手機王｜作者：克勞德
三星今日（4/6）宣布旗下 512GB eUFS 3.1 行動儲存晶片正式進入量產階段，除了維持與前代 eUFS 3.0 相同的 2100MB/s 循序讀取速度外，循序寫入速度最高可達 1200MB/s，突破當前智慧型手機儲存晶片 1GB/s 的性能極限，同時能以更快的速度儲存 8K 影片和大尺寸影像檔案。另外，三星也將針對旗艦級手機再推出 128GB 與 256GB 容量版本的 eUFS 3.1 行動儲存晶片。
三星 512GB eUFS 3.1 行動儲存晶片具備 1200MB/s 的循序寫入速度，不僅比一般 SATA 桌上型電腦（540MB/s）快兩倍以上，更較 UHS-I microSD 記憶卡（90MB/s）快上十倍，90 秒內即可移動 100GB 的數據資料。而在隨機讀取方面，512GB eUFS 3.1 行動儲存晶片速度可達 100,000 IOPS（較 UFS 3.0 提升 60%），隨機寫入速度則可達到 70,000 IOPS。
三星電子記憶體業務暨行銷執行副總裁 Cheol Choi 表示，三星本次推出 eUFS 3.1 行動記憶體儲存晶片，將可為智慧型手機用戶擺脫傳統記憶卡的容量瓶頸。此外，為滿足旗艦、高階智慧型手機市場的記憶體需求，三星自 3 月起已投入第 5 代 V-NAND 的量產計畫，並規劃將韓國平澤生產線的第 5 代 V-NAND 量產遷移至第 6 代，替日益成長的市場需求帶來更佳的解決方案。
原文出處：手機王
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