在化合物半導體領域還有很明顯的領先優勢,不用擔心中國同業殺價競爭。但也因為如此,台灣的化合物半導體廠商通常十分低調,不僅不太願意公開談論自家的技術或策略發展方向,而且資訊保防工作做得相當嚴密。每家業者都在鴨子划水,盡最大努力保護自己的領先優勢。
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