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蔡司半導體製造技術(SMT)業務發展總監Thomas Gregorich則指出，半導體封裝技術正出現明顯的改變。過去50年來，晶圓廠已將最小的電路板尺寸從微米縮小至奈米，這個轉變部分是透過精密的檢驗與量測系統所達成。不過，現今的技術幾乎已達Dennard微縮定律與摩爾定律的極限，使得產品效能提升的關鍵從晶片轉至IC封裝。
Gregorich進一步解釋，而封裝技術的改變，也連帶影響了封裝量測技術。舉例來說，未來的記憶體與「小晶片(Chiplet)」技術預計將使封裝互連間距降至20微米或更小，使得互連密度達到每平方公厘2,500~10,000 I/O。這類封裝會需要後段製程(BEOL)般的互連密度與晶圓廠級的組裝良率。但是，近50年來IC封裝產業高度倚賴物理橫切面來檢視、量測並定義深埋在內的結構，此方式對這些先進封裝來說並不足夠，因此需要新的檢驗與量測的技術。
為此，蔡司推出全新3D非破壞性的成像解決方案620 Versa RepScan，該產品內含經驗證過的Versa 3D XRM功能，能用次微米解析度以非破壞性方法成像並量測深埋在結構內的晶片，並運用重建的3D資料集擷取出關鍵的3D資訊。
除了能執行各種線性及體積量測之外，該產品亦能對矽穿孔與微凸塊、銲料體積與形狀、接合線厚度、晶粒翹曲、3D空隙分析與其他的量測進行各方面的分析，且僅需準備最少的樣本。半自動化的工作流程提供可重複的量測，確保不會因橫切面誤差導致成像遺失，並將手動操作導致的量測變異性降至最低。
