基於寬能隙材料的功率半導體已經進入商業量產，而相較於主攻高電壓應用市場的碳化矽(SiC)，氮化鎵(GaN)則是在消費類找到應用商機；而為滿足消費性產品對成本、體積、效能的要求，高整合解決方案成為電源元件供應商拓展GaN市場的主要利器，例如Power Integrations近期所推出的InnoSwitch3 AC-DC轉換器IC，其特色便是將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。
據悉，Power Integrations日前推出新一代InnoSwitch 3系列離線CV/CC返馳式切換開關IC，而在最新發布的系列產品中，GaN切換開關取代了IC一次側的傳統矽高壓電晶體，減少電流流過時的導通損耗，並大幅降低了運作期間的切換損失，減少能源浪費；而值得一提的地方是，為實現更精準的同步整流(Synchronous Rectification, SR)，該系列產品將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。
Power Integrations培訓總監Andrew Smith表示，過往的同步整流設計，一次側和二次側通常是各自獨立，而非在同一封裝之中，二次側要「開」或「關」，往往是依據一次側導入的電流或電壓波形進行判斷。然而，電源供應並不是固定負載(也就是同一電流、電壓穩定輸送)，消費者常常會突然插拔充電器、插頭等，在快速變動的情況下，一次側、二次側的溝通有時會出現「誤差」，也就是二次側跟不上一次側的指令，兩者無法同步，電源供應器便會產生故障。
Smith指出，為克服此一情況，降低故障率，同時提升使用效率，該公司便決定將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中，並透過磁耦合連接一次側與二次側，使兩者的「溝通」更加容易，以精準的實現同步整流，不僅降低電源供應器故障率，也可以透過整合方式減少產品尺寸、成本，並提升效能，滿足行動裝置、機上盒、顯示器、家電、網路和遊戲產品的USB-PD和高電流充電器/轉換器等高效率返馳式設計。
