寬能隙功率半導體(SiC，GaN)具備更高的操作溫度、高運行電壓、高運作頻率和低功率損耗。採用寬能隙功率元件，能夠使得導通時及切換時的耗損能量降低，讓整體運作功率大幅降低，同時大幅降低設備的體積、重量及價格。為此，寬能隙解決方案備受電源供應業者青睞，且已逐步進入量產階段，終端產品亦已開始銷售。
然而，寬能隙材料的功率元件，最引人矚目的優勢是建立在高頻與高電壓操作上，在終端產品相繼於市場亮相的同時，也意味著寬能隙元件的測試需求隨之增加，為此，量測儀器業者紛紛推出高效、便利的解決方案，不僅滿足高電壓、高電流測試需求，並進一步縮短產品開發時程。
太克科技(Tektronix)應用工程師陳思豪表示，在相關的技術瓶頸逐漸被克服後，寬能隙解決方案相繼出現，像是採用GaN的變壓器、充電器等；相關產品陸續問世，也代表著寬能隙方案的量測需求也跟著增加。
陳思豪指出，寬能隙元件的測量，首先碰到的挑戰便是高電壓和高電流。因為寬能隙材料耐崩潰程度高，而採用寬能隙材料打造而成的產品能承受高電壓、高電流，而為量測這項特性，測試儀器的耐受電壓/電流也須跟著提升，例如以往最高承受度是1,000V，現在可能要到2,000~3,000V。
為此，太克備有Keithley 2657A，專門針對高壓電子、功率半導體元件的特徵分析與測試而設計，例如二極體、FET/IGBT、直流-直流轉換器、電池、太陽能電池、高功率材料、元件、模組等，以及其它一些需要高電壓、快速響應和精確測量電壓和電流的元件和材料等。至於Keithley 2651A，則是專門因應高電流測試，該產品最高可達2,000W的脈衝功率(±40V、±50A)，或最高可達200W的直流功率(±10V@±20A、±20V@±10A、±40V@±5A)；可輕鬆地連接兩個單元(串列或並列方式)來建立最高可達±100A或±80V的解決方案。
另一方面，要量測寬能隙解決方案，除了儀器須符合高電壓、高電流的規格外，週邊設備如治具、探棒等性能也須跟著提升。以探棒為例，太克科技業務經理吳道屏說明，寬能隙方案於量測時有許多和以往功率元件不同的地方，例如寬能隙方案的Miller Charge Qg更低，可實現快速切換速度，且所需的寄生電容、電阻和電感大大減少；因此，在量測時需要能夠測量極快的dv/dt、di/dt和高頻，並減少負載、電感和電容。或是需要嚴格調節Vgs和Vth電壓，因此需要能夠準確測量高端和低端電路中所有柵極節點上的Vgs等。
吳道屏指出，這些特性以及量測需求除了使量測儀器的規格、性能改變之外，連帶推動探棒性能也跟著增加，傳統探棒由於不是為了量測寬能隙方案而設計，因此會有共模抑制(CMRR)不高、電容、電感不符，或是以及頻寬不足等問題(過往探棒頻寬多為100~200M，而要滿足寬能隙方案測試探棒頻寬最好達800m~1G)。
基於此一原因，太克也研發因應寬能係元件量測的碳棒「IsoVu」。該產品的特點在於為使用包括GaN和SiC技術的電源裝置設計人員提供更強的共模抑制比，讓使用者首次可查看先前隱藏在共模雜訊中的訊號；可在高達100MHz的環境中提供100萬：1(120dB)的共模抑制，而在1GHz的環境中提供10000：1 (80dB)的CMRR。若使用IsoVu，工程師可以在存在大型共模電壓(範圍為直流至1 GHz)的情況下，準確地量測微小的差動訊號(5mV~50V)。
吳道屏表示，簡單來說，IsoVu和其他商用探棒不同，其採用電光感應器將輸入訊號轉換至光學調變，從而將待測裝置與示波器進行電器隔離；且整合了四個獨立的雷射、一個光學感應器、五條光纖和複雜的回饋和控制技術，具有電隔離的IsoVu架構在其頻率範圍可提供>2,000V峰值的共模耐壓。
