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UL發首張大型工商業用儲能系統UL 9540認證

全球安全科學認證機構UL宣布聯合再生能源(3576)的儲能系統通過UL 9540標準的測試認證,成為全球大型工商業用儲能系統的UL認證首例。UL 9540是第一本針對儲能系統的安全標準,亦是國際上評估儲能系統的安全性認可標準。 UL副總裁暨台灣總經理陳宗弘表示,各國用電逐漸轉型再生能源,其將帶動儲能系統的布建。鋰電池是目前儲能系統的運用首選,但鋰電池本身存在不可控的失效問題,因此須有獨特的安全考量。近年來UL投注相當心力制定並持續更新儲能相關安全標準,也提出新的測試方法標準,評估儲能電池在熱失控起火後的燃燒情況,並提出在設計端應注入相對應的防護措施,為的是協助能源產業安全且長遠的發展。 聯合再生能源是目前全台最具規模的太陽能公司之一,鑑於能源發展趨勢,亦著力在儲能系統的開發,尤其是電化學的鋰電池儲能方面。此次聯合再生能源在全球的大型工商業用儲能系統拔得頭籌,獲UL認證認可,顯示擁有符合國際規範的發展實力,未來,可望將台灣的綠能產業鏈推向國際。 陳宗弘進一步說明,全球許多國家均積極推動能源轉型,安全與穩定性是大家對建構未來電網體系的要求與共識。美國與加拿大已把UL 9540列為國家標準。台灣的電力市場也正規畫將UL 9540標準納入大型儲能建置的採購要求中,安全性被視為必要的基本門檻。聯合再生能源獲得第一張大型工商業用儲能系統的UL認證,展現對產品安全價值的重視。 UL 9540是國際上儲能系統的主要安全依循,目前已發展至第二版。該標準並無限定使用的電池系統種類,其將針對電力儲能系統本身進行全面性的審查,包含電性、機械、液體流動、環境測試等,其中也引用許多關鍵技術的標準與規範,例如鋰電池必須通過UL 1973;變流器必須通過UL 1741、IEEE 1547等;此外,UL也針對儲能系統的熱失控提出UL 9540A的評估方法標準,以進一步提供儲能系統需要的防護措施參考。 儘管2020年新冠疫情衝擊全球經濟,國際上多方研究報告仍樂觀預測儲能系統的前景。TrendForce推出的綠能研究報告即指出全球大型儲能(BESS)容量在2019-2024年的年複合成長率可望達到22%。面對這波能源新契機,台灣產業已超前部署,與世界接軌。
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寬能隙材料來勢洶洶 SiC/GaN各有市場定位

碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)是近年來最受矚目的化合物半導體新秀,除了應用在無線通訊之外,這兩種寬能隙材料在功率半導體領域,也有很大的發展潛力。相較於以矽為基礎的超接面場效電晶體(Super Junction MOSFET)或絕緣柵雙極電晶體(IGBT),GaN跟SiC最大的優勢在於可以實現更高的開關頻率、耐受電壓也更高,使電源系統的效率得以明顯提升。 另一方面,隨著電動車、電池儲能系統兩大應用展現出雄厚的市場潛力,雙向電力傳送又是車載充電器、充電樁與儲能電池轉換器必備的基本功能,這將使圖騰柱功率因素校正(Totem Pole PFC)拓撲成為車廠、Tier 1、充電設備商與儲能設備商在開發相關產品時的最佳選擇。而圖騰柱拓撲的流行,將會為GaN跟SiC功率元件搭起全新的舞台,因為現有的矽功率元件不適合用來實現圖騰柱拓撲。 電動車/綠能雙箭頭帶動 SiC搶攻高電壓市場 羅姆半導體(Rohm)設計中心副理唐仲亨(圖1)分析,就市場應用面來看,電動車的車載充電器、為電動車供電的充電樁,以及搭配太陽能、風力發電系統所使用的大型儲能系統,會是寬能隙功率元件最具主場優勢的應用。因為這類應用需要具備雙向電力傳送的能力,因此不管是車載充電系統、充電樁或儲能系統的轉換器,都需要採用圖騰柱拓撲。然而,圖騰柱拓撲需要使用兩個體二極體作為高頻整流開關,除了驅動控制較為複雜,如果使用傳統矽二極體,因為其恢復時間較慢,電流倒灌所引發的損耗大,會嚴重降低電源轉換的效率;如果採用IGBT,雖然其恢復時間夠快,但IGBT的導通壓降比較大,也會產生很高的效率損失。 圖1 羅姆半導體設計中心副理唐仲亨分析,電動車與儲能將是帶動SiC市場成長的主要引擎。 因此,如果電源設計者想實現圖騰柱拓撲,最理想的選擇將是GaN或SiC。不過,如果是充電樁或大型儲能系統,甚至軌道運輸這類應用,因為其功率需求都非常高,在此前提下,SiC會是比GaN更合適的選擇。目前已經商品化的GaN FET,耐受電壓通常為600V或650V,但SiC則是1,200V起跳,未來更會一路向上發展到3,300V。在需要超大功率傳輸的應用上,SiC具備先天優勢。 另一方面,學術界目前在提高GaN FET的耐受電壓方面,最近已有所突破,成功地將GaN FET的耐受電壓提高到900V。但唐仲亨認為,從應用面的角度來看,這個耐受電壓規格其實有些尷尬。他解釋,在一般家電或消費性電子產品應用,如果要推出一款可以適用全球電壓的產品,母線電壓的規格通常會訂在400V,對功率元件的耐壓要求則會落在600V或650V。如果是工業用產品,因為是三相供電,所以母線電壓會提高到800V,功率元件的耐壓要求則是1,200V,或是在某些特殊的系統設計中,仍可使用耐壓650V的元件。900V耐壓對GaN FET來說,有技術發展里程碑的意義,但從實際應用的角度來看,因為消費性電子不需要900V耐壓,主流工業設備則需要1,200V耐壓,所以GaN FET耐壓提高到900V,其實無助於拓展GaN FET的應用市場。 SiC價格仍高 供應商想方設法降成本 以目前的市場行情來說,650V GaN FET的價格,大約只有1,200V SiC FET的三成左右。因此,如果SiC元件供應商想搶攻650V以下的應用,是相當困難的挑戰。這也帶出了SiC元件在應用推廣上一直遇到的瓶頸--價格問題。SiC材料的價格本來就比矽跟GaN高出一大截,因此,如果要比元件價格,SiC先天上就處於不利地位。這也使得SiC元件供應商必須設法從兩個面向來解決問題,一是降低元件本身的成本,二是幫助客戶降低系統總成本。 目前SiC元件供應商的生產線多半都還在從四吋晶圓提升到六吋晶圓的過程中,例如羅姆目前就是四吋跟六吋各半,僅英飛凌(Infineon)已經全面採用六吋晶圓量產。另一方面,目前投入SiC元件市場的業者,很多都還採用平面結構,這使得元件的裸晶尺寸(Die Size)很難持續降低。相較之下,採用溝槽式結構的SiC元件,理論上會有更大的尺寸微縮空間。不過,目前採用溝槽式結構的SiC元件供應商,也只有羅姆跟英飛凌兩家。 英飛凌(Infineon)工業電源控制事業處主任工程師林彥任(圖2)表示,其實該公司會選擇溝槽式結構,主要還是從提高元件可靠度的角度切入。工業電源領域最重視的還是元件可靠度,採用平面結構的SiC,在技術上很難做到跟IGBT媲美,但溝槽式架構可以將SiC元件的可靠度拉高到接近IGBT的水準,這是英飛凌決定走溝槽式路線的最主要原因。但不可諱言的是,溝槽式結構理論上確實也有較大的成本降低空間。因為溝槽式結構是在垂直方向上發展,所以比起平面式結構,單一元件占用的晶圓面積可以做得比較小。 圖2 英飛凌工業電源控制事業處主任工程師林彥任表示,SiC成本偏高的問題,供應商要雙管齊下才能解決。 值得一提的是,除了量產使用的晶圓大小、裸晶尺寸外,在降低生產成本方面,英飛凌還把腦筋動到晶圓的厚度上。由於SiC材料的硬度較高,相對也比較脆,因此在從晶柱切割出晶圓時,為避免破片,每片晶圓的厚度遠超過後續元件製程所需的厚度,形成材料浪費。再加上SiC材料本來就貴,因此若能降低晶圓的厚度,對降低元件生產成本,可以帶來極大幫助。 這也是英飛凌先前決定斥資1.24億歐元購併Siltectra的原因之一。Siltectra擁有獨特的Cold Split切割技術,可以在碳化矽晶圓完成製程步驟後,將一片晶圓再等分切割出第二片,等於讓材料利用率提升一倍。目前碳化矽晶圓供應商提供的晶圓,厚度可達350微米,但如果是要用來製造FET元件,其實晶圓厚度只需現有晶圓的數十分之一便已足夠。Cold Split技術讓英飛凌得以把一片晶圓當成兩片用,而且不會影響晶片的良率跟特性。 至於在降低客戶的系統總成本方面,英飛凌的評估認為,雖然SiC元件跟現有元件有明顯價差,且在可預見的未來,都很難做到比矽元件便宜,但如果能將切換頻率拉高到40kHz,則整個電源系統的成本,將因為磁性材料等周邊元件用量減少,而帶來15~20%的節省效果。 GaN主攻消費性/伺服器電源 高整合方案勢在必行 相較於主攻高電壓應用市場的SiC,GaN則是靠著高速切換、低損耗且價格較貼近現有矽元件的優勢,可望在消費類及IT基礎建設領域找到應用商機。然而,由於GaN的材料特性與矽不同,使得GaN HEMT(或稱GaN FET,因其功能與MOSFET相當,但基於GaN材料,故稱為GaN FET以資區別)跟工程師已經十分熟悉的MOSFET,在驅動跟控制方法上有許多出入,再加上GaN FET若要完全發揮其高速切換的潛力,必須把驅動控制跟FET整合在一起,這將使得以GaN功率元件走向以高整合度為主流的發展道路。 德州儀器(TI) GaN、電源管理與半導體營運成長及戰略行銷長Masoud...
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科技業綠電需求大 SEMI串聯離岸風電產業銜接供需

為響應政府力推離岸風電政策,加上台灣半導體/電子產業在客戶要求下,對綠電的需求越來越急迫,國際半導體產業協會(SEMI)決定出面穿針引線,號召投資台灣最具代表性的8家風能開發商,共同在台北成立「台灣離岸風電產業協會」,以便在綠電供需兩端打造對話交流的平台。 近年來以推動企業100%使用綠電為目標的「RE100」聯盟獲得Google、Facebook、微軟(Microsoft)、蘋果(Apple)、Nike等國際企業的支持與響應,而風能是其中最受矚目的綠電來源之一,台灣若能搶得離岸風電的發展先機,勢必有助於未來吸引更多跨國大型企業來台投資。此外,與RE100聯盟成員有業務往來的供應鏈業者,也會被要求逐年提高綠電的使用比重,因此在未來幾年,台灣的綠電需求將水漲船高。 SEMI台灣區總裁曹世綸表示,SEMI此次與離岸風電業者合作,最主要的著眼點就在於促進綠電供需兩方的交流。台灣原本就是全球高科技生產製造的重鎮,在這波使用綠電的風潮下,對綠電的需求十分殷切,但在供應端、法規等方面,還有許多整合跟溝通協調的工作需要進行,才能讓綠電的供需銜接得上。SEMI從12年前就開始耕耘台灣的再生能源產業鏈,因此在台灣全力發展離岸風電之際,SEMI決定跳出來扮演串連能源產業和高科技用電大戶的平台角色。 至於中長期目標,則是希望讓台灣的半導體產業也能打進離岸風電的產業鏈。目前談到離岸風電產業,各界想到的都是風機、塔架、水下基礎等大型重工或海事工程產業,但半導體應用無所不在,離岸風電也不例外。除了風機本體之外,跟風機配套的智慧電網、儲能系統等設備,都會使用到許多半導體元件,惟目前這個市場幾乎都是由外商所把持,台灣以消費性電子應用見長的半導體業者幾乎沒有布局。 曹世綸認為,這個局面需要一些時間突破,因此SEMI將此列為中長期目標,希望藉由搭建交流平台,讓台灣的半導體業者能與離岸風電業者有更多交流的機會,進而找到自身在離岸風電市場的利基。 台灣離岸風電產業協會由上緯、台灣北陸能源(NPI)、玉山能源(Yushan Energy)、沃旭能源(Ørsted)、哥本哈根風能開發(CIP)、達德能源集團(wpd)、麥格理資本(Macquarie Capital)、台灣捷熱能源(JERA)及SEMI能源產業部共同發起,期望可以結合投資台灣的國際風能開發商、本土供應鏈以及SEMI長期經營台灣再生能源產業的經驗,共同推動風電產業鏈發展、建構台灣風力發電的未來發展藍圖,也希望能號召更多業者加入此協會的行列。
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