Plessey Semiconductors和Nanoco Technologies近日宣布合作，利用Nanoco的無鎘量子點(CFQD量子點)半導體奈米粒子技術，能大幅縮小MicroLED顯示器的晶粒像素尺寸。再加上Plessey Semiconductors所掌握的矽基氮化鎵(GaN-on-Silicon)製程技術，整體驅動架構更能進一步做到微型化。是RGB全彩MicroLED顯示技術進程的新里程碑。
由於真正的RGB全彩MicroLED要做到微型化同時維持轉移良率，其技術難度非常高。因此，
Plessey Semiconductors利用其現有的單晶製程，將Nanoco的無鎘量子點導入至藍光LED的選定區域，以增加紅光和綠光。這使最小的像素尺寸(Pixel Size)從現在的30μm縮小到僅4微米(μm)，縮小幅度達到87%。在縮小Pixel Size的同時，該製程進展也能使MicroLED顯示器的色彩表現更加寫實，也能增強能源效率。
Plessey Semiconductors業務發展總裁Mike Lee表示，量子點技術為當今新興的顯示器提供了最佳解決方案。Plessey的MicroLED顯示器產品計畫，便是在2019年利用無鎘量子點技術將MicroLED Pixel Size降至4μm。
聚積科技微發光二極體事業部經理黃炳凱說明，由於轉移RGB全彩MicroLED的技術難度過高，因此目前主流的解決方案是利用量子點做到色彩轉換(Color Conversion)，就能使的單色藍光LED做到RGB全彩效果。另一方面，驅動電路的設計也是實現超小Pixel Size MicroLED顯示器的一項技術難點，GaN-on-Silicon技術則能做到驅動電路的極度微型化。
Plessey Semiconductors表示，與OLED顯示技術相比，MicroLED能達到更高亮度，體積也更輕巧，並且擁有較高的使用壽命。在AR/VR顯示器應用領域，MicroLED的解析度能夠達到OLED的十倍，對比度更能比OLED高出100倍。而且MicroLED的功耗只有OLED的一半，使注重攜帶的消費電子產品的續航力延長一倍，更沒有如OLED這樣的有機材質所帶來的短壽命與螢幕烙印疑慮。在CES 2019展會上，Plessey展示了其MicroLED技術產品，並獲得了CES 2019創新獎項。
