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新電子 2008 年 9 月號 270 期

奈米製程步步為營

隨著半導體技術發展進入奈米世代,每個製造過程間的關聯更加環環相扣,失之毫釐,將差之千里。其中,微影(Lithography)製程更是促成半導體製程半間距得以繼續邁向32奈米,甚至22奈米以下的重要關鍵。在相關微影工具、設備及材料商力拱下,波長193奈米的氟化氬(ArF)浸潤式微影搭配雙重曝光(Double Patterning)已成為32奈米製程節點的微影主角;至於眾所矚目的極紫外光(EUV)微影則如鴨子划水,試圖在22奈米節點一舉雄踞微影市場。同時,半導體量測技術亦是提升產品良率與成本效益不可或缺的重要條件,不論是前段晶圓與光罩檢測或後段IC測試,在奈米製程環境中都將不容忽視。

▋本期目錄

封面故事

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技術探勘

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市場分析

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專訪園地

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