格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近日宣布，其22nm FD-SOI(22FDX)平台上的嵌入式磁阻記憶體(eMRAM)已投入生產。同時格羅方德正與多家客戶共同合作，計劃於2020年實現多重下線生產。格羅方德樹立業界里程碑，證明了eMRAM的可擴展性在物聯網、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應用在進階製程節點上是經濟有效的選擇。
格羅方德的eMRAM，讓設計師能夠擴展現有的物聯網和微控制器單元架構，以取得28nm以下技術節點的功耗和密度優勢，並作為大容量嵌入式NOR快閃記憶體的替代方案。
格羅方德的eMRAM是廣泛使用且堅固的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)，已通過五項嚴格的實際迴焊測試，在-40°C到125°C的溫度測試範圍，展現出10萬次循環耐久性和資料保存期限高達十年。FDX eMRAM解決方案通過AEC-Q100品質等級二驗證。該解決方案的開發正在進行中，期望可以在明年通過AEC-Q100品質等級一的驗證。
格羅方德汽車與工業多市場部門資深副總暨總經理Mike Hogan表示，該公司致力於透過穩定、功能多元的解決方案讓FDX平台與眾不同，進而讓客戶以高性能和低功耗之應用來開發創新產品。格羅方德的差異化eMRAM，部署在業界最先進的FDX平台上，為易於整合的eMRAM解決方案提供獨一無二的高效能RF、低功耗邏輯和整合電源管理組合。讓客戶能夠提供新一代超高性能、低功耗的MCU和已連接的IoT應用。
格羅方德與設計合作夥伴今起提供客製化設計套件，其中包含可插式套件、4到48兆位矽驗證的MRAM巨集以及可選式MRAM支援內建測試功能。
eMRAM是一項可擴充的功能，預計將在FinFET和未來的FDX平台上應用，是公司部份進階eNVM的規劃。格羅方德位於德國德勒斯登Fab1的最先進12吋晶圓生產線，將會採用MRAM來支援22FDX的量產。
